Поглощение и отражение в магнитном поле

Поглощение и отражение в магнитном поле [c.290]

ПОГЛОЩЕНИЕ И ОТРАЖЕНИЕ В МАГНИТНОМ ПОЛЕ [c.291]

Сверхпроводник в переменном поле. До сих пор мы ограничивались рассмотрением свойств сверхпроводника в постоянном магнитном поле. Большой физический интерес, однако, имеет также вопрос о поведении сверхпроводника в переменном электромагнитном поле, или, говоря конкретнее, вопрос о специфике поглощения и отражения электромагнитного излучения, падающего на поверхность сверхпроводника. Термодинамический, равновесный подход к вопросу, на котором основывалось предыдущее изложение, в случае переменного поля непосредственно неприменим. В этих условиях оказываются чрезвычайно полезными аналитические соотношения, выведенные нами в гл. III, связывающие различные временные функции с соответствующими функциями, определенными в термодинамической технике. Предположим, что переменное поле А (как и выше, будем считать, что tp = 0) с частотой (О существует внутри бесконечного сверхпроводника. Возникающий под влиянием поля ток в сверхпроводнике, очевидно, по-прежнему связан с полем соотношением вида (37.3). Разница состоит в том, что в случае переменного поля необходимо знать компоненту Фурье Q k, ш) с отличной от нуля (О. [Ядро Q(A), которое мы определяли выше, есть, очевидно, Q(A )sQ(ft, 0).] Будем опять исходить из квантовомеханического выражения для оператора тока [c.408]

Циклотронный резонанс в полупроводниках и металлах. Циклотронная частота электронов, движущихся в кристалле, находящемся в однородном постоянном внешнем магнитном поле, может быть измерена путем исследования поглощения и отражения циркулярно поляризованной электромагнитной волны соответствующей частоты, распространяющейся вдоль магнитного поля. При совпадении частоты волны с циклотронной частотой наступает циклотронный резонанс, проявляющийся в резком усилении поглощения и отражения волны от поверхности кристалла. Этот резонанс был независимо предсказан Дорфманом [61] и Динглом [62]. [c.170]

Вентиль на смещении поля. Для получения вентиля, основанного на эффекте смещения поля, к поверхности феррита приклеивается пленка из поглощающего материала (рис. 4.21), в которой происходит поглощение отраженной волны. В этом случае феррит работает в режиме, когда //о < //рез и действительная часть магнитной проницаемости ы+ имеет достаточно большую величину. При этом происходит вытеснение из феррита поля падающей волны и концентрация в феррите поля отраженной волны. На поверхности феррита напряженность электрического поля падающей волны близка к нулю, а для отраженной волны имеет большое значение. Затухание в вентиле волн обратного направления зависит от параметров поглощающего материала. Преимуществами этого вентиля по сравнению с резонансным являются меньшие значения намагничивающего постоянного магнитного поля //о (что уменьшает габариты и массу устройства) и более широкая полоса рабочих частот, которая достигает 20. .. 25%/о. [c.89]

Взаимодействие элементарных возбуждений твердого тела с электромагнитными волнами во многих отношениях отличается от поведения твердого тела под влиянием статических электрических и магнитных полей. В качестве физических явлений вместо переноса заряда и энергии наблюдается поглощение, отражение н дисперсия падающего излучения. Эти процессы могут описываться как действие высокочастотного макроскопического поля на твердое тело или как взаимодействие между элементарными возбуждениями твердого тела и квантами электромагнитного поля — фотонами. [c.249]

В основу метода измерения положена зависимость коэффициента поглощения пучка поляризованных нейтронов ферромагнитным образцом от угла между направлением поляризации и вектором намагниченности ферромагнетика. Пучок нейтронов проходит через две железные пластинки, намагниченные до насыщения вдоль оси 0Z, перпендикулярной направлению распространения пучка ОХ. После прохождения первой (поляризующей) пластинки пучок нейтронов частично поляризуется, так как поглощение зависит от направления спина. Б более позднем варианте эксперимента использовалось отражение неполяризованного пучка от магнитного монокристаллического зеркала и достигнута большая степень поляризации. Если в пространстве между двумя пластинками существует поле Яо, перпендикулярное намагниченности и направлению пучка, то спин нейтрона, который находится в этом поле, в течение времени t повернется, прецессируя вокруг поля, на угол а = o , пропорциональный как магнитному моменту нейтрона, так и величине поля. Интенсивность пучка, проходящего через вторую (анализирующую) пластинку, будет периодической функцией поля с периодом 2л /со, по которому в принципе можно вычислить магнитный момент нейтрона. Точность описанного метода весьма невелика. [c.15]

Одно из первых определений поверхности Ферми было проведено (для меди) Пиппардом [И] на основе измерения коэффициентов отражения и поглощения микроволнового излучения (в отсутствие статического магнитного поля). Если частота со электромагнитного поля не слишком велика, то оно проникает в металл на глубину бо ( классическая глубина скин-слоя), равную 1) [c.278]

В диапазоне частот 10... 150 кГц для эффективного экранирования электромагнитного поля рекомендуется применять ферромагнитные материалы с высокой магнитной проницаемостью, большой удельной проводимостью и сравнительно большой толщиной. В диапазоне частот 150 кГц... 10 МГц применяются медь, сталь, латунь, алюминий. В этом диапазоне частот необходимо учитывать потери на отражение и поглощение, при этом максимальные потери на поглощение вносят стальные экраны, отражение — медные экраны. На частотах 10 МГц... 1 Гц [c.337]

Жидкие кристаллы весьма чувствительны (десятые доли градуса) к тe пepaтype н при этом меняют свою окраску. Подбирая различные по составу вещества, можно получить индикаторы в пределах температуры —20-f-+250 С. Они также сильно реагируют иа изменения напряженности электрического и магнитного полей, изменяя при этом свою прозрачность и другие оптические характеристики, что используется в технике. Анизотропия электропроводности жидких кристаллов связана с анизотропией их вязкости, определяющейся закономерностями в расположении молекул. Большое число световых эффектов, таких, как поворот плоскости поляризации луча, двойное лучепреломление, спектральное изменение поглощения и отражения световая память , делает их интересными и для применения в оптике. Жидкие кристаллы реагируют также и на пары различных химических веществ. При использовании жидких кристаллов в качестве световых индикаторов следует помнить, что они [c.139]

Измерение концентрации электронов и злектропроводности. Для измерения степени ионизации газа и концентрации электронов в ударной волне часто пользуются методом зондов Лэнгмюра, который обычно применяется при изучении газовых разрядов. Применяется также метод поглощения и отражения микрорадиоволн. Измеряется концентрация электронов и по свечению газа (например, интенсивность рекомбинационного свечения пропорциональна квадрату концентрации электронов). Применяются магнитные методы, в частности, основанные на эффекте вытеснения движущейся плазмой внешнего магнитного поля вытеснение зависит от электропроводности. Определив электропроводность, можно вычислить концентрацию электронов. [c.211]

ЗАКОН [Бера для разбавленных растворов поглощающего вещества в непоглощающем растворителе коэффициент поглощения света веществом зависит от свойств растворенного вещества, длины волны света и концентрации раствора Био для вращательной дисперсии в области достаточно длинных волн, удаленной от полос поглощения света веществом, угол вращения плоскости поляризации обратно пропорционален квадрату длины волны Био — Савара — Лапласа элементарная магнитная индукция в любой точке магнитного поля, создаваемого элементом проводника с проходящим по нему постоянным электрическим током, прямо пропорциональна силе тока в проводнике, абсолютной магнитной проницаемости, векторному произведению вектора-элемента длины проводника на модуль радиуса-вектора, проведенного из элемента проводника в данную точку и обратно пропорциональна кубу модуля-вектора Бойля — Мариотта при неизменных температуре и массе произведение численных значений давления на занимаемый объем идеальным газом постоянно Брюстера отраженный свет полностью линейно поляризован при угле падения, равному углу Брюстера, тангенс которого должен быть равен относительному показателю преломления отражающей свет среды Бугера — Ламберта интенсивность J плоской волны монохроматического света уменьшается по мере прохождения через поглощающую среду по экспоненциальному закону J=Joe , где Jo — интенсивность света на выходе из слоя среды толщиной / а — показатель поглощения среды, который зависит от химической природы и состояния поглощающей среды и от волны света Бунзеиа — Роско количество вещества, прореагировавшего в фотохимической реакции, пропорционально мощности излучения и времени освещения Бернулли в стационарном потоке сумма статического и динамического давлений остается постоянной ] [c.231]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...