Исследование захвата заряда на ПЭС методом эффекта поля

Исследование захвата заряда на ПЭС методом эффекта поля. Наиболее полная информация о захвате носителей заряда на реальных поверхностях полупроводников накоплена к настоящему времени с помощью методики эффекта поля. Остановимся вкратце на основных идеях этого метода. [c.108]

Первые же детальные исследования захвата носителей заряда на БС реальной поверхности германия в зависимости от поверхностного потенциала методом эффекта поля показали, что кривые захвата являются плавными, не содержащими каких-либо особенностей, указывающих на присутствие дискретных энергетических уровней БС (рис.3.19). Рассчитанные из этих кривых захвата энергетические спектры БС имеют монотонный 17-образный вид — рис.6.15. Минимум плотности БС находится вблизи середины запрещенной зоны Ое. [c.199]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...