Модель источника

Для изучения физических процессов, связанных с излучением световых волн, примем следующую модель источника света. В некоторой области пространства находится совокупность N атомов. В каждом атоме имеется один оптический электрон, а колебания этих N электронов (гармонических осцилляторов) и обусловливают излучение системы. Будем считать, что направления всех колебаний одинаковы (в дальнейшем мы снимем это ограничение) и, следовательно, можно рассматривать скалярную задачу. Частоты и амплитуды колебаний оптических электронов (со и а соответственно) также одинаковы. Тогда напряженность поля Ек, создаваемая k-м атомом в произвольной точке А на оси Z (рис. 5.6), определится выражением [c.186]

Моделирование начинается с просмотра операторов генерирования заявок, те. с обращения к моделям источников входных потоков. Для каждого независимого источника такое обращение позволяет рассчитать момент генерации первой заявки. Этот момент вместе с именем - ссылкой на заявку - заносится в список будущих событий (СБС), а сведения о генерируемой заявке - в список заявок (СЗ). Запись в СЗ включает в себя имя заявки, значения ее параметров (атрибутов), место, занимаемое в данный момент в имитационной модели. В СБС события упорядочиваются по увеличению моментов наступления. [c.196]

М я р к а (модель Источник излучения Радиационный преобразо ватель щая способность, линий/мм is s бЬ Особенность конструкции ill я ч S с S то 83 = q [c.368]

В этой главе описаны методы, которые дают решения задачи и в тех случаях, когда перечисленные выше способы не годятся. Во всех этих методах в качестве моделей источников с прилегающими конструкциями и средой используются линейные (re-fl)-полюсники на п входных клеммах заданы сигналы, характеризующие источники, на (га-1-1)-й клемме (выход) формируется сигнал в точке наблюдения. Внутри многополюсника имеется п- - генераторов акустических сигналов и набор цепей, соединяющих эти генераторы со входами и выходом. Рассматриваемые методы отличаются друг от друга внутренним строением модельных ( -)-1)-полюсников или формой импульсных переходных функций соединительных цепей- [c.111]

Появляется диалог, в котором следует указать опции слияния модели (рис. 1.2.31). При слиянии моделей объединяются и словари стрелок и работ. В случае одинаковых определений возможна перезапись определений или принятие определений из модели-источника. То же относится к именам стрелок, хранилищам данных и внешним ссылкам. (Хранилища данных и внешние ссылки - объекты диаграмм потоков данных, DFD, будут рассмотрены ниже.) [c.44]

В процессе слияния модель-источник остается неизменной и к модели-цели подключается фактически ее копия. Не нужно путать слияние моделей с синхронизацией. Если в дальнейшем модель-источник будет редактироваться, эти изменения автоматически не попадут в соответствующую ветвь модели-цели. [c.44]

Установить для новой модели модель-источник. Модель-источник может содержать как логический, так и физический уровень. [c.235]

Недостаточно освещены в литературе математические модели источника теплоты. В то же время даже при успешном решении проблем моделирования других элементов СЦТ и оптимальном управлении ими положительный эффект от такого управления будет сведен на нет при отсутствии моделей оптимальной выработки и отпуска теплоты. [c.81]

Модель оборудова- иия Сварочный ток, А Электродная проволока Модель источника питания (рекомендуемая) [c.137]

Абсолютно черное тело. Под абсолютно черным телом понимают такое идеальное тело, которое полностью поглощает все падающее на него излучение независимо от его спектрального состава, направления распространения и состояния поляризации. Абсолютно черное тело является теоретической моделью идеального излучателя, т. е. тем единственным эталоном, по сравнению с которым можно оценивать радиационные свойства всех реальных тел. Абсолютно черное тело является термодинамической моделью источника равновесного излучения. [c.5]

Однако во всех перечисленных работах не было выдвинуто конкретной модели источника подобного типа. Поэтому нами [ 123] была сделана попытка обоснования модели такого источника и проведена оценка напряжений начала генерирования им дислокаций. [c.99]

Приведенная математическая модель источника энергии (7-8) и структурная схема на рис. 7-2 могут охватывать несколько физически возможных видов преобразователей энергии (без силовой части СП), если они сопряжены друг с другом таким образом, что их совокупность описывается линейными дифференциальными уравнениями. Это возможно, в частности, в источниках энергии, содержащих электрический ПД и генератор ограниченной мощности. [c.402]

Линейные источники и стоки. По-видимому, дислокационная модель источников и стоков, показанная на рис. 5, й, соответствует экспериментальным данным, полученным для сплава Ag—2п. Распределение дислокаций в кристалле представляет собой трехмерную сетку, состоящую из параллельных краевых дислокаций, расположенных на расстоянии друг от друга и имеющих диаметр ядра 2г/а. Действительными стоками для вакансий являются пороги на дислокациях, тем не менее любая точка дислокации может служить стоком для вакансии в результате того, что происходит ускоренная диффузия вдоль нее. (Исключение составляют только очень большие ступеньки. Из такой дислокации вакансия, нахОдЯ щаяся внутри нее, скорее уйдет, чем аннигилирует на [c.373]

Испускание электромагнитных волн происходит при ускоренном движении электрических зарядов. Простейшая модель источника света получается, если рассмотреть диполь, электрический момент которого р(0 гармонически изменяется со временем. Такой диполь [c.35]

Рассмотренную выше математическую модель источника света можно усложнить, отказавшись от предположения об идентичности волновых цугов, испущенных различными атомами. Оказывается, что и в этом случае спектральное распределение интенсивности излучения всех атомов источника находится суммированием распределений интенсивности излучения отдельных атомов. [c.57]

В математической физике доказывается законность замены волнового импульса суммой (конечной или бесконечной) монохроматических волн. Но при изложении этого важнейшего раздела волновой оптики представляется целесообразным сначала рассмотреть ее основы более наглядно, используя упрощенную модель источника световых волн. При этом можно оценить те границы, в которых может быть использована синусовдальная идеализация. Но прежде всего нужно определить основные понятия и проанализировать, как они проявляются в эксперименте. [c.175]

Страна, фирма, марка (модель) Источник излучения Радиационный преобразователь Оптическая система Передающая. телевизионная трубка Особенности конструкции э Чувстви- = тель-ность, % [c.369]

После подтверждения слияния (кнопка ОК) модель-источник подсоединяется к модели-цели, стрелка вызова исчезает, а работа, от которой отходила стрелка вызова, становится декомпозируемой - к ней подсоединяется диаграмма декомпозиции первого уровня модели-источника. Стрелки, касающиеся работы на диаграмме модели-цели, автоматически не мигрируют в декомпозицию, а отображаются как неразрешенные. Их следует тоннели-ровать вручную. На рис. 1.2.32 показано, как выглядят модели в окне Model Explorer после слияния. [c.44]

Выделены модель-источник и гцхисоединенная ветвь модели-цели [c.45]

Вкладка содержит таблицу с тремя столбцами, из которых можно редактировать только столбец То Datatype. Каждая строка таблицы задает соответствие между парой типов данных модели-источника и модели-цели. Кнопка Reset отменяет редактирование и устанавливает соответствие между типами данных по умолчанию. [c.235]

General. Позволяет задать файл модели-источника. Кнопка Syn служит для немедленной синхронизации текущей модели с моделью-источником. [c.238]

Des ription. Служит для внесения описания к модели-источнику. [c.238]

При лостроении световой модели необходимо соблюдать общие правила моделирования. К ним относятся геометрическое (подобие модели и образца и тождественность оптических свойств соответствующих поверхностей. Последние характеризуются определенной величиной коэффициентов поглощения и отражения. Эти условия выполняются путем -подбора материалов модели, источников света и соответствующего их распределения. [c.307]

В главе 3 изучены эволюционные свойства разрывных течений вязкой жидкости. Построен класс двумерных нестационарных течений вязкой жидкости с двумя сильными разрывами. Исследование выполнено для вязкой ньютоновской жидкости и для потока со знакопеременной ту11булент-ной вязкостью. Представлена модель источника массы, импульса и энергии конечных размеров. Приближенным методом Бубнова-Галеркина ре-шеште задач сводится к анализу качественных свойств нелинейной динамической системы с двумя существенными степенями свободы. Даны критерии появления бифуркационных изменений гидродинамических систем. Выполнен анализ реагирования потока жидкости на управляющие воздействия, обусловленные различными факторами (граничный тепловой поток, объемный источник энергии, гидродинамический напор и др.). [c.4]

Изучение электрогазодинамических процессов проводилось в области ж > о за первой сеткой в двух режимах в режиме заземленного источника (режим А), когда сетка 3 имела потенциал земли, и в режиме изолированного источника (режим Б), когда модель (источник питания, игла и сетка 3) находилась под плаваюгцим относительно земли потенциалом. Сопротивление изолированного источника относительно земли составляло 10 Ом, т.е. при плаваюгцем потенциале системы (р = 10 кВ токи утечки не превышали 10 А. [c.360]

Рассмотрим теперь влияние сил изображения на кинетику размножения дислокаций вблизи свободной поверхности. Как уже отмечалось выше, модель источника Фишера [160, 161], построенная с учетом сил изображения, дает величину напряжений срабатывания источника в два раза меньшую по сравнению с источником Франка-Рида в объеме кристалла. Представляет интерес оценить глубину приповерхностного слоя кристалла, на которой могут действовать подобного рода источники. Используем для этого работу [130], в которой было рассчитано наибольшее расстояние s от свободной поверхности, которое позволяет силам изображения активировать закрепленное звено длиной / и при определенных критических условиях превратить обычный двухзакрепленный источник Франка—Рида в два однозакрепленных источника типа источников Фишера (см. рис. 57). [c.113]

Из рис. 68, б видно, что и в данной модели источники в поверхностной области могут способствовать предпочтительной деформации по сравнению с внутренними источниками даже при действии более низких Hanp h жений. Дислокации, генерируемые поверхностными источниками, могут преодолевать препятствия более легко, чем внутри кристалла, и скользить на большее расстояние от источника по сравнению с дислокациями от внутренних объемных источников благодаря тому, что эффективные толкающие напряжения скользящих дислокаций более высокие в поверхностной области. Это обстоятельство приводит к росту плотности активных источников в поверхностной зоне и снижению расстояния между активными плоскостями скольжения. [c.121]

Эти случаи характерны для металлических кристаллов. Локаль-ые области атом-вакансионных состояний являются, таким обра-)м, основными источниками дислокаций в деформируемой решет-3. Все другие модели источников дислокаций (например, источник ранка — Рида) не универсальны, реализуются лишь в отдельных 1учаях. . [c.14]

Целью каскадов преобразователен энергии будем называть такое последовательное вклю1чение преобразователей энергии, при котором каждый предшествующий каскад выполняет функции источника энергии для каждого последующего каскада, причем исходное звено будем называть первичным источником энергии, а замыкающее зветю цепи — собственно СЧ привода. Обобщенная математическая модель источника энергии совместно с силовой частью СП как непрерывной цепи преобразователей энергии предложена в [Л. 91]. [c.402]

Для вычисления bnjbt воспользуемся обобщенной силовой моделью дислокационного источника [179], которая позволяет установить необходимые соотношения, не конкретизируя микромеханизм генерации ЗГД. В согласии с этой моделью источник зарождает дислокации, пока эффективные напряжения на источнике о = о—аоб, здесь 0об — обратные напряжения от уже испущенных дислокаций, превышают некоторое критическое напряжение Oi = G—ao6 oii> [c.92]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...