Методы получения из кристаллической фазы

МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ФАЗЫ [c.386]

Из материала, приведенного в настоящей главе, видно, что для построения границ между фазовыми областями на равновесных диаграммах состояния и исследования строения сплавов можно пользоваться измерениями многочисленных физических свойств. Выбор основного метода исследования зависит от характеристик изучаемой системы. Микроскопический и рентгеновский методы в сочетании с термическим анализом применяются для исследования очень большого круга металлических систем другие методы служат для получения дополнительной информации или иногда в очень трудных случаях заменяют стандартные методы. Однако всегда желательно сочетать по меньшей мере два метода исследования, так как один из методов может оказаться сравнительно нечувствительным к изучаемым эффектам. Так, на результаты исследования диаграмм состояния с помощью рентгеновского метода может оказать влияние необнаруженный распад в процессе закалки, что можно установить при микроскопическом исследовании сплавов. Фазы, с трудом различаемые под микроскопом, обычно легко идентифицируются с помощью рентгеновского метода благодаря разной кристаллической структуре. Выбор основного метода исследования может также определяться дефицитностью или стоимостью исследуемых материалов. [c.129]

Существует так называемый эпитаксиальный способ получения /г-л-переходов в кремниевых полупроводниках. Сущность его заключается в выращивании на поверхности специально подготовленной кремниевой пластинки моно-кристаллического слоя кремния с помощью осаждения его атомов из газовой фазы с одновременным введением в выращиваемый (эпитаксиальный) слой необходимых примесей — донорных и акцепторных. В эпитаксиальной технологии существует и такой вариант, при котором весь процесс разбит на две стадии сначала наращивается эпитаксиальный слой кремния без каких-либо добавок, после чего диффузионным методом в него вводится необходимая примесь. [c.283]

Кристаллизация может осуществляться как в целях получения кристаллической фазы из растворов и расплавов, так и в целях разделения смесей. Разделение смесей методом кристаллизации основано на обогащении или обеднении жидкой и кристаллической фаз по целевым компонентам при проведении однократной или многократной частичной кристаллизации. Рассмотрим кристаллизационное разделение растворов на примере системы, состоящей из растворителя и двух растворенных разделяемых веществ. [c.299]

Последовательное фракционирование осуществляется методом фракционной (дробной) кристаллизации, в котором каждая образующаяся фракция в свою очередь делится на две последующие фракции. Исходный раствор дает на первой ступени две фракции кристаллическую фазу и маточный раствор каждая из полученных фракций на второй ступени, в свою очередь, образует две фракции, и т.д. (рис. 23-5). [c.301]

Основным методом получения из фотоситалла изделий различной конфигурации и точных размеров является фототермохимический способ, состоящий в том, что сначала на плоскую пластинку прозрачного светочувствительного стекла накладывают фотонегатив с изображением нужного изделия, выполненный на кварцевом или другом стекле, прозрачном для ультрафиолетового излучения, которым и осуществляют засветку этой пластинки. После экспонирования под ультрафиолетовым светом в прозрачном стекле образуется невидимое или скрытое изображение, которое при нагревании до температуры, лежащей вблизи или выше температуры размягчения стекла, благодаря кристаллизации ранее облученных участков и выделению в них кристаллов метасиликата лития проявляется в видимое изображение. Дальнейшее получение в стекле сквозных отверстий или углублений основано на различии скоростей растворения в разбавленной плавиковой кислоте кристаллической и стекловидной фаз. Разность в скоростях растворения кристаллической и стекловидной фаз, или дифференциал растворимости, может для светочувствительных стекол различных составов изменяться от 5 I до 50 1. [c.485]

Получаемые с использованием различных синтетических методов продукты содержат, как правило, различные кристаллические и неупорядоченные углеродые фазы и углерод-азотные соединения с отношением К/С существенно меньшим расчетного, см. обзор [11]. К наиболее перспективным методам синтеза нитрида углерода относят пленочные технологии, химическое осаждение из парогазовой фазы. Большинство получаемых пленок аморфны, наблюдалось образование углерод-азотных кристаллитов, погруженных в стеклообразную субстанцию. Существующие затруднения в получении идеального СзК4 относят [11] за счет недостаточности сведений о тонких условиях синтеза и возможности протекания в различных реакционных средах большого числа конкурирующих процессов. Оптимизм по поводу возможного получения кристаллического СзН4 (или фаз иной стехиометрии — С К ) связан также с идентификацией устойчивых углерод-азотных кластеров малого размера [29, 30, 41, 42]. [c.69]

Наиболее распространенными методами получения пленок (j. -Si H являются плазмохимическое осаждение из парогазовой смеси SiH и Hj осаждение из газовой фазы путем термического разложения SiH и твердофазовая кристаллизация аморфного материала. Как и в случае пленок a-Si H, наиболее распространен метод плазмохимического осаждения. При этом, для увеличения доли кристаллической фазы и размера отдельных кристаллитов, существенно уменьшают объемную долю SiH в парогазовой смеси (< 5 %) и увеличивают температуру осаждения до [c.104]

В последние годы большой интерес вызывают многокомпонентные наноструктурные пленки, обладающие уникальным комплексом физико-механических свойств. Эти объекты, как правило, состоят из смеси нескольких кристаллических фаз, внедренных в аморфную матрицу. Получение изображения с индивидуального кристаллита является важной, но довольно трудной задачей. Средний размер нанокристаллитов обычно определяют или из полуширины дифракционных линий на рентгенограмме с помощью формулы Дебая—Шеррера, либо по методу темнопольных (ТП) изображений. Однако первый метод, особенно в случае наноструктур, может приводить к значительным погрешностям вследствие эффекта уширения дифракционных максимумов и их сложной формы. Это связано с вкладом целого ряда факторов, таких как суперпозиция дифракционных линий от нескольких фаз, присутствие нанокристаллитов переменного состава с различными параметрами кристаллической решетки, наличие макро- и микронапряжений. Размер нанокристаллитов, определенный по методу ТП изображений, хорошо подтверждается прямыми наблюдениями при проведении ПЭМ ВР. Однако следует помнить, что в случае наноразмерного масштаба порядка 1 нм и менее размер кристаллитов совпадает с размером светлых областей на ТП изображении, соответствующих аморфному контрасту, что не позволяет однозначно интерпретировать результаты. Размер этих областей обычно составляет 0,5...1,5 нм и зависит от величины дефокусировки. Отметим, что в литературе нет однозначного ответа на вопрос, какой материал, исходя из экспериментально полученных результатов, действительно считать аморфным. Иногда для описания аморфного состояния вещества [c.490]

Способы получения аморфного состояния могут быть отнесены к одной из следующих групп закалка из жидкого состояния (спиннингование расплава, центробежная закалка, метод выстреливания, метод молота и наковальни, вытягивание расплава в стеклянном капилляре и др.), закалка из газовой фазы (вакуумное напыление, ионно-плазменное распыление, химические реакции в газовой фазе и др.), амор-физация кристаллического тела при высокоэнергетических воздействиях (облучение частицами поверхности кристалла, лазерное облучение, воздействия ударной волной, ионная имплантация и др.), химическая или электрохимическая металлизация. [c.554]

Рентгеновский фазовый анализ, однако, успешно использовали при исследовании сложных тройных систем. Общий подход к решению таких задач заключается в медленном охлаждении сплавов различного состава из жидкого состояния до комнатной температуры и последующем получении их рентгенограмм, но которым обычно можно легко сказать, сколько (одна, две или три) фаз в исследуемом сплаве анализ рентгенограмм позволяет определить кристаллические структуры встречающихся фаз. Следует подчеркнуть, что, хотя этот метод и позволяет обнаружить по меньшей мере некоторые из фаз, образующихся в системе, он не дает результатов, отвечающих равновесному состоянию получаемые данные дают только приблизительное представление о фазовых равновесиях в исследуемой системе при комнатной температуре после специальной термической обработки и заданной скорости охлаждения. В частности, если компоненты А, В и С тройной системы А — В — С заметно отличаются друг от друга по температурам плавления, то приближение к равновесию в углу диаграммы состояния, отвечающему самому тугоплавкому металлу, характеризует состояние, зафиксированное при более высокой температуре, чем аналогичное равновесие в углу, отвечающему самому легкоплавкому металлу. Фазы, устойчивые только при высоких температурах, не обнаруживаются превращения, протекающие при более низких температурах, не фиксируются, и в результате частичного протекания превращений исследуемые сплавы при комнатной температуре могут оказаться в неравновесном состоянии. Этот метод только указывает, какие фазы могут встретиться при более тщательном исследовании сплавов и примерные интервалы сЬставов, в которых они образуются. [c.107]

В данной статье мы рассмотрим один тип двумерных систем, а именно свободно подвешенные пленки жидких кристаллов. Мы расскажем о результатах исследований природы двумерного упорядочения в них, проводившихся новыми зкспе римептальными методами. На рис. 1 показаны микрофотографии свободно подвешенных пленок, полученные в отраженном свете для двух разных жидкокристаллических фаз, одной из жидких, а другой из кристаллических смектических слоев. [c.104]

Высокочастотные керамические конденсаторные материалы (материалы типа А) отличаются очень высоким содержанием кристаллический фазы, что предопределяет основные свойства конденсаторов. Это позволяет создавать материалы с заданными свойствами. В зависимости от рецептуры керамической массы технологические процессы изготовления конденсаторов могут значительно отличаться как в части подготовки самих компонентов массы (в некоторых случаях их синтезируют спеканием из разнйх составных частей, включая окислы), так и в части методов формования и режимов обжига (иногда применяется предварительный обжиг с последующей механической обработкой деталей для получения точных размеров). Следует иметь в виду, что материалы с большой. дий ектрической проницаемостью имеют, как правило, повышенный ТК емкости (ТКЕ), который определяет температурную стабильность ем- [c.239]

Один из методов получения квазисинхронизма был предложен Бломбергеном и сотр. [4], Он заключался в изготовлении блока кристаллических пластинок толщиной в одну когерентную длину, повернутых одна относительно другой так, чтобы волна поляризации при переходе от одной пластинки к другой испытывала скачок фазы на 180° (фиг. 3.3). Экспериментальные трудности при реализации этого метода очевидны если в качестве материала использовать, например, кварц, то все пластинки должны имегь толщину точно 7 мкм и должны быть поставлены на оптический контакт. [c.79]

Этого можно достигнуть только модернизированным методом транспортных реакций или, как его назвали авторы, методом псевдозамкнутого объема [42 а, в], который сочетает в себе преимущества проточного метода пиролиза при постоянном составе газовой фазы и метода замкнутого объема по ван Аркелк> и де Буру, но исключает в отдельности недостатки этих методов. Модернизированным методом транспортных реакций, позволяющим регулировать давление в процессе осаждения вольфрама, можно получить ориентированные (практически с любой заданной текстурой) покрытия и осадки, а также осадки полг ностью монокристаллические. Эти осадки имеют высокую степень чистоты по названным примесям, а также относительно низкую микротвердость (Я = 400 ктс/мм ). Монокристаллические покрытия имеют совершенную субструктуру и блестящую поверхность. При получении толстых вольфрамовых покрытий из-за преимущественного роста отдельных граней строго цилиндрическая подложка-матрица снаружи становится шестигранной (рис. 5.12), причем на гранях отчетливо видны невооруженным глазом фигуры роста, характерные для каждой грани его монокристалла. Наряду с этим модернизированный метод транспортных реакций позволяет значительно увеличить скорости осаждения вольфрама (до 1 —1,5 мм/ч) и наносить покрытия заданной толщины. При нанесении более тонких монокри-сталлических покрытий (100—150 мкм) последние получаются гладкими и блестящими (рис. 5.13). Они имеют совершенную субструктуру и низкую микротвердость (рис. 5.14). Дефекты кристаллического строения монокристаллической подложки очень точно воспроизводятся на покрытии и при этом легко могут быть обнаружены. [c.126]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...