Наносекунда

Объем памяти современных ЭВМ в зависимости от класса ЭВМ колеблется от десятков килобайтов до единиц гигабайтов (см. табл. 1.1) при времени цикла от нескольких микросекунд до десятков и сотен наносекунд. Емкость внешней памяти, иногда называемой также массовой, достигает десятков и сотен гигабайтов при времени выборки от десятков миллисекунд до единиц секунд. [c.25]

Для наблюдения периодических и разовых быстропротекающих процессов используют электроннолучевые осциллографы. Осциллографы могут быть рассчитаны на наблюдение одного процесса (однолучевые), двух процессов (двухлучевые) и более. Примерами однолучевых осциллографов могут служить осциллографы С1-19Б — низкочастотный осциллограф, работающий в диапазоне частот 0—1 МГц, имеющий два усилителя, чувствительность 2 мВ/см, входное сопротивление 10 МОм и входную емкость 12 пФ С1-48Б — полупроводниковый малогабаритный осциллограф с аналогичными параметрами. Двухлучевой осциллограф С1-18 работает в диапазоне 0—1 МГц, чувствительность его 1 мВ/см, входное сопротивление 0,5 МОм, входная емкость 50 пФ С1-55—полупроводниковый осциллограф для диапазона 0—10 МГц с чувствительностью 10 мВ на деление, входным сопротивлением 1 МОм и входной емкостью 40 пФ. Отдельные осциллографы имеют трубки с длительным послесвечением, позволяющим наблюдать кривые процессов, протекающих в течение наносекунд. [c.171]

Пример. Ускоренное движение протона в направлении электрического поля. Пусть в течение одной наносекунды [c.119]

Все эти требования легко удовлетворяются, если голограмму записывают с помощью импульсного лазера (длительность импульса порядка 1 мс). Применение лазеров с так называемым гигантским импульсом , длительность которого составляет несколько наносекунд или десятки наносекунд, а мощность — до миллиарда киловатт, позволяет получать голограммы даже быстродвижущихся объектов. [c.40]

Начнем е единиц измерения. Основной единицей времени во всей физике, в том числе и в ядерной, является секунда. В ядерной технике часто используются очень малые доли секунды микросекунда (1 МКС = 10 с) и наносекунда (I не = 10 с). Несколько больший разнобой имеется в единицах длины. Рекомендованной в 1963 г. в качестве предпочтительной является международная система единиц СИ, в которой длина измеряется в метрах. Но в подавляющем большинстве статей, монографий и учебных пособий по ядерной физике используется система СГС с единицей длины сантиметр. После некоторых раздумий мы решили следовать этой традиции, учтя, что большинство физиков, с которыми мы обсуждали этот вопрос, считают неестественным приписывание вакууму в системе СИ диэлектрической и магнитной проницаемостей, отличных от единицы. Кроме сантиметра, в ядерной физике часто используется внесистемная единица — ферми [c.8]

Для излучения и приема ультракоротких (до единиц наносекунд) аку стических импульсов применяют наиболее широкополосные из известных, так называемые толстые пьезопреобразователи [25], Б которых толщина используемых пьезоэлементов намного больше длины волны возбуждаемых в них импульсов УЗК. В этих преобразователях отсутствуют условия для акустического резонанса и электромеханическое преобразование происходит только у излучающей (принимающей) УЗК поверхности пьезоэлемента, где существует резкий скачок поляризации или (и) возбуждающего электрического поля. [c.219]

Преобразователи эхо-импульсных толщиномеров должны иметь малую мертвую зону. Применяют раздельно-совмещенные преобразователи различных конструкций (в приборах группы Б) и совмещенные специальных типов, имеющие малую мертвую зону (в приборах групп А и Б). Особенно удобен для контроля поверхностно возбуждаемый совмещенный преобразователь, практическй не искажающий форму сигналов и позволяющий излучать и принимать импульсы длительностью в единицы наносекунд. [c.275]

Когерентное вращение. При быстром приложении к пленке магнитного поля напряженности Я, значительно превышающей Я , наблюдается однородное (когерентное) вращение спинов и вектора намагниченности в сторону переключающего поля. Этот процесс протекает в течение единиц наносекунд и является самым быстро-протекающим процессом перемагничивания. Он может быть осуществлён в однодоменных по толщине пленках, обладающих относительно низкой коэрцитивной силой Яд. [c.311]

В связи с изложенным необходимо исследовать процесс распространения волны на малом удалении от поверхности нагружения (порядка 1 мм) для получения информации о поведении материала при высоких скоростях деформации (малых временах действия нагрузки). Наиболее высокие скорости деформации имеют место на фронте пластической волны, однако изучение пластического течения в них чрезвычайно затрудняется как необходимостью регистрации с наиболее высоким разрешением по времени (порядка наносекунд), так и сложностью разделения упругих и пластических эффектов деформирования материала. Следует также напомнить о необходимости привлечения для анализа априорной модели материала и о слабой чувствительности профиля упруго-пластической волны к конкретной модели материала. [c.208]

При сверлении, так же как и при резании, свойства обрабаты-ваемого материала существенно влияют на параметры лазера, необходимые для выполнения операции. Сверление осуществляют импульсными лазерами, работающими как в режиме свободной генерации с длительностью импульсов порядка 1 мкс, так и в режиме с модулированной добротностью с длительностью в несколько десятков наносекунд. В обоих случаях происходит тепловое воздействие на материал, его плавление и испарение из зоны воздействия по модели, аналогичной процессу лазерной резки с неподвижным тепловым источником [см. формулу (103)]. [c.127]

Основываясь на тепловой модели испарения обрабатываемого материала [27, 80], можно произвести ориентировочный расчет элементарной плош,ади, испаряемой одним импульсом лазера. Пороговое значение плотности лазерного потока, необходимой для испарения пленки при облучении ее импульсами наносекунд-ной длительности, может быть определено как [c.160]

Открываются новые возможности в области упрочнения деталей машин и приборов, а также режущих инструментов. Дальнейшие успехи в этом направлении пока ограничиваются выходом из строя отдельных оптических элементов лазера зеркал, выходных окон и др. — из-за их недостаточно высокой лучевой прочности. В области повышения лучевой прочности производятся обширные исследования. Одновременно открываются новые возможности применения лазеров в технологических операциях. Повышение стабильности работы лазеров позволяет поднять на новый уровень выполнение тонких операций доводки, размерной обработки локального характера. Для этой цели, по-видимому, наиболее перспективны лазеры, работающие в импульсном режиме, длительность импульсов излучения которых не превосходит нескольких десятков наносекунд. [c.321]

Акустические наблюдения импульсной генерации типа 3 (рис. 6.1), генерируемой единичным эмиссионным центром, показывают, что при увеличении тока происходит смещение усредненного спектра шумов в более высокочастотную область, т. е. среднее число импульсных переключений тока в единицу времени с ростом тока увеличивается. Укорочение на три порядка максимального интервала между импульсными переключениями при увеличении тока с 1 нА до 10 мкА подтверждает наблюдаемое явление. В то же время при наблюдении эмиттирующей поверхности в автоэмиссионном проекторе видно, что количество эмиссионных центров в терминах автоэмиссионной картины при увеличении тока с 1 нА до 10 мкА практически не меняется. Это позволяет заключить, что с увеличением тока скорость флуктуационных процессов на поверхности катода возрастает. Возрастание скорости процесса при измерениях а аналогично эффекту увеличения что при неизменности должно приводить к уменьшению зависимости а от времени. Таким образом, наблюдаемое уменьшение разброса является результатом сдвига флуктуаций эмиссионных областей и центров в область более коротких времен за счет возрастания скорости флуктуационных процессов на поверхности катода. Увеличение тока с 1 нА до 10 мкА приводит также к росту скорости импульсного переключения эмиссионных центров с временами фронтов от 1 мс для токов 1 —ЮнА до десятков наносекунд и менее для тока 10 мкА. Предельно короткие значения фронтов не разрешены. [c.222]

Часть выработанной электрической энергии используется для зарядки накопителей энергии — конденсаторов 1. Для создания мощных магнитных полей необходима разработка конденсаторных батарей большой емкости, а также переключателей, способных пропустить большие потоки энергии за промел<уток времени, измеряемый наносекундами. [c.259]

T. e. время жизни атома в возбужденном состоянии порядка нескольких наносекунд. [c.27]

Применение ЭВМ. Большие возможности открывает использование мини-ЭВМ [11, 12, 26, 14] в составе многоканального оборудования (рис. 14). Их характеризует высокое быстродействие (цикл памяти порядка сотен наносекунд), большой объем оперативной памяти (десятки килобайт), возможность работы с внешними устройствами — телетайпом, перфоратором, ЦПМ и т. д. [c.345]

Для образования дольных единиц секунды применяются десятичные коэффициенты с соответствующими приставками миллисекунда (мс), микросекунда (мкс), наносекунда (не), пикосекунда (пс). , . [c.34]

Метод модуляции добротности [22] позволяет получать лазерную генерацию в виде коротких импульсов (длительностью от нескольких наносекунд до нескольких десятков наносекунд) с высокой пиковой мощностью (от нескольких мегаватт до нескольких десятков мегаватт). Основная идея метода состоит в следующем. Предположим, что в резонатор лазера помещен затвор. Если затвор закрыт, то генерация возникнуть не может и инверсия населенностей может достичь значения, которое намного превышает пороговое, имеющее место в отсутствие затвора. Если теперь резко открыть затвор, то усиление в лазере существенно превысит потери и накопленная энергия выделится в виде короткого и интенсивного светового импульса. Поскольку при этом происходит переключение добротности резонатора от низкого к высокому значению, то данный метод называется модуляцией добротности. [c.284]

Модуляция усиления, как и модуляция добротности, является методом, позволяющим генерировать лазерные импульсы короткой длительности (обычно от нескольких десятков до нескольких сотен наносекунд) и высокой пиковой мощности. Однако в отличие от модуляции добротности, при которой потери резко переключаются до низкого уровня, при модуляции усиления резко переключается усиление до высокого уровня. Модуляция усиления осуществляется с помощью столь короткого импульса накачки, что инверсия населенностей, а следовательно, и усиление начинают заметно превышать пороговые значения [c.303]

Рис. 5.45. Непрерывная синхронизация мод с помощью медленно насыщающегося поглотителя. Заметим, что на рисунке ие соблюдается масштаб, поскольку длительность синхронизованного импульса обычно меньше 1 пс, тогда как интервал времени между двумя последовательными импульсами Тр, т. е. время обхода резонатора, равно обычно нескольким наносекундам.

Источниками внешних аддитивных шумов могут быть любые фоновые источники, попадающие в поле зрения приемника (включая Солнце, Луну, звезды). Очень часто наиболее интенсивными шумами являются отраженное связным ретранслятором или рассеянное атмосферой солнечное излучение, попадающее в приемное устройство. Указанные источники фоновых шумов являются тепловыми [2 1, 56] и при малых значениях энергии, приходящейся на степень свободы поля, воздействующего на чувствительный элемент приемника, могут описываться распределением Пуассона. Удовлетворить условию малости энергии, приходящейся на степень свободы поля ), нетрудно, так как продолжительность от-счетного интервала (или длительность информационного сигнала) для ряда систем связи оптического диапазона составляет всего несколько наносекунд кроме того, необходимо учитывать существенные ограничения, связанные с созданием узкополосных оптических фильтров. Например, при длительности информационного сим- [c.20]

Технические возможности экспериментальной установки не обеспечивали измерение порогов пробоя при задержках второго лазерного импульса порядка единиц и десятков наносекунд, что соответствовало более высоким скоростям распространенпя УВ. Однако с учетом наблюдаемых двойных-тройных пробоев во втором лазерном импульсе можно уверенно говорить о возможности еще большего снижения порога пробол при скоростях УВ выше 10 М. [c.152]

Массив параметров (мас ивПК). Все числовые значения параметров должны быть обязательно в одной системе единиц - в вольтах, С - в пикофарадах,Л-вкилоомIX,/-в миллиамперах, / - в наносекундах. Все числа подготовляются в произвольном формате языка ФОРТРАН (в форме F, в форме и т. д.). [c.167]

Одним из важных свойств пульсаров является вековое увеличение периода их пульсаций. Например, период пульсара, находящегося внутри Крабовидной туманности, увеличивается на 36 наносекунд в день. В рамках гипотезы о вращающейся нейтронной звезде увеличение периода пульсаций объясняется постепенной диссипацией вращательной энергии пульсара. [c.614]

Нано н 10- наносекунда нсек (10 сек) [c.22]

Выпрямители нельзя полностью защитить от перенапряжений при помощи газовых разрядников, даже если их напряжение запирания существенно превышает напряжение срабатывания разрядника. Это обусловливается сравнительно продолжительным временем срабатывания разрядника — порядка нескольких микросекунд, тогда как пробой полупроводников происходит гораздо быстрее-—уже за несколько наносекунд. Для защиты кремниевых диодов от неренапряжений хорошо зарекомендовали себя ограничители напряжения на основе селена и конденсаторы. [c.221]

Из (8.49)—(8.51) следует, что для уменьшения Сд и повышения быстродействия диодов необходимо уменьшать время жизни избыточных неосновных носителей т, легируя п- и р-областн примесью, создающей эффективные рекомбинационные центры. Такой примесью является, в частности, золото, легирование которым позволяет снизить т до нескольких наносекунд. [c.232]

Дольные единицы времени строятся по десятичному принципу миллисекунда (мс), микросекунда (мкс), наносекунда (нс), пикосекунда (пс), фемтосекунда (фс). [c.137]

В последние годы начала успешно развиваться наносекундная техника. Ее появление было вызвано общей тенденцией в развитии радиоэлектроники — повышением быстродействия радиоэлектронной аппаратуры. Значительное влияние на развитие этой отрасли импульсной техники оказали, в частности, исследования в области ядерной физики, требующие отсчета очень малых промежутков времени, В современных систед1ах наносекунд-ной техники используются импульсы, крутизна фронта которых равна 10 3—10 в 1 сек, а продолжительность 10" сек. [c.382]

С самоограниченными переходами время существования инверсии всего несколько наносекунд. За это время свет проходит путь менее одного метра, и если вся длина активной среды больше такого пути, то при одновременном ее возбуждении усиливаемый сигнал к моменту окончания инверсии проходит только часть среды, остальной его путь оказывается уже в поглощающей среде. Устраняется это тем, что в системе возбуждение электрического разряда — пробой по длине активной среды — производят в разное время. Для этого создается волна пробоя, распространяющаяся вдоль активной среды со скоростью, близкой к скорости света. В случае, когда за время генерации свет проходит путь, меньший, чем расстояние между зеркалами резонатора, резонатор практически становится уже ненужным. Весь процесс генерации развивается за один проход, при этом имеет место режим сверхсветимости. [c.51]

Др. важный параметр К.— время затухания лю.мине-сценции. Так, в качестве сцинтилляторов, где необходимо хорошее временное разрегпение, примеияют К. со временем затухания в неск. наносекунд (ZnS Ag, щёлочногалоидиые кристаллы тина sl Tl, Nal Т1 [c.515]

Время Т2 оптической дефазировки зависит от температуры. Оно увеличивается при ее понижении. Но даже при температуре кипения жидкого гелия 4,2 К это время для примесных центров остается примерно на один-два порядка меньше, чем время Т. Последнее называется временем энергетической релаксации, так как определяет скорость релаксации диагональных элементов матрицы плотности, т. е. населенности возбужденного электронного уровня. Для дипольно разрешенных оптических переходов Т имеет порядок нескольких наносекунд, а Т2 — нескольких десятков пикосекунд. [c.98]

Заслуживают внимания два обстоятельства. Во-первых, кривые затухания не экспоненциальны. Во-вторых, скорость их спада зависит от длительности большой паузы Такая зависимость скорости оптической дефазировки имеет место лишь при порядка 1/Г, т.е. в несколько наносекунд или меньше, когда в эхо-сигнал вносят вклад и электронно возбужденное и невозбужденное состояния. При более длинных паузах электронное возбуждение молекулы успевает превратиться в [c.233]

Прежде чем завершить это общее рассмотрение модуляции добротности, уместно сделать два заключительных комментария. 1) Из вышеприведенного обсуждения ясно, что для осуществления модуляции добротности необходимо иметь достаточно большое время жизни верхнего лазерного состояния, чтобы инверсия населенностей могла достичь больших значений. Обычно время жизни должно быть порядка долей миллисекунды, что реализуется для переходов, запрещенных в электродиполь-ном приближении. Это имеет место для большинства кристаллических твердотельных лазеров (например, на кристаллах Nd YAG, рубина, александрита) и в некоторых газовых (в СОг- и йодном лазерах). Однако в лазерах на красителе и в некоторых газовых лазерах, имеющих важное значение (например, в Не—Ne-или аргоновом лазерах), лазерный переход является электроди-польно разрешенным и время жизни изменяется от нескольких наносекунд до десятков наносекунд. В этом случае метод модуляции добротности неэффективен, поскольку для накопления достаточно большой инверсии не хватает времени. Кроме того, если время жизни т сравнимо со временем tp, необходимым для достижения световым импульсом пикового значения, то значительная доля накопленной к моменту времени t = Q инверсии при > О будет потеряна на спонтанное излучение, а не давать вклад в вынужденное излучение. 2) Представленная на рис. 5.26 временная зависимость модуляции добротности предполагает, что затвор открывается мгновенно, как показано на этом рисунке, или по крайней мере очень быстро по сравнению с временем развития импульса tp (быстрое переключение). В случае медленного переключения могут возникать многократные импульсы (рис. 5.27). Каждый импульс образуется в тот момент времени, когда мгновенное значение усиления g[t) равно мгновенному значению потерь y t). После каждого импульса усиле- [c.286]

Излучательное время жизни Тспонт очень невелико (всего несколько наносекунд), что обусловлено большой величиной матричного элемента дипольного момента ji. Поскольку feir. как правило, значительно больше ( 100 не), наибольшее число молекул из состояния 5i будет релаксировать за счет флуоресценции. Поэтому квантовый выход флуоресценции (число испущенных за счет флуоресценции фотонов, деленное на число атомов, переведенных в состояние 5i) близок к единице. Действительно, для квантового выхода [см. (2.126)] имеем [c.391]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...