Отражательный электронный микроскоп

Отражательные электронные микроскопы работают по принципу сканирования ( ощупывания ) исследуемой поверхности электронным лучом, имеющим развертку по двум взаимно перпендикулярным направлениям (растровые электронные микроскопы — РЭМ). Изображение в РЭМе получается на экране электронно-лучевой трубки и может быть сфотографировано. Диаметр электронного пучка не превышает 10 м (100 А), что позволяет исследовать малые участки поверхности. [c.112]

Отражательный электронный микроскоп (рис. 1,419). Применение объектов с [c.159]

В отражательном электронном микроскопе изображение формируется в отраженных образцом электронах. Распределение отраженных электронов существенно зависит от углов облучения и наблюдения, а также от материала образца. Разрешение отражательного микроскопа не выше 25—30 мкм. [c.185]

Наиболее распространен просвечивающий микроскоп, так как в отражательных электронных микроскопах при отражении электронных лучей от поверхности непрозрачного объекта, например металла, возникает значительная хроматическая аберрация и другие явления, приводящие к резкому снижению разрешающей способности микроскопа и, следовательно, к потере этого основного преимущества электронного микроскопа. [c.75]

Отражательный электронный микроскоп [c.167]

В отражательном электронном микроскопе [1] в отличие от просвечивающего пучок электронов, создаваемый осветительной системой, направляется под углом 2—4° к изучаемой поверхности, которая в свою очередь наклонена к оптической оси объектива под углом от 4 до 30° [16]. Изображение получается искаженным, так как в разных на- [c.167]

ОТРАЖАТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОСКОП (ф. 104) [c.19]

В отражательном электронном микроскопе (рис. 21) электронный пучок, падающий на образец, образует с осью объективной линзы угол О1 + 02. Объект облучается под углом 01, в то же время его поверхность обычно не перпендикулярна оси объектива, а составляет с ней угол 02- [c.19]

Предел разрешения отражательного электронного микроскопа [c.19]

ОТРАЖАТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ [c.108]

Аналогично отражательному металл-микроскопу в отражательном ЭМ используются отраженные от объекта электроны при этом хорошо выявляются неоднородности и неровности поверхности, но возникает искажение масштаба. [c.599]

При приготовлении образцов для растровой электронной микроскопии можно использовать металлографические методы, применяемые при подготовке микрошлифов для наблюдения с помощью СМ. Наибольшие различия при этом заключаются в способах травления микрошлифов. В световой металлография структура выявляется за счет разности скоростей коррозии отдельных структурных составляющих и за счет различия продуктов химического взаимодействия травителя с образцом, осаждающихся на определенных элементах структуры. Реактивы, образующие на отдельных структурных составляющих тонкие пленки, изменяющие отражательную способность образца, непригодны для РЭМ. Для образцов РЭМ используют только реактивы, образующие рельеф на поверхности микрошлифов. [c.68]

Непосредственное изучение таких поверхностей возможно лишь в отражательном, эмиссионном или растровом микроскопах, наблюдение объектов в которых может быть отнесено также к прямым методам исследования. Однако наибольшее распространение имеют электронные микроскопы просвечивающего типа, обладающие наибольшим разрешением из всех перечисленных типов, и потому для изучения структур поверхностей непрозрачных тел были разработаны и успешно применяются косвенные методы. [c.41]

В этом методе используется электронная техника для увеличения возможностей стандартного микроскопа метод описан Робертсом и Янгом [79]. Свет, прошедший через объект, проецируется на трубку фотоумножителя возникшее при этом напряжение усиливается и используется для управления яркостью вторичной катодно-лучевой трубки, которую сканируют синхронно с первой. Эта вторая трубка, таким образом, дает нормальное изображение объекта. Аналогичные устройства используются и для отражательной световой микроскопии. [c.374]

Кроме просвечивающего, существуют отражательный, эмиссионный и растровый электронные микроскопы. При применении отражательного или обратного способов излучения используется эффект отражения электронов, падающих под очень малым углом к исследуемой поверхности. [c.120]

Оптическая металлография позволяет на ранних стадиях оценить строение металла и определить его структурные составляющие, их качество, морфологию и распределение частиц, дефектность строения и природу ее появления, химическую неоднородность, размеры и ориентацию зерен и т.д., а также выявить участки для дальнейшего более глубокого исследования с привлечением тонких методов, в том числе просвечивающей электронной микроскопии (растровые, эмиссионные, отражательные), стереологии (количественная металлография, рентгеноструктурный анализ, рентгеноспектральный анализ и т.д.). Электронные микроскопы используются для решения метал- [c.484]

Покрытия, получаемые химическими способами, с помощью испарения металла в вакууме и осаждения его на покрываемой поверхности. Этот способ получил применение для получения отражательных поверхностей в светотехнической промышленности и в технике электронной микроскопии. [c.653]

Изображение конечной реплики в электронном микроскопе можно сравнить непосредственно с изображением образца, полученного в отражательном оптическом микроскопе. [c.48]

Наиболее четко карбиды могут быть выявлены с помощью электронного микроскопа отражательного типа, пользуясь которым можно избежать неопределенностей, связанных с методикой изготовления реплик, необходимых в случае применения микроскопа, использующего проходящие лучи Сайкс считает, что данные электронной микроскопии подтверждают точку зрения, связывающую межкристаллитную коррозию с обеднением границ зерен хромом [12]. [c.609]

Отражательные, в которых изображение создается электронами, отраженными от поверхности объекта. Эти микроскопы имеют принципиальную схему электронно-оптической системы, близкую к оптической. [c.75]

Основным недостатком отражательного электронного микроскопа остается низкая интенсивность изображения. В то же время этот прибор имеет следующие преимущества по сравнению с оптическим микроскопом чувствительность его к рельефу аналогична чувствительности к рельефу интерференционного и фазоконтрастного методов предел поперечного разрешения в 10 раз лучше, чем у оптического микроскопа. [c.19]

Развитие электронной оптики и электронной микроскопии привело также к созданию отражательных, эмиссионных, растровых (электронных и рентгеновских) микроскопов, имеющих большие перспективы использования в исследовании металлов созданы новые приборы и методы металлофизического исследования, использующие электронную оптику и высококачественные электропитающие устройства электронных микроскопов рентгеноспектральные микроанализаторы, рентгеновские микроскопы, электронные анализаторы (для исследования потенциала кристаллической решетки), электронные зеркала (для исследования до-ме.нной структуры ферромагнетиков) и т. д. [c.165]

Непосредственное исследование таких объектов проводят в электронографе, при съемке на отражение , в отражательном, эмиссионном и раствором электронных микроскопах. Вследствие сильного взаимодействия 5 лектронов с веществом (атомная амплитуда рассеяния электронов в среднем в 1000 раз больше, чем рентгеновых лучей) максимальная глубина проникновения электронов в образец не превышает нескольких микрон, Для фокусировки рассеянных электронов можно использовать лишь те из них, энергия которых лочти не изменяется при отражении от объекта. Это условие ограничивает допустимую глубину проникновения электронов до 10 см, что достигается применением малых углов падения электронов на объект до 2—4°. В связи с этим особое значение приобретает чистота исследуемой поверхности. Присутствие на ней даже малейших следов каких-либо загрязнений может совершенно исказить дифракционную картину или дать ложные эффекты на электронном изображении. [c.171]

Распространенными методами определения коэффициентов диффузии и проницаемости являются сорбционно-десорбционный (с применением весов Мак-Бена), интерс ренционный (по интерференции света определяется граница продвижения вещества в пленке), микроскопический (определяется фронт поляризации света под микроскопом), метод фазовой границы с применением вертикального оптиметра, сканирующей и отражательной микроскопии, электронно-зондового рентгеноспектрального микроанализа (для пленок радиационностойких полимеров) [38, с. 198, 2561. [c.119]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...