Резисторы моделирование

При решении задачи для моделирования лучистого теплообмена применены опробованные при исследовании цилиндра СВК-200 следящие системы, а термическое сопротивление, соответствующее конвективному теплообмену, моделировалось с помощью активных сопротивлений в виде отдельных резисторов (в межцилиндровом пространстве) и в виде полос электропроводной бумаги (на наружной поверхности внешнего и внутренней поверхности внутреннего корпусов). [c.155]

Эс ективным методом определения расходов в разветвленных гидравлических сетях является метод электрической аналогии. Для моделирования потоков применяются модели двух типов модели, состоящие из линейных резисторов [112, 284, 290], и модели, включающие нелинейные элементы (лампы накаливания [15], радиолампы [17, 126], индуктивные элементы [220] и полупроводниковые триоды [3, 4]). [c.215]

Естественно, при наличии микроэлементов, имеющих необходимую кривизну начальных участков вольт-амперных характеристик, их использование для моделирования утечек в щелевом зазоре желательно, однако, как показывает опыт расчетов и электрического моделирования, применение линейных резисторов вполне допустимо, так как поправка на нелинейность в условиях малых напряжений по сравнению с общим их уровнем в модели существенной роли не играет, а упрощение моделирующей установки с заменой нелинейных элементов линейными оказывается значительным. [c.229]

Формы представления моделей элементов схем. При моделировании компонентами электронной схемы являются резистор, конденсатор, катушка индуктивности, отдельный электронный прибор в дискретном или интегральном исполнении, источник тока или напряжения и т. п. Элементом электронной схемы может быть как компонент, так и типовой фрагмент схемы (вентиль, триггер и т. п.). Математическая модель электронной схемы при анализе на ЭВМ — система обыкновенных дифференциальных уравнений, связывающая токи и напряжения в различных компонентах схемы. Математическая модель схемы, полученная непосредственным объединением моделей компонентов в общую систему уравнений на основе топологических уравнений, называется полной моделью схемы. Математическая модель схемы, являющаяся более простой по затратам времени и памяти ЭВМ на ее реализацию, чем полная модель, называется макромоделью схемы. Типовые фрагменты схемы (функциональные узлы) состоят из отдельных компонентов, поэтому модели таких фрагментов в составе сложных электронных схем являются макромоделями. Следовательно, можно выделить два основных типа моделей элементов электронных схем модели компонентов и макромодели функциональных узлов. [c.128]

Анализ чувствительности методом наихудшего случаем используется, чтобы найти наихудший возможный вариант режима работы схемы или устройства с учетом разброса параметров. Например, если рассматриваются три резистора 111, Я2 и КЗ и допуск на их сопротив- гение )0 при анализе по наихудшему случаю будет найдена комбинация возможных значений сопротивлений, которые обеспечивают наихудший случай и будет проведено для этого варианта моделирование. При анализе чувствительности методом наихудшего случая рассматриваются три важных элемента вход, рабочая процедура и выход. [c.113]

Непременным условием для успешного освоения материала, изложенного в пяти уроках первой части, является наличие знаний об основных характеристиках резисторов, конденсаторов и катушек в цепях постоянного и переменного тока. Это необходимо для того, чтобы вы могли оценить правильность результатов, полученных при моделировании, убедиться в том, что программа работает точно, и раз и навсегда довериться ее расчетам. [c.18]

Теперь вы видите результат моделирования напряжение (потенциал) в месте соединения двух резисторов по отношению к земле равно 8.193 В (рис. 2.4). [c.44]

Рис. 2.11. Схема последовательной цепи с двумя резисторами, взятая за основу для моделирования цепи постоянного тока

Рецепт 8. Моделирование температурных характеристик резисторов, конденсаторов и катушек индуктивности [c.153]

Еще одна хитрость этого анализа состоит в том, что вы можете выбирать, следует ли в процессе моделирования варьировать каждый параметр, которому присвоено значение разброса, независимо от других или нужно изменять вместе группу параметров, например группу резисторов сопротивлениями 1 Ом. Такая возможность очень важна при моделировании интегральных схем. В этом случае характеристике допуска присваивается кодовое обозначение LOT, например ЮТ = 5%. В нашем учебном курсе мы не будем пользоваться кодовым обозначением ЮТ. В приводимых примерах все параметры определяются независимо друг от друга, что является разумным при использовании отдельных (дискретных) компонентов. В этом случае допуск получает кодовое обозначение TOL, например TOL = 5%. [c.198]

Рис. 2.21. Моделирование контакта в виде группы резисторов, на которых измеряется падение напряжения

Значения параметров каждого элемента изменяются независимо от остальных. Например, если в схеме есть два резистора сопротивлением 10К, а допуск установлен равным 10%, то во время первого прохождения процесса моделирования один из резисторов может получить значение 953 Ом, а другой 1022 Ом. Программа моделирования использует независимые генераторы псевдослучайных чисел для получения значений параметров каждого отдельного элемента. [c.196]

При запусках процесса моделирования резистор будет принимать следующие значения 950, 970, 990, 1010, 1030, и 1050. [c.200]

Анализ шумов позволяет измерять шумовые характеристики схемы путем определения шумов резисторов и полупроводниковых устройств. Программа моделирования строит кривую спектральной плотности шума, на которой шум измеряется в В /Гц. Конденсаторы, катушки индуктивности и управляемые источники постоянного напряжения считаются идеальными, не вносящими дополнительных шумов в схему. Программа моделирования позволяет проводить следующие измерения шумовых характеристик. [c.204]

Модели соответствует схема в. При х<.1 диод УО заперт, т.е по физическому смыслу задачи до контакта массы с упором координата л ио влияет иа характер ее движения При моделировании удара об упругий буфер необходимо выбрать сопротивление резистора к, показанного штриховыми линиями в соответствии с конечным значением жесткости буфера кх при х г 1 [c.321]

Для моделирования соударений в зазоре с упругими ограничителями необходимо выбрать сопротивления резисторов Я, показанных штриховыми линиями (схема в), в соответствии с конечными значениями жесткости ограничителей. [c.322]

В основе излагаемого в этой главе метода линеаризации граничных условий лежит совместное использование метода подстановок и метода итераций с реализацией процесса решения на электрических пассивных моделях, когда нелинейные граничные условия III рода специальным образом линеаризуются, что дает возможнрсть более эффективно проводить процесс итераций. Этот метод, в отличие от других, изложенных ниже, предполагает традиционный подход к моделированию такого рода граничных условий, когда внешнее термическое сопротивление моделируется активными линейными электрическими сопротивлениями. Величины именно этих сопротивлений пересчитываются, а резисторы перенастраиваются при пере- [c.88]

В ХПИ построена упрощенная модель для моделирования расходов рабочего тела в турбинах ХТГЗ им. С. М. Кирова, на которой производилось исследование распределения потоков пара в цилиндре высокого давления турбины К-300-240, состоящем из 11 ступеней. Блок-схема модели показана на рис. 108. В нее, кроме нелинейных элементов, компенсационных сопротивлений и источников Е для моделирования изменения реакции по высоте лопатки и насосно-эжекционного эффекта, входят линейные резисторы в цепях, моделирующих потоки в щелевых зазорах. Эти резисторы поставлены вместо нелинейных элементов, так как напряжения в рассматриваемых цепях, согласно предварительным расчетам, не выходят за пределы начальных (линейных) участков характеристик рассмотренных выше диодов. Следовательно, их применение в этих условиях теряет смысл. Модель же с применением линейных резисторов значительно упрощается. [c.230]

Расчеты теплового состояния поршней с использованием ЭВМ. Электрическое моделирование обеспечивает исследование теплового состояния поршней с малой затратой времени простыми средствами, большой наглядностью и высокой точностью. Однако при расчетах термических напряжений точность ее оказывается недостаточной и тогда требуется проведение расчетов температур с использованием ЭВМ. Для расчетов применяют метсй конечных разностей, который позволяет заменять дифференциальное уравнение (2) системой алгебраических [14]. Алгебраические уравнения могут быть получены и непосредственно с использованием электрической модели. По закону Ома величина тока, протекающего через резистор го. соединяющий узлы 12 и 2в (рис. 38), определяется [c.75]

Многие дополнительные эффекты можно учесть путем добавления внешних по отношению к исходной модели схемных элементов. Например, при разработке БИС на сверхбыстродействующих, малосигнальных элементах эмиттерно-связанной логики (ЭСЛ) предъявляются повышенные требования к точности моделирования статических характеристик логических цепей каскадно включенных элементов. Эти требования учитываются с помощью модели транзистора (рис. 6.8). Модель транзистора программы ПА-1 без учета Гб и Гк обозначена Гь Достоинство модели состоит в том, что она включает стандартные элементы электронных схем (диоды, резисторы) и не требует непосредственной модификации модели ПА-1. Диод Оэ позволяет учесть зависимость коэффициента В от тока эмиттера /э, а диод Оп и источник тока / —влияние подложки. Параметры дополнительных элементов схемы определяются из условия наилучшего совпадения с соответствующими экспериментальными зависимостями. [c.137]

Задание 2.2. Начертите схему, показанную на рис. 2.8, электросхему и сохраните ее в папке Proje ts под именем R MIX 2. Каково значение тока Ij , проходящего через резистор Rj Самостоятельно проведите вычисления и выясните, совпадают ли они с результатами моделирования для значения Ij . [c.47]

Прежде всего давайте еще раз проанализируем знакомую вам схему последовательной цепи, содержащей два резистора, но не будем пользоваться теми удобными индикациями результатов, о которых рассказывалосьв предыдущем разделе. В этом случае вам придется обратиться за результатами моделирования к выходному файлу. [c.49]

Запустите процесс моделирования и выведите на экран PROBE диаграмму напряжения на нагрузочном резисторе R (рис. 7.12). Результат, представленный на этом рисунке, аналогичен показанному на рис. 7.9. [c.133]

До сих пор вы исходили из того, что компоненты проектируемых схем действительно имеют свои номинальные значения, что, к примеру, резистор, рядом с которым установлен индикатор значения 1 Ом, на самом деле имеет значение 1 Ом. Однако это предположение далеко от реальности, так как все компоненты, устанавливаемые в электронных схемах, естественно, имеют допуски. Зачастую искусство проектирования как раз и заключается в умении так составить схему, чтобы она функционировала не только в лаборатории со специально, вручную подобранными компонентами, но и в условиях массового производства. Сейчас при изготовлении электронных схем компоненты размещаются на печатных платах с помощью установок автоматического монтажа. К тому же разрабатываемые схемы должны позволять как можно ббльшие допуски, чтобы сократить расходы на их производство. Учитывая все это, спроектировать схему, отвечающую требованию бездефектного производства , без предварительного моделирования практически невозможно. [c.197]

Шаг Дополните свою схему, установив в ней резистор сопротивлением 200 Ом на выходе логического элемента X-OR (рис. 10.3), и сохраните ее под именем DIGI2.s h. Затем проведите моделирование этой схемы, установив такую комбинацию входных напряжений, которая позволила бы ожидать сигнала высокого уровня (лог. 1) на выходе элемента X-OR. После щелчка по кнопке с изображением большой буквы V чертеж должен приобрести такой же вид, как на рис. 10.3. [c.218]

Взглянув на рис. 10.3, вы можете заметить, каким интересным качеством обладает PSPI E при одновременном моделировании аналоговых (резисторы, конденсаторы, транзисторы, источники напряжения аналогового сигнала и т.п.) и цифровых (логические элементы) компонентов. В тех местах, где узловые пункты связывают исключительно цифровые компоненты, моделирование выявляет цифровые состояния (1 или 0). Там, где на узле находится хотя бы один аналоговый компонент, выдаются значения напряжения. Видно, что напряжение на выходе логического элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ (X-OR) как раз немногим выше двух вольт. Значит, этот резистор может быть подключен напрямую, то есть без дополнительных формирователей. [c.218]

Шаг Уменьшите сопротивление резистора до 180 Ом, сохраните схему под именем DIGB.s h и с помощью моделирования убедитесь, что при таком сопротивлении напряжение уже не преодолевает ТГЛ-границу равную 2 В. Напряжения, имеющие значения от 0.8 до 2 В, в технике выполнения ИС в базисе ТТЛ считаются неопределенными состояниями. Обратите внимание неопределенное состояние логического элемента X-OR приводит к тому, что выход, где установлена метка out, также принимает неопределенное состояние, которое программа PSPI E обозначает как X (рис. 10.4). [c.219]

Раздельно измерить составляющие Гмг и нельзя. Этот факт иллюстрируется еще одной наглядной схемой измерения, приведенной на рис. 2.21. Контакт двух микропирамид моделирован резистором Гмг. а пучки линий электрического тока по металлу (участки — Вх и А — В ) моделированы резисторами Ггт-Здесь же показано, что измерительные проводники неизбежно снимают суммарную разность потенциалов Гмг и г -Для двух единичных пирамид [c.97]

Для описания аналоговых устройств, расположенных на принципиальны схемах, программа моделирования использует стандартный синтаксис программы SPI E. В большинстве случаев нужно просто разместить тот или иной компонент из библиотеки, установить его номинал (например, значение сопротивления для резистора) и запустить процесс моделирования. Любой компонент содержит всю необходимую для моделирования информацию, включая префиксы позиционных обозначений и нумерацию выводов в многосекционных компонентах. [c.230]

Механизм моделирования программы SPI E имеет встроенные модели для следующих типов аналоговых компонентов резисторов, конденсаторов, катушек индуктивности, катушек трансформаторов с индуктивной связью, независимых и управляемых источников напряжения и тока, линий передачи с потерями и без таковых, переключателей, равномерно распределенных R линий, а также для пяти наиболее часто [c.231]

Любое цифровое устройство имеет в своем условном графическом обозначении скрытые выводы питания (V для 74хх, VDD для КМОП устройств) и земли (GND), которые автоматически соединяются между собой во время создания списка соединений. Программа моделирования использует для имен таких цепей значения по умолчанию, поэтому в случае исключительно цифрового проектирования нет необходимости задавать источники для питания компонентов. Если схема, помимо цифровых, содержит какие-либо аналоговые компоненты, соединенные с питающей шиной V или VDD (например, нагрузочный резистор), тогда нужно включить в схему соответствующие источники питания (рис. 4.39). [c.257]

Моделирование статической характеристики последователь-ио включенных резистора и туииельного диода. [c.304]

Для структурного моделирования (схема б) нелинейного упругого элемента используется нелинейный блок, а комбинации нязкого и сухого трения — схема с ограничением в цепи обратной связи, включенным последовательно с резистором на входе сумматора I. [c.318]

Достоинством машины является возможность изменения в широких пределах состава операционных блоков, а также применения ряда новых элементов (набора микроироволочных резисторов, магазинов про-ведимости). Благодаря этому обеспечиваются гибкость ири наборе задачи и большая точность моделирования операторов. [c.329]

Проведите моделирование, изменяя величину емкости конденсатора или сопротивления резистора в 2 раза в ббльшую и в меньшую стороны от первоначального значения. По результатам моделирования оцените степень изменения граничной частоты цепи. [c.354]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...