Микроскоп световой характеристики

Современные достижения в области физических исследований металлов свидетельствуют о перспективности использования не только световой, но и электронной тепловой микроскопии, когда контраст изображения обусловлен не геометрическим профилем поверхности образца, а определенными характеристиками исследуемого материала, например, работой выхода электрона при термоэлектронной или фотоэмиссии кроме того, в качестве такой характеристики может быть использован коэффициент вторичной электронной эмиссии при бомбардировке первичными электронами. Эти характеристики существенно зависят от состава, фазового состояния, ориентации и температуры изучаемого объекта, поэтому, например, эмиссионная высокотемпературная микроскопия вследствие более высокой разрешающей способности обеспечивает получение большего объема информации по сравнению со световой тепловой микроскопией. При микроструктурном изучении процессов деформирования и разрушения принципиально новые результаты могут быть получены при использовании эффекта экзоэлектронной эмиссии, позволяющего количественно характеризовать определенное энергетическое состояние локальных участков исследуемого образца, что является весьма ценным дополнением к наблюдаемым в металлографический микроскоп качественным структурным изменениям, связанным с накоплением дефектов в поверхностных слоях материала. [c.6]

Наряду со световой тепловой микроскопией интенсивно развивается аппаратурно-методическое обеспечение электронной тепловой микроскопии, в которой контраст изображения обусловлен не геометрическим профилем поверхности образца, а такими характеристиками материала, как работа выхода электронов при термоэлектронной или фотоэмиссии, коэффициент вторичной электронной эмиссии и т. д. Эти характеристики существенно зависят от состава, фазового состояния, ориентации и температуры изучаемого объекта. Высокая разрешающая способность этих методов обеспечит получение большого объема информации по сравнению с тепловой микроскопией. [c.493]

Из приборов светового сечения в СССР выпускаются приборы ПСС-2, вместо ранней модели МИС-П. Новая конструкция микроскопа имеет примерно те же технические данные, что и модель МИС-11, но обладает лучшими оптическими характеристиками, позволяющими значительно увеличить точность измерения. Прибор снабжен сменными объективами. Общее увеличение микроскопа 75 , 266 , 337 и 750 . Поле зрения прибора соответственно 3,6 1,2 0,8 0,36 мм (при измерении шероховатости поверхности с помощью оптических приборов длина участка измерения ограничивается полем зрения прибора). [c.121]

Методом РЭМ можно исследовать морфологию зерен, их размеры и внутреннее строение, выявлять формы вхождения элементов в состав материалов, их кристаллохимические и термодинамические характеристики. Разрешающая способность РЭМ равна 20—3 нм, что более чем на порядок лучше световых микроскопов, глубина резкости изображения — от 0,5 до 0,8 нм. [c.69]

РЭМ занимает про.межуточное положение между световыми микроскопами (СМ) и просвечивающими электронными микроскопами (ПЭМ). В табл. 3.2 и 3.3 приведена сравнительная характеристика ЭТИ.Х микроскопов по разрешающей способности, глубине фокуса и другим показателям. Не следует рассматривать СМ, РЭМ и ПЭМ как конкурирующие приборы. Скорее они дополняют друг друга и наиболее перспективно комплексное их использование в металловедческих исследованиях. [c.63]

Принципиально возможны два способа сте-реоЛогической реконструкции — непосредственная и статистическая. Непосредственная реконструкция методом последовательных сечений — построение пространственной. модели структуры на основании изображений ее на последовательных по глубине сечениях — шлифах в металлографическом световом микроскопе (СМ), эмиссионном (ЭМ) или растровом (РЭМ) электронном микроскопе или на репликах в просвечивающем электронном микроскопе (ПЭМ). Последовательные сечения с минимальным шагом получают строго параллельным последовательным механическим или электролитическим полированием образца. Некоторые характеристики пространственной структуры определяют непосредственно на модели, другие — на представляющем ее графе. Непосредственную реконструкцию. методом стереопар проводят в основном для поверхностей разрушения в РЭМ или ПЭМ и частиц, порошковой пробы в РЭМ, На изображениях одного и того же участка структуры, полученных с одинаковым увеличением при двух, различных углах наклона объекта относительно пучка электронов, измеряют горизонтальный параллакс (разность координат идентичных точек на двух изображениях) и на его-основе рассчитывают соответствующие высоты. [c.73]

Еще один метод наблюдения доменной структуры — растровая электронная микроскопия. Наилучшие результаты можно получить, используя ускоряющее напряжение 160—200 кВ и применяя специальную приставку. Качество изображения при этом выше, чем в обычном световом микроскопе, и можно наблюдать структуру ферромагнитных доменов, расположенных под изоляционным магнитоактивным покрытием, которое наносят в ряде случаев для улучшения магнитных характеристик, ферромагнетика. [c.176]

Для изучения процессов, протекающих при кристаллизации в паяных швах, используют экспериментальные методы металлографический анализ с применением светового и электронного микроскопов, микрорентгеноспектральный и рентгеноструктурный анализы, измерение микротвердости отдельных фаз в шве и др. Получаемые при этом данные позволяют направленно изменять составы припоев, "режимы и условия пайки с целью повышения прочностных и других характеристик паяных соединений. [c.122]

Составление и обоснование технического задания на проектирование микроскопа. В техническом задании приводятся материалы и практические соображения, необходимые для проектирования, назначения прибора кратко описываются основные физические принципы, на основании которых функционируют микроскопы указываются требования к основным оптическим узлам и системе микроскопа в целом как в отношении оптических характеристик, так и габаритов приводятся комплекты микрообъективов, окуляров, оптических принадлежностей и устройств, с помощью которых достигаются те или иные методы освещения, типы применяемых источников и приемников световой энергии. (ФЭУ, ЭОПа, фотопластинок и др.). Особое внимание уделяется взаимозаменяемости и максимальной унификации узлов, их экономичности, надежности в эксплуатации и патентоспособности. [c.368]

Современные достижения в области физических исследований металлов свидетельствуют о перспективности использования не только световой, но и электронной тепловой микроскопии, когда контраст изображения обус-словлен не геометрическим профилем поверхности образца, а определенными характеристиками материала, например работой выхода электрона при термоэлектронной эмиссии или фотоэмиссии кроме того, в качестве такой характеристики может быть использован коэффициент вторичной электронной эмиссии при бомбардировке первичными электронами. Эти характеристики существенно зависят от состава, фазового состояния, ориентации и темпера-10 туры изучаемого объекта, поэтому, например, эмиссионная высокотемпера- [c.10]

С 1960-х гг. начались исследования М. с. с применением сверхвысоковакуумной аппаратуры в условиях вакуумной гигиены, т. е. в хорошо контролируемых и поддерживаемых условиях. Появилась возможность дозированного изменения состава, темп-ры, зарядового состояния и др. параметров М. с. и прецизионного измерения этих величин, выяснена их связь с геом., в частности структурными, характеристиками поверхности. Наиб, удобны для исследования М. с. на чистых поверхностях полупроводников и др. монокристаллов, т, к. в таких М. с. наблюдаются анизотропные явления. Для изучения состава и структуры М. с. применяют зондирование поверхности электронными, нейтронными, ионными, молекулярными, рентг., световыми и позитронными пучками, автоионную, автоэлектронную, полевую и тепловую эмиссию частиц с исследуемых поверхностей, а также метод зондовой микроскопии. Большинство исследований должно проводиться в условиях сверхвысокого вакуума, что ограничивало возможности этих методов. Применение зондов-острий позволило снять эти ограничения. [c.209]

Растровый электронный. микроскоп (РЭМ) формирует изображение объекта при сканировании его поверхности электронным зондом. Это один и.з наиболее универсальных и перспективных приборов для исследования микрострук-турных характеристик мета.члов. По темпа.м развития и количеству моделей РЭМ опережает просвечивающие электронные микроскопы (ПЭМ). Число микрофотографий, выполненных на РЭМ, приблизилось к числу микрофотографий, полученных с помощью светового микроскопа (СМ), и значительно превосходит ПЭМ. По растровой электронной микроскопии имеется несколько монографий [1—5] и обзоров [б—9], елсегодно издаются труды конференций н семинаров [10—12]. [c.62]

Важнейшей характеристикой ПИНС, от которой во многом зависят защитные свойства, является толщина пленки покрытия. Толщину пленки определяют весовым методом. Кроме того, используют следующие методы для твердых (восковых, битумных) и полутвердых пленок — микрометрический метод (микрометры типа МК-0,25), толщиномеры типа ТЛКП , магнитные приборы ИТП-1 ), для тонких, прозрачных, полутвердых и масляных пленок — метод светового свечения (двойной микроскоп МИС-11) [124]. [c.88]

Одной из важнейших задач электронной микроскопии в химии, порошковой металлургии и в целом ряде других смежных областей являются исследования формы и размеров частиц тонкодисперных веществ, поскольку физические и химические свойства многих материалов часто очень сильно зависят от степени дисперсности вещества. Исследования такого рода с помощью обычного оптического микроскопа в большинстве случаев могут дать лишь весьма приближенную характеристику. Например, определение величины зерен, меньших 0,5 мк, в обычном микроскопе уже невозможно, поскольку эта величина близка к пределу разрешающей способности оптического светового микроскопа. Поэтому здесь на помощь приходит электронная микроскопия. [c.30]

В настоящее время выпускается также прибор светового сечения модели ПСС-2. Эта конструкция микроскопа имеет примерно те же технические данные, что и модель МИС-П, но обладает лучшими оптическими характеристиками, обеспечивающими более высокую точность измерения. Сменные объективы дают увеличение 75 , 266 , 337 и 750 . Поле зрения прибора соответственно 3,6 1,2 0,8 и 0,36 мм (при измерени шероховатости поверхности с помощью оптических приборов длина участков измерения ограничивается полем зрения прибора). [c.111]

Для количественной характеристики структуры сплавов, в том числе величины зерна и его формы (если зерно неравноосное), распределения частиц или включений (присутствующих фаз) по размерам, а также их объемного количества, плотности дислокаций (по ямкам травления), применяют специальные сканирующие телевизионные микроскопы (рис. 30), Для отбора полей исследования и настройки системы используется оптическое изображение микроструктуры, полученное от микрошлифа в микроскопе или эпидиаскопе, которое и проецируется на зкран телевизора (монйтора). Выходной сигнал, как результат трансформации светового поля объекта от передающей телевизионной камеры, подается на электронный детектор, который улавливает малейшие изменения этого сигнала, появляющиеся в результате сканирования снегового пятна через объектив камеры по поверхности шлифа, имеющего неоднородности структуры. [c.46]

В фотоакустической микроскопии акустические колебания генерируются вследствие термоупругого эффекта при освещении образца модулированным световым потоком (например, импульсным лазером), сфокусированным на поверхности образца. Энергия светового потока, поглощаясь в материале, порождает тепловую волну, параметры которой зависят от теплофизических характеристик объекта контроля. Тепловая волна 1д>иво-дит к появлению термоупругих колебаний, которые регистрируются, например, одним пьезоэлектрическим детектором. [c.210]

В табл. VIII.15 и VIII.16 приведены основные световые электрические характеристики и размеры некоторых ламп накаливания и газоразрядных ламп, применяемых в микроскопии. Лампы накаливания СЦ-61 и СЦ-80 обычно применяются в простых моделях микроскопов. [c.365]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...