Изготовление масок

Постепенное вытеснение радия. Применение радия в борьбе с некоторыми болезнями представляет ряд неудобств высокая цена (несколько миллионов франков за грамм), большое среднее время жизни (около 2000 лет) и химическая токсичность. Случайно введенная в тело радиевая иголка не представляет серьезной хирургической проблемы, но если в организм попадет крупинка соли радия, то это обязательно приведет к смертельному исходу вследствие ее химической токсичности и радиоактивных излучений, а также огромного периода полураспада. Существуют искусственные радиоактивные изотопы, недорогие, неядовитые и со сравнительно небольшим средним временем жизни (от нескольких месяцев до нескольких лет), которые постепенно вытесняют радий. Так, радиоактивный кобальт с периодом полураспада 5 лет повседневно применяется в онкологических институтах для изготовления масок, пластырей, ниток и т. д. Поскольку радиоактивный кобальт получают путем облучения обычного кобальта нейтронами в ядерных реакторах, то перед изготовлением радиоактивного препарата ему можно придать нужную форму. [c.228]

Базовым вариантом при технико-экономическом обосновании внедрения АСУ ТП и выборе наиболее эффективных их вариантов являются, как правило, технологические комплексы, которые находятся на достаточно высоком техническом уровне, имеют относительно высокий уровень автоматизации рабочего цикла, однако по жесткой программе. Примерами могут служить группы независимо работающих станков с программным управлением, оснащенных индивидуальными пультами технологические линии электронной промышленности (линия вакуумной обработки, линия изготовления масок, линия нанесения люминофора и др.). [c.413]

Минимальный линейный размер резистора определяется материалом пленки, технологией нанесения или изготовления масок, возможностями контроля процесса производства и заданной величиной допуска на сопротивление резистора. [c.690]

Достигнутый в настоящее время уровень изготовления масок не позволяет получить ширину резистора Ь менее 100 мкм. Поэтому, если по расчету Ь получается менее 100 мкм, то ширину резистора выбирают равной 100 мкм, а длину а соответственно пересчитывают. При ширине Ь = 100—200 мкм точность изготовления резистора равна 15—20%. Для получения 10%-ной точности ширину необходимо выбирать более 300 мкм. [c.690]

Конфигурация и геометрические размеры всех компонентов пленочной микросхемы задаются с помощью специальных масок. Для обеспечения точности совмещения компонентов схемы необходима специальная методика изготовления масок, позволяющая вы- [c.154]

К дешевым и распространенным видам металлической фольги для изготовления масок относят медную, бронзовую фольгу и фольгу из нержавеющей стали. [c.157]

Данный метод предполагает прямое экспонирование фоторезиста при высокой разрешающей способности и большом рабочем поле, при этом не требуются дорогие объективы. Голографический метод, который обеспечивается интерференцией двух лазерных пучков, особенно удобно использовать для изготовления масок решеток [106]. [c.524]

Хороший эффект дает применение электромеханических чертежных автоматов для изготовления чертежей масок, используемых в оптических контрольных устройствах высокоточных станков инструментального производства. Ими являются, в частности, профилешлифовальные станки, на которых обрабатываются шаблоны для контроля фрез и протяжек, шарошки для шлифовальных кругов со сложным профилем и другие изделия. Чертеж маски проецируется с помощью оптической системы на экран и совмещается с проекцией обрабатываемого контура. Благодаря этому рабочий может визуально контролировать точность шлифования и корректировать режим обработки. [c.217]

Внедрение автоматизации изготовления фотошаблонов и масок не сопряжено с затратами на разработку дополнительных прикладных пакетов программ, поэтому осуществляется быстро и эффективно. [c.217]

Пример аналогии между дифракцией рентгеновских лучей на кристаллах и первой стадией формирования оптического изображения решетчатого объекта показан на рис. 5.7. На рис. 5.7, а изображена часть оптической маски, представляющей собой двухмерную проекцию кристаллической структуры фталоцианина на рис. 5.7,6 показана оптическая дифракционная картина, создаваемая ею [10]. Рис. 5.7,6 согласуется с данными рентгеновских исследований не только в отношении геометрии расположения пятен но и по соответствию экспериментально наблюдаемой рентгеновской интенсивности картине на рисунке. Исторически этот метод вначале применялся для определения неизвестной кристаллической структуры путем изготовления пробных масок на основе химических и других соображений. Он был существенно упрощен при дальнейшем развитии техники (см. конец раздела 2), когда было показано, что основная ячейка и только три периода вполне достаточны в качестве маски, поскольку они определяют структуру, на которой основана двухмерная проекция кристалла. Это иллюстрируется рис. 5.6, где в случае в в качестве маски было использовано большое число повторов (намного больше, чем показано на рисунке) основной ячейки, тогда как в случае д было использовано только четыре ячейки, определяющих структуру кристаллической решетки. Сравнение оптических преобразований показывает, что д вполне достаточно в сравнении сев данной выборке преобразования одной ячейки б на узлах взаимной решетки (преобразование) от основной решетки а. [c.99]

ПРИМЕНЕНИЕ ГОЛОГРАФИИ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ МАСОК [c.189]

Ожидается, что непосредственное применение в промышленности голографическая микроскопия найдет при решении задачи изготовления микроэлектронных масок. До настоящего времени для этих целей использовались высококачественные, необычайно сложные и дорогостоящие объективы. Такие объективы должны иметь большую разрешающую способность по всему полю зрения, которое может быть чрезвычайно большим. Кроме того, возникает необходимость многократного впечатывания изображения на соседние участки материала. [c.189]

Стандартом установлены габаритные и номинальные размеры щитков и масок и технические требования к их изготовлению, обеспечивающие надежность в эксплуатации [c.530]

Изготовление и применение большого числа масок затруднительно. Однако эта задача технически легко решается, если матрицу построить так, что она будет удовлетворять условию цикличности. Новая матрица получается из матрицы Адамара путем замены —1 на 1, -Ь1 на О, вычеркиванием первой строки [c.456]

Материалы, применяемые для изготовления защитных масок, определяются методом маскирования. В процессах литографии, офсетной и трафаретной печати основным материалом резистов служат трафаретные краски. Это составы на основе масляных красок, целлюлозных асфальтовых лаков, винила. [c.543]

Изготовление координатных сеток и масок [c.43]

К возможным дефектам масок, изготовленных травлением, относятся натеки по краям отверстий, шероховатости, металлические усики, изменение линий по ширине. Натеки появляются главным образом ввиду неравномерного стекания травильного раствора. Шероховатости и изменение линий по ширине можно объяснить частичными потерями кислотоустойчивости покрытия. [c.157]

Этап оформления технической документации в случае ИС содержит важную задачу вычерчивания масок для изготовления фотошаблонов. Особенностью проектирования ИС является также резкое возрастание трудностей при использовании экспериментальных методов. Изменение какого-либо параметра в блоках 2г и 1д требует изготовления нового компонента или ИС, что связано с чрезмерными материальными и временными затратами при многократных модификациях. Если же использовать при анализе ИС экспериментальный макет на дискретных компонентах, то, как показывает практика, точность макетирования оказывается недостаточной. Поэтому основными методами проектирования интегральных схем являются машинные расчетные методы. [c.20]

Специальные опорные знаки, служащие для физического совмещения масок при изготовлении схемы. Наносятся на каждый слой. Подобно предыдущему фрагменту, не участвуют в операциях записи и вызова [c.180]

На рис. 7.1 приведена принципиальная схема вентиля на МДП-транзисторах, его топология и набор масок для изготовления данной схемы. [c.154]

Существуют три основных метода экспонирования фоторезистов при изготовлении масок или микрорельефа ДОЭ а) сканирование сфокусированным пуж1ком, [c.251]

Изготовление маски чертежа. Маска чертежа— это трафарет, обеспечивающий избирательную защиту отдельных участков матрицы при изготовлении конструкторской документации. На маску предварительно наносят постоянные чертежно-графические изображения и надписи. Маски изготавливают иа чертежной бумаге или чертежном пластике. Для этого на материал тушью наносят графическое изображение формата чертежа (И... 24) в соответствии с требованиями ЕСКД (рис. 3.10). Затем удаляют (ножницами или резцом) участок, ограниченный внутренним контуром формы. Для придания прочности маску из (ватмана наклеивают на картон толщиной 2... 3 мм. При изготовлении масок на чертежном пластике отдельные участки маски, на которые должны наноситься постоянные изображения, покрывают белой матовой краской. На эти участки маски наносят технические требования и графическое изображение рамки формата с основной надписью и др. [c.44]

Техника изготовления масок предъявляет особые требования к металлической фольге, так как точность и контроль ширины щелей могут быть связаны непосредственно с размерами кристаллов металла, ориентацией зерен и изменением толщины поверхностного слоя. Еще одна трудность заключается в том, что к металлам с большим удельным весом (с низким давлением паров и малым ТКЛР) не применимы обычные методы травления, для них требуются более агрессивные травители. [c.157]

Изменяемость поля зрения в зависимости от взайморасположения глаз и. очков показана на фиг. 17 для 4 различных случаев. Достаточная герметичность маски достигается применением вполне эластичных материалов (напр, резина). При изготовлении масок из таких материалов, как кожа, неэластич. материи, прибегают к устройству внутренних окаймляющих бортов, обеспечивающих плотное прилегание их к лицу. Крепление маски на голове осуществляют при тонких резиновых масках (старых образцов) непосредственным надеванием верхней части маски на голову, в масках же современных— посредством системы эластичных ремней, правильно и прочно располагающихся на голове. Система регулирующих пряжек и передвижек дает возможность произвести индивидуальную пригонку маски к голове ее владельца. [c.176]

Благодаря такому сложному, но очень точному процессу добиваются необходимой-прецизионности. Действительно, так как соотношения геометрических размеров трафарета определяют номиналы сопротивлений схемы, точность изготовления масок должна быть высока. Далее, после изготовления негатива трафарета в натуральном масштабе позитивное изображение фотоспособом наносят на металлическую пластинку, покрытую фоточувстви-тельным слоем. Неэкспонированная эмульсия удаляется после проявления, и металл в соответствующих местах вытравливается. Так изготовляются маски-трафареты. [c.75]

Метод получения масок выбирается в зависимости от назначения микросхем и условий производства. В ряде случаев для создания микросхемы мо-.гут быть использованы маски, изготовленные несколькими методами. При механическом методе изтотовления масок в заготовке из металла или сплава толщиной около 1 мм выщтамповываются отверстия и прорези, соответствующие рисунку слоя микросхем. Однако при этом форма рисунка может получиться неправильной, а маска в значительной степени может потерять плоскостность. Лучшее качество масок достигается при предварительном фрезеровании илн сверлении отверстий на некоторую глубину с последующей штамповкой (рис. 4.6). Такие маски применяются для получения сравнительно крупных элементов микросхем, например электродов конденсаторов, и размеры отверстий в ннх достигают единиц миллиметров. При ручном способе изготовления масок допуск на размеры составляет 60 мкм. Известны автоматизорованные системы сверления отверстий в масках. В таких системах заготовки. помещаются на координатном столике, который приводится в движение от электромотора с подачей в 125 мкм. Режущий инструмент управляется по командам, подаваемым с перфокарт. Этот метод обеспечивает допуск по щирине линии 5 мкм. Электроэрозионные методы, включающие электродуговое травление нли использование тонкой проволоки в качестве электрода для вырезания отверстий, требуют сложного оборудования, обладают низкой воспроизводимостью и не применяются в серийном изготовлении микросхем. [c.80]

Изготовление масок 521 Измерение резонансной частоты 166 Иммитаис 388 [c.574]

Рекомендуемая область применения различные детали приборов, матрицы штампов, прессформы, фильеры, прорезка щелей и пазов, изготовление масок и трафаретов, разрезание полупроводниковых материалов и др. [c.163]

Весьма перспективно изготовление из светочувствительного стекла или фото-ситалла масок сложной конфигурации и точных размеров для микропленочной радиоэлектроники. Маски для напыления в вакууме тонкопленочных схем могут иметь толщину 0,1 мм и менее, ширину щелей или диаметр отверстий 100—20 мк, работают без коробления и провисания при 400—450° С (для светочувствительного стекла) [c.487]

В качестве примера сошлемся на использование синхротрон-ного излучения для рентгенолитографии [5]. Дело заключается в том, что субмикронные точности совмещения рентгенорезиста и масок при многократном экспонировании, необходимые при изготовлении современных микросхем, могут быть получены в настоящее время только в горизонтальной плоскости [4.1. Следовательно, нужно уметь повернуть синхротронный пучок на 90°. Использовать для такого поворота многослойную оптику беспо- [c.126]

Первый оптический способ очевиден и не нуждается в пояснениях. Его использование ограничено возможностями изготовления фазовых масок. Голографический способ изготовления комплексных фильтров предложен Вандер Люгтом [138]. Этот способ универсален и в настоящее время получил широкое применение. Подробно этот способ рассмотрен в 7.2. [c.230]

ЦЭВМ используется как при изготовлении фильтров по прямому оптическому методу, так и при голографическом методе регистрации. В первом случае на машине синтезируют световые распределения, необходимые для изготовления амплитудных и фазовых масок, получаемых после отбеливания. (Синтез амплитудных масок на ЦЭВМ обеспечивает возможность изготовления весьма сложных пространственных фильтров с высокой точностью и идентичностью характеристик. В ряде случаев машинный синтез является единственным способом создания сложных оптических пространственных фильт- [c.230]

Тонкие ЭНП получили широкое применение в современной радиоэлектронике в качестве диэлектрика в электрических конденсаторах, разделительной изоляции и защитных покрытий в полупроводниковых приборах, разделительной и конденсаторной изоляции в интегральных и пленочных схемах, а также в различных технологических процессах изготовления приборов, например масок при травлении и напылении и источников диффузанта при диффузионном легировании. Оксидные пленки, получаемые электрохимическим окислением, применяются и в качестве изоляции обмоточных алюминиевых проводов и лент. [c.261]

Технологическое программное обеспечение заносится в ОЗУ на этапе изготовления устройства методом масок. Оно обеспечивает контурное управление с линейной и линейно-круговой интерполяцией с отработкой программы по шагам или в автоматическом режиме. Все функциональные блоки устройства имеют связи между собой через общую шину , причем од1ювременно могут взаимодействовать друг с другом только два модуля. [c.459]

В настоящее время для формирования дифракщюнного микрорельефа апробировано и отлажено множество технологий с использованием самых разнообразных (физически, химически, механически) активных сред фокусируемых электронных и ионных пучков, газов, кислот, резистов, полимерных композиций, алмазных резцов. При этом различные технологии требуют создания различных шаблонов наборов бинарных масок для фотолитографии, полутоновых фотошаблонов для ЖФПК и отбеливания желатины, тонко-мембранной пленки для рентгеновской литографии или маски-трафарета для использования ионно-лучевой литографии. При использовании полутоновых шаблонов и соответствующих технологий формирование кусочжо-непрерывного Ешкрорельефа происходит в один этап (методы формирования кусочно-непрерывного рельефа рассмотрены в п. 4.4). При использовании набора бинарных шаблонов и соответствующих бинарно-активных сред для получения многоуровневого рельефа, процесс, показанный на рис. 4.3, приходится повторять несколько раз, перебирая по очереди все шаблоны из набора. Для ряда современных технологий (электронная литография, станки с ЧПУ) изготовления физически существующего шаблона (или набора шаблонов) не происходит в этих случаях формирование микрорельефа происходит на основе рассчитанного виртуального шаблона. [c.241]

Например, для 8-ми уровневого оптического элемента необходимо 7 масок, имеющих линии разной ширины. Сам процесс фотолитограс )ии для изготовления такого элемента при равномерном травлении повторяется не менее 7 раз, включая 6 этапов совмещения и экспонирования шаблонов, а работоспособным элемент становится только после выполнения всех технологических операций. Этот метод обла ]л,ает рядом достоинств. Прежде всего, ширина линий на крайних зонах хоть и может достигать относительно малых значений (порядка Dmin/M, где — мимималь- [c.257]

Вышеизложенные данные характеризуют пределы разрешающей способности ЭЛЛ, характерные дтш однократного экспош1рования без последу ющего совмещении. При совмещешн нескол1 ->ких масок требования к допускам изготовления шаблонов (и структур) существенно повышаются. Из-за ошибок совмещения линий. [c.263]

Количество бинарных файлов виртуальных бинарных масок на едишщу меньше количества уровней квантования. Схематичное изображение процесса изготовления элемента представлено на рис. 4.28. [c.265]

Стандартом устаповлеиы габаритные и номинальные размеры щитков и масок и технические требования к их изготовлению, обеспечивающему надежность в эксплуатации Стандарт распространяется на провода с медными жилами. с резиновой изоляцией, в резинОЕ.ой шланговой оболочке, применяемые при электрической дуговой сварке для соединения электрододержателя с источником тока. Установлены марки, оазмеры и технические условия на провода [c.629]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...