Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Полуширина линии

Совершенство кристаллической структуры исследуемых образцов оценивалось по уширению линий (ПО), (200) и (211). Микродеформация решетки и величина областей когерентного рассеяния не вычислялась, так как сплав имеет склонность к образованию мартенситной структуры, что, как известно [4, 5], значительно затрудняет разделение эффектов физического уширения и снижает надежность полученных результатов. На рис. 2 показано изменение полуширины линии (200) в зависимости от температуры отпуска.  [c.172]


Если В и Ь — полуширина линий отражения (110) и (220)а а-Ее деформированного металла, а Вд и Ьд — то же для эталона, то физическое уширение для первой ( 1) и второй ( 2) линий будет соответственно  [c.160]

При исследовании образцов с меньшей степенью деформации (е = 1 %) обнаружена тенденция к увеличению полуширины линии (311) при некотором смещении пика в сторону большей продолжительности старения.  [c.65]

При исследовании образцов с меньшей степенью деформации (е = 1%) обнаружена тенденция к увеличению полуширины линии (220) при некотором  [c.212]

Рис. 4.9. Изменение микротвердости Яц и полуширины линии (004), прокатанного на 50% монокристалла молибдена ориентации 001 < 110> при изохронном отжиге [24] Рис. 4.9. Изменение микротвердости Яц и полуширины линии (004), прокатанного на 50% монокристалла молибдена ориентации 001 < 110> при изохронном отжиге [24]
Динамический подход к вычислению формы оптических полос, развитый в десятом параграфе и опирающийся на модельный гамильтониан системы, наоборот, на количественном уровне объясняет электрон-фононную и ви-бронную структуру оптических спектров и ее зависимость от температуры. Однако пока он оставил без ответа вопрос, почему реальная БФЛ имеет полуширину на один-два порядка превышающую так называемую естественную полуширину линии, равную 1/Ti и обусловленную спонтанным испусканием света. Это происходит не потому, что динамический подход уступает в каких-то аспектах стохастическому, а потому, что мы до сих пор ограничивались рассмотрением только НТ-взаимодействия и линейного F -взаимодействия и пренебрегали квадратичным F -взаимодействием, которое и ответственно за уширение БФЛ. Рассматривая в основном ФК и колебательную структуру полос, мы игнорировали это взаимодействие потому, что его влияние на фононную и вибронную структуру реальных спектров мало и им в большинстве случаев действительно можно пренебречь. Однако квадратичное F -взаимодействие играет первостепенную роль в эффекте уширения БФЛ.  [c.135]

Сравнение формулы (19.29) динамической теории для полуширины линии и соответствующей формулы стохастической теории [81] показывает, что первая отличается от второй интегралом h (R) При диполь-дипольном характере взаимодействия между хромофором и ДУС такое различие несущественно, поскольку в этом случае интеграл является константой. Рассмотрим сначала именно такой, можно сказать канонический , случай.  [c.276]


Подставляя (19.34) в формулу (19.29) для полуширины линии, мы после вычисления интеграла по R придем к следующему выражению  [c.277]

Разброс полуширин линий. Полуширина БФЛ примесного центра 2/Т2 больше естественной полуширины 1/Ti и зависит от температуры. Она обусловлена взаимодействием с фононами и ДУС. До начала исследований линий индивидуальных молекул трудно бьшо ожидать, что их полуширина окажется разной у различных примесных центров. Тем не менее заметный разброс полуширины был найден даже для примесных центров  [c.294]

Впервые вопрос о влиянии излучения калия на суммарные радиационные потери в канале МГД-генератора рассматривался в [7, 8]. В экспериментальной работе [7] на лабораторной установке проведены измерения радиационных потоков продуктов сгорания с калиевой присадкой. Эти измерения показали, что вклад излучения присадки значителен. В [8] предпринята попытка расчета излучения калия при следующих допущениях а) резонансные линии имеют дисперсную форму, б) полуширины линий определяются главным образом процессами резонансного уширения. Однако из появившейся впоследствии работы [9] можно сделать вывод, что приведенная в [8] интерпретация экспериментальных результатов [7] ошибочна (см. ниже). Поэтому возможность экстраполяции этих результатов в область параметров промышленных МГД-установок сомнительна.  [c.225]

На рис. 104 представлено изменение полуширины линий (010) и (002) а -фазы в зависимости от температуры старения в течение 2 ч материала, закаленного с 1050° С, I ч, вода.  [c.231]

Рис. 104. Изменение полуширины линий (010) и (002) а -фазы в зависимости от температуры старения (ширина лилии в мкм) Рис. 104. Изменение полуширины линий (010) и (002) а -фазы в зависимости от температуры старения (ширина лилии в мкм)
Все источники света с атомным пучком работают под постоянной откачкой. Причем пучок работает только в течение такого времени, на которое хватает заложенного в печь вещества. Так, источник света К- В. Мейснера с изотопом кальция работал 15—20 ч при расходе 15 г кальция. В течение этого времени были получены интерферограммы колец равного наклона при разностях хода 78, 94, 108 и 130 см и была измерена полуширина линии Я=0,4226 мкм Са °. Эта полуширина составила 0,008 что не-  [c.67]

Обозначения были введены ранее а — полуширина линии, d — расстояние между линиями. Л —интегральная интенсивность в линии, у — толщина слоя газа.  [c.132]

При уширении спектральной линии за счет столкновений с атомами собственного газа полуширина линии вычисляется по формуле  [c.62]

Обсудим вопрос об единственности определения полуширины линии и газовой температуры рассмотренным методом с использованием информации, содержащейся во всех независимых точках наблюдаемого контура. На рис. 39 приведены кривые, представляющие собой разность между ординатами экспериментального контура 1э у) (кривая II на рис. 38,а) и рассчитанных контуров /p(v) при отклонении газовой температуры Ыа от оптимального значения (Гао = 460 К). Из сопоставления рис, 38,6 и 39 видно, что при отклонении Та от оптимального значения 121  [c.124]

Ширины линий и спектры излучения изучались при двух уровнях мощности. Согласно теории, из-за вынужденного излучения при более высоком уровне мощности ширина линии должна быть меньше. Полуширина линии определяется выражением  [c.78]

Фиг. 5.10. Зависимость полуширины линии усиления от интенсивности Фиг. 5.10. Зависимость полуширины линии усиления от интенсивности
Параметры а и Ь связаны с полушириной линии 6х формулами дхо — 2а(In 2) /2 и бХь — 2Ь. Обе формы линии можно рассматривать как частные случаи функции Фогта  [c.418]

Из сопоставления измерения термоэдс и полуширины рентгеновской линии (200) в зависимости от температуры отпуска следует, что при те.мпературах до 600 °С полуширина линии не изменяется, в то время как термоэдс меняется значительно. Из термодинамических соображений известно, что в этом интервале температур могут отжигаться только точечные дефекты. Изменение плотности вакансий не может существенно повлиять на ширину рентгеновских линий, но влияет на элек-  [c.172]


Результаты рентгеноструктурного анализа образцов стали 0Х18Н10Ш в процессе старения в указанных выше условиях представлены на рис. 148 в виде графиков изменения полуширины рентгеновской линии (220). Как видно из рис. 148, а, эта характеристика изменяется в зависимости от времени выдержки неравномерно. Так, старение образцов, деформированных на 5%, сопровождается увеличением полуширины линии (220) в течение первого часа (при е == 1000 мм/ч) и после 2-ч выдержки при е = 0,14 и 140 мм/ч. В образце, растянутом со скоростью 0,37 мм/ч, наблюдается некоторое увеличение полуширины линии также и в течение третьего часа выдержки.  [c.212]

Полуширина рентгеновской линии с поверхности излома, содержащего преимущественно признаки скола, в несколько раз меньше, чем полуширина линии с поверхности разрушения с преобладающими признака.ми пластичности. Высокая локализация деформации в вершине усталостной трещины была обнаружена на аналогичном сплаве в работе [7] методом трансмиссионной электронной микроскопии односторонним приготовлением фольги. Учитывая наблюдаемые детали микрорельефа (см. рис. 1, е—з) и очень малую зону пластической деформации при разрушении, можно считать, что в продвижении трещины в плоскости 111 важная роль яринадлеяшт локальному нормальному напряжению в ее вершине.  [c.150]

У In 2 Ун" - Vh— неоднородная полуширина линии), а длина среды L- J (/ — длина резонансного поглощения), то уволюция затухающей амплитуды свободной поляризации описывается формулой  [c.58]

По окончании воздействия возбуждающего импульса амплитуда наведённой резонансной макроскопич. поляризации постепенно уменьшается (см. Затухание свободной поляризации). Это уменьшение обусловлено, во-первых, действием процессов необратимой релаксации (см. Двухуровневая система), к-рые ведут к потере когерентного возбуждения отд. излучателей с характерным временем Г2 = у (Т—однородная полуширина линии). Во-вторых, оно связано с расфазировкой колебаний диполей, вызванной различием их собств. частот Эфф. скорость затухания из-за расфазировки определяется временем rj для гауссовой ф-ции распределения собств. частот ш) это время определяется как  [c.354]

S. Изменение со временем формы линии поглощения. В спектроскопии атомньгх и молекулярных ансамблей форма оптической линии флуоресценции и поглощения не зависит от времени. Форма линии обычно лоренцевская, а полушрфина этой линии равна обратному времени жизни атома в возбужденном электронном состоянии. Рассматривая в пункте 2.2 спонтанную флуоресценцию, мы убедились, что форма линии изменяется со временем. На ранних стадиях она имеет сложную форму и является довольно широкой (см. рис. 1.3), и лишь при времени, удовлетворяющем неравенству 7i 1, линия сужается, превращаясь в лоренциан с полушириной 7 = 1/Ti, т. е. приобретает привычный вид. Большая полуширина линии флуоресценции на ранних стадиях временной эволюции качественно согласуется с принципом неопределенности Гайзенберга, согласно которому, чем меньше неопределеьшость во времени, тем больше неопределенность в энергии, т. е. в частоте.  [c.35]

Второе неравенство, согласно формуле (8.12) для полуширины линии, отвечает случаю, когда в двухуровневой системе наступает насьпдение, т. е. полуширина линии начинает зависеть от интенсивности накачки. Третье неравенство отвечает случаю, когда мощ-ностное уширение линии появляется в трехуровневой системе, т е. в системе с триплетным уровнем.  [c.107]

Эти функции определяют температурный сдвиг и уширение оптической линии, отвечающей 1-1 переходу. Чем больше параметр Д, тем дальше расположены друг относительно друга линии, отвечаюшле 1-1 и 2-2 переходам. Полуширина линии, отвечающей 2-2 переходу, равна 2R. Она почти не зависит от температуры. Набор кривых на каждом из шести рисунков 4.4 отвечает трем различным значениям температуры. Из формул (9.38) следует, что при слабой электрон-туннелонной связи доминирует температурный сдвиг линии 1-1, при сильной — ее уширение. Это хорошо видно и на рис. 4.4. Уширение и сдвиг линии 1-1, согласно формуле (9.33), исчезают при р = 0. Поскольку эта константа определяет как бы скорость превращения возбуждения 1-1 в возбуждение 2-2, рассмотренный выше механизм уширения называют иногда обменным.  [c.121]

Динамический подход к СД позволяет выявить некоторые противоречия, содержащиеся в стохастической теории, но не замеченные в первых работах. Не содержащая их динамическая теория СД предсказьтает несколько иной характер зависимости однородной полуширины линии от времени.  [c.269]

Угол падения 65 преломления 65 Уда11ная полуширина линии 108 Унос массы и излучение 510 Уравнение движения в случае свободной конвекции 563  [c.611]

Разработка технологии изготовления голографических решеток и нарезных решеток с переменным шагом штрихов привела к созданию принципиально новых типов спектрометров, имеющих только один отражательный элемент — решетку. В работе [53] описан спектрометр на основе сменных тороидальных голографических решеток с плоским полем фирмы Жобен Ивон для областей спектра 10—100 и 15,5—170 нм. Эти области спектра представляют большой интерес для диагностики плазмы в токамаках, так как в его длинноволновой части 50—160 нм находятся линии примесей с низким значением г (главным образом С и О), соответствующие переходам с Ап = 0 и излучаемые с периферии плазмы, а в диапазоне 10—40 нм — линии высокоионизованных примесей со средним значением г (С1, Т1, Ре), излучаемые горячим ядром. В качестве детектора использовался приемник на основе МКП с люминофорным преобразователем и координатным съемом (разрешение 50 мкм). Решетки размерами 22x6 мм с плотностью 450 (10—100 нм) и 290 штрихов/мм (15,5—160 нм) с меридиональным и сагиттальным радиусами кривизны 919 и 102,5 мм работали под углом падения 71° и давали плоский спектр шириной 40 мм под углом к нормали 19—25°. Полуширина линии 30,4 нм составляла менее двух ячеек разрешения. На поле 40 мм приходилось всего 1000 ячеек, дисперсия составляла 0,11 нм на ячейку (для решетки с большей плотностью штрихов). Благодаря высокой светосиле спектры плазмы удавалось регистрировать примерно за 20 мс с чувствительностью 10 фот/см .с.ср.  [c.289]

По форме контура спектральной линии находят отношение лорен-цовского и допплеровского уширений. Зная это отношение и измеряемую полуширину спектральной линии, определяют полуширину линии, обусловленную чисто допплеровским уширением, а по формуле (12.7) — температуру газа. Наиболее удобная аппаратура для осуществления этого метода основана на применении эталона Фабри — Перо.  [c.421]


Примеры использования данного метода применительно к нашим условиям эксперимента представлены на рис. 40-42 (0 = 64°), из которых видно, что при е = onst полуширина линии в приповерхностных слоях значительно больше, чем в глубоких и удаленных от поверхности слоях кристалла, что также свидетельствует о наличии соответствующего градиента структурных дефектов. С ростом степени деформации разница в полуширинах интерференционных линий соответственно увеличивается (см. кривые 1-3 на рис. 41), причем наиболее резкое увеличение наблюдается именно в тонких приповерхностных слоях на псевдоупругой ста-  [c.66]

Электрооптические перестраинаемые фильтры. Практически во всех областях науки и техники в настоящее время широко используются оптические фильтры различного типа, применяемые для выделения излучения с требуемой длиной волны [90]. Первыми были разработанные в 1947 г. фильтры Либ, составленные из п двупреломляющих пластин с размерами элементов в отношения 1 2 4 8 и т. ц., которые были вырезаны из одноосных двупреломляющих кристаллов перпендикулярно оптической оси и размещены между параллельными поляризаторами. Полуширина линии пропускания на заданной % определяется формулой  [c.207]

Следовательно, кратковременная стабильность — это мера неразрешимой ширины ПОЛОСЫ выходного излучения генератора. Если за 6v(t) принять полуширину линии излучения, то вероятность того, что действительная частота генератора окажется в этом частотном интервале, равна 76% в случае гауссова и 507о в случае лоренцева статистического распределения. В предельном случае очень малых времен усреднения кратковременная стабильность есть  [c.409]


Смотреть страницы где упоминается термин Полуширина линии : [c.77]    [c.420]    [c.295]    [c.431]    [c.676]    [c.29]    [c.487]    [c.110]    [c.113]    [c.132]    [c.61]    [c.87]    [c.202]    [c.187]    [c.104]    [c.269]   
Электронные спектры и строение многоатомных молекул (1969) -- [ c.470 ]

Атмосферная оптика Т.2 (1986) -- [ c.182 , c.193 , c.216 ]



ПОИСК



Линия ударная полуширина

Линия, доплеровская полуширина

Полуширина и сдвиг линий поглощения в КВ-спектрах

Полуширина спектральной линии



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте