Эквивалентное сопротивление и эквивалентная емкость

Эквивалентное сопротивление и эквивалентная емкость [c.30]

В работе [105] описана методика измерений резонансной частоты, последовательного эквивалентного сопротивления и динамической индуктивности или емкости ЭЭС резонатора путем измерения фазового смещения между входным и выходным напряжениями П-звена. При использовании упомянутой методики исходят из предположения, что параллельная емкость Со резонатора пренебрежимо мала либо скомпенсирована параллельно подключенной индуктивностью Lp. Учитывая это предположение, можно фазовое смещение напряжений П-звена записать в виде [c.169]

Резервуары изображаются на эквивалентных схемах гидравлических подсистем емкостями, которые одним полюсом подключаются к базовому узлу, через другой полюс осуществляется взаимодействие этой емкости с трубопроводами и другими гидравлическими элементами. Трубопровод на эквивалентной схеме изображается гидравлическими сопротивлением и индуктивностью, включенными последовательно, но может быть отображен и только ветвью типа R, если пренебречь инерционностью жидкости. [c.82]

Коэффициент приведения (9-92) Е = 0,402. Эквивалентные сопротивления конденсатора с загрузкой вычисляем по формулам (9-90) и (9-91) Гэ = 4,82 Ом Хд = 266 Ом. Емкость конденсатора с загрузкой Сэ = 1/(<аХэ) = 60 пФ. Добротность Q = Хд/Гд = 55. Емкость конденсатора увеличилась при внесении загрузки менее чем в 2 раза, хотя материал загрузки имеет е = 10. [c.166]

После определения полной длины эквивалентного трубопровода с учетом всех местных сопротивлений можно найти расход воздуха в системе, состоящей из емкости, где поддерживается постоянное давление /7м, эквивалентного трубопровода И [c.271]

Для определения радиационных эффектов чаще всего использовали следующие электрические параметры последовательная резонансная частота параллельная резонансная частота эквивалентное параллельное полное сопротивление эквивалентное последовательное полное сопротивление и электростатическая параллельная емкость. [c.410]

Рие. 9. Эквивалентная электрическая схема электрода (i 5 - сопротивление электролита Сд - емкость двойного электрического слоя L -индуктивность, J , и Rj - сопротивления) и спектры импеданса для некоторых типов электродов (i — активная компонента, X — реактивная компонента, стрелками указано возрастание круговой частоты и) [c.18]

Благодаря гидравлическим коммуникациям возможно циклическое возбуждение пульсатором через цилиндр возбуждения и непосредственно через нагружающий цилиндр. В динамической модели (рис. 35, б) учтены лишь основные элементы, участвующие непосредственно в формировании процесса испытания. Протяженность магистралей, соединяющих цилиндр возбуждения с пульсатором, незначительна, а сечение их достаточно для того, чтобы пренебречь влиянием инерционных и вязких сопротивлений в них. Емкости полостей цилиндра возбуждения незначительно снижают податливость пружины связи. Сечения и длина инерционных трубопроводов таковы, что потери на емкость нагружающего цилиндра не сказываются на устанавливаемом режиме, т. е. парциальная частота определяемая массой твердых подвижных частей и эквивалентной жесткостью этой емкости, выше частоты возбуждения. [c.109]

В момент появления импульса на интегрирующей цепочке напряжение на емкости С возрастает при постоянной времени цепи заряда гС, где г — эквивалентное сопротивление зарядной цепи, равное сумме внутренних сопротивлений генератора импульсов и диода. [c.242]

Если от генератора требуется не вся мощность, а только часть ее, то увеличивают эквивалентное сопротивление контура за счет изменения коэффициента анодной связи и емкости контура. [c.130]

Теперь видно, что эквивалентная электрическая схема преобразователя должна быть составлена из двух параллельных ветвей (см. рис. 3.18). Первая из них, как и раньше, — емкость зажатого кристалла, а вторая — длинная разомкнутая на конце линия, включенная последовательно с активным сопротивлением. Величина эквивалентного сопротивления определяется выражением = [c.86]

На частотах ниже частоты механического резонанса входное сопротивление падает до активного сопротивления катушки, а на частотах выше (в диапазоне частот 150—400 Гц) достигает минимума, в основном обусловленного последовательным резонансом индуктивностью Lэ и эквивалентной емкостью С во вносимом сопротивлении. [c.133]

Измерение емкости и сопротивления мостом переменного тока для изучения свойств лакокрасочных покрытий применялось многими исследователями [7—12], однако не всегда наблюдалась надежная корреляция между величинами емкости и сопротивления и защитными свойствами. Это в значительной степени объясняется затруднениями в интерпретации полученных результатов, и прежде всего затруднениями при выборе эквивалентной электрической схемы. В первом приближении можно считать, что в начале опыта, когда пленка еще достаточно сплошная, исследуемый электрод представляет собой в основном электрический конденсатор с потерями, обкладками которого являются металл и электролит, а диэлектрической прокладкой — лакокрасочная пленка (рис. 1,6). При наличии сквозной проводимости электролита в общем случае измеряемая емкость представляет собой сумму электрической и электрохимической емкостей и эквивалентная схема может быть представлена комбинацией емкостей и сопротивлений, соединенных последовательно и параллельно (см. рис. 1, в). В случае пористого покрытия, когда система электрохимически активна, эквивалентная схема [c.109]

Какую же из эквивалентных схем следует выбрать На этот вопрос, как показали наши исследования [13], можно получить ответ, изучая частотную зависимость сопротивления и емкости окрашенного электрода в электролите эта зависимость является критерием [c.110]

Рис. I. Схема измерительной установки (а) и эквивалентные электрические схемы ячейки из окрашенного и вспомогательного электродов покрытие обладает высокими изолирующими свойствами (б), С1 — емкость, Яг — сопротивление окрашенного электрода покрытие обладает сквозной проводимостью (в) (общий случай), Сз — электрохимическая емкость на дне пор г— сопротивление электролита в порах Д — активное сопротивление

Метод механических моделей дает возможность достаточно хорошо с качественной стороны имитировать свойства полимерных материалов. Однако дифференциальные уравнения, описывающие поведение механических моделей при воздействии силового поля, в большинстве случаев получаются достаточно сложными, громоздкими, трудно решаемыми. Значительно проще получается, если механическую модель заменить эквивалентной электрической моделью. Аналоги между электрической и механической моделями могут быть разные. Можно, например, считать, что пружина в механической модели соответствует сопротивлению, а поршень — емкости (т] С). Если соединить элементы электрической цепи совершенно так же, как элементы механической модели, то разность потенциалов на концах цепи формально будет соот- [c.32]

Читатели, владеющие элементарными навыками в области электроники, знают, что возбуждение системы из параллельно соединенных катушки индуктивности L и конденсатора емкостью С приведет к тому, что в ней возникает переменный ток, угловая частота колебаний которого дается выражением = 1/VL , причем этот ток будет течь бесконечно долго. Однако как катушка индуктивности, так и конденсатор имеют омические потери, которые можно учесть, если в соответствующие эквивалентные цепи ввести активные сопротивления [c.478]

Величина эквивалентных емкостей и зависит от диэлектрической проницаемости этих слоев и их геометрических размеров. Сопротивления и определяются удельным объемным электросопротивлением слоев и их геометрическими размерами. [c.80]

Тороидальная катушка индуктивности с сердечником из ферромагнитного материала, собственной емкостью и сопротивлением обмотки которой можно пренебречь, может быть представлена в виде схемы, состоящей из последовательно соединенной индуктивности Ь с сопротивлением г , эквивалентным всем видам потерь мощности в ферромагнетике (рис. 197) для этого случая из векторной диаграммы получим [c.324]

Измерения С и б можно также выполнить методом двукратного уравновешивания, но в этом случае Сз и з должны иметь проградуированные шкалы. К зажимам присоединяют какой-либо конденсатор (без потерь) и параллельно ему включают образец. Уравновешивают мост изменением з и Сз, стремясь чтобы Сз имело возможно большее значение. Если уравновесить мост при этом условии не удается, заменяют конденсатор другим, большей емкости. Пусть при первом равновесии значения составляют Яг и Сз. Отключив образец вторично, уравновешивают мост при значении Сг (очевидно, = 0). Представив образец в виде эквивалентной параллельной схемы (С , Я и найдя полное сопротивление образца, шунтированного емкостью 4, ПО аналогии с (3-9) напишем уравнение первого равновесия моста [c.80]

У непроволочных резисторов действием поверхностного эффекта можно пренебречь, так как они имеют зернистую структуру и диаметр их зерен, как правило, гораздо меньше глубины проникновения. Для них частотные зависимости величины сопротивления в основном определяются величинами паразитной емкости и индуктивности. Для непроволочных резисторов без спиральной нарезки (низкоомных) величина сопротивления увеличивается с частотой, так как в их эквивалентной схеме нет паразитной емкости, а есть [c.125]

Выполним процедуру устранения НР в нащем примере. Для устранения емкостного НР достаточно учесть объемное сопротивление тела коллектора у транзистора, для устранения резистивных НР — паразитные емкости в узлах 2 и 5 на корпус. Тогда эквивалентная схема и ее граф с выделенным нормальным деревом принимают вид, показанный на рис. 14, а, б. М-матрица, состоящая теперь только из подматриц Мдс и Мде, показана в табл. 2. Из этого примера видно, что устранение НР путем включения дополнительных ветвей в эквивалентную схему иногда может не только не ухудшить точность анализа, а, наоборот, повлечь за собой более полное отражение свойств реальной схемы в ее математической [c.85]

Эквивалентное сопротивление можно найти, если приравнять потери в испытываемом конденсаторе , рис. 2-12,б) к потерям в эквивалентной емкости (С ,, рис. 2-12,г) и учесть, что образцовый конденсатор потерь практически не имеет. Потери в конденсаторе выражаются согласно (2-19) и (2-10) следующим образом [c.54]

Выражения (16) и (17) использовали для расчета предельных относительных ошибок и сравнения их с экспериментальными, определенными на основе исследования эквивалентной схемы (см. рис. 1), собранной из сосредоточенных элементов — сопротивлений и емкостей. [c.30]

Если порода сложена чередующимися слоями с электронной или ионной проводимостью и слоями с преобладанием диэлектрических свойств, то эквивалентная схема в направлении параллельно слоям представляет параллельное, а в направлении перпендикулярно к слоям последовательное соединение омических сопротивлений и емкостей. [c.15]

Вследствие малой выходной емкости лампы Г811 (6. .. 7 пф) можно включать несколько ламп параллельно. При этом анодный ток увеличивается пропорционально числу ламп, что эквивалентно применению лампы с большим импульсом анодного тока при не очень высоком анодном напряжении (1000 В). Сопротивление анодной- нагрузки небольшое. Это, наряду с малой выходной емкостью ламп Г811, способствует высокому КПД усилителя в диапазонах 10...15 м, где соз дать контур с большим эквивалентным сопротивлением и высоким КПД затруд нительно. От числа параллел >но включенных ламп завксит входное сопротивление усилителя. При четырех лампах оно равно. 75 Ом. [c.172]

Для получения расчетных формул предетавим образец в виде эквивалентной параллельной схемы (С ,, R ) и составим выражение для полного сопротивления образца, шунтированного емкостью С4 [c.67]

Активное сопротивление растеканию высокочастотного тока по электродам конденсатора зависит от их формы и места расположения контактов. Так как рабочий конденсатор является всегда высоковольтной и относительно слаботочной системой, то влиянием на эквивалентные параметры конденсатора можно пренебречь. Как видно из рис. 9-15, а, поверхность материала, параллельная электродам конденсатора, эквипотенциальна. Эквипотенциальность поверхности раздела диэлектрика и воздуха есть следствие принятой идеализации картины поля. В этом случае можно ввести в рассмотрение емкость воздушного зазора и комплексную емкость материала еСа, где — взаимная емкость между поверхностями диэлектрика. [c.163]

При таких условиях влияни триода связи сказывается только в увеличении эквивалентного внутреннего сопротивления усилителя до величины RisKe=Rn + Ri2-Определим характеристику передачи несимметричного нулевого двойного Т-четырехполюсника. Первичные, параллельные цепочки считаем составленными из одинаковых элементов Ri i. Вторичная цепочка составляется из сопротивления и емкости Сг. Дополняя уравнения контурных токов для схемы (фиг. 6) условием отсутствия нагрузки на выходе четырехполюсника, получаем 14=13 и [c.354]

В импульсных И. к. длительность имнульса зависит от врс.чени дрейфа электронов и постоянной времени R , где = - - y-j- , где — ёмкость И. к., в.х одиая емкость усилителя, С — паразитная ёмкость подводящих проводов, R — эквивалентное сопротивление нагрузки. Время дрейфа зависит от состава газовой смеси, приложенного нанря-жения и геометрии И. к. (рис. 3). [c.186]

D. Переменный ток встречает активное сопротивление электролита и поверхностную емкость на каждом участке поверхности, соответствующем определенной стадии построения канторова множества. Для расчета входного импеданса системы электролит—электрод предлагается эквивалентная электрическая схема модельной поверхности. Так как для природных объектов фрактальность проявляется в ограниченном диапазоне масштабов, рассматривается электрическая цепь на конечной стадии построения. На низких частотах ReZ(OJ) выходит на плато, высота которого определяется количеством стадий построения эквивалентной схемы, 1т2(ш) (OJ) i, на высоких частотах Z( o) = R ImZ( o) (ш)" . В промежуточной области частот система обладает свойством ЭПФ, при этом Z( o) =Л(/а)) Ч, при А - onst, г = I - D, D = 1п2/1па [122]. Для шероховатой поверхности раздела [c.73]

Входное сопротивление преобразователя можно определить из эквивалентной схемы, изображенной на фиг. IX.32, где —собственная емкость пьезоэлемента, R — onpoTHBjienn электрических потерь в материале пьезоэлемента, L — индуктивность, эквивалентная массе преобразователя, l — емкость, эквивалентная гибкости преобразователя, и Rs — сопротивление излучения. [c.349]

Модели многопроводных связанных полосковых линий, по существу, представляют собой эквивалентные цепочечные схемы отрезков МСПЛ. Пример одной из наиболее общих моделей приведен на рис. 1.6. Поясним обозначения элементов эквивалентной схемы Ц, — собственные и взаимные индуктивности проводников структуры is — собственные и взаимные емкости — последовательные сопротивления проводников структуры Gis — собственные и взаимные проводимости 1,5= 1, 2,. .., л, где л — количество проводников МСПЛ. [c.11]

Система с распределенными параметрами, например толстая стенка, препятствующая переносу тепла, или пневматическая импульсная линия, эквивалентна бесконечному числу последовательно включенных недетектирующих элементов. При увеличении частоты угол отставания в такой системе неограниченно возрастает, и при этом постепенно возрастает наклон амплитудно-частот-ной характеристики . Рассмотрим наиболее простой случай, когда элемент с распределенными параметрами не взаимодействует ни с предыдущим ни с последующим элементами. Это означает, что сигнал на входе в элемент фиксирован и что на выходе элемента изменения нагрузки не происходит. Подобные условия соблюдаются, если, например, на внешней стороне стенки имеется толстый слой изоляции или если объем па конце импульсной линии мал по сравнению с объемом газа в линии. Частотные характеристики для этого случая заимствованы из работы Фаррингтона [Л. 5]. Обозначения Я и С характеризуют полное сопротивление и емкость системы [c.147]

Импеданс электродной системы определяется взаимодействием всех ее компонентов между собой и с электрическим полем. Эффективные сопротивление и емкость при-электродного слоя при наличии адсорбции электродами крупных молекул, клеточных компонентов или других микрочастиц оказываются весьма чувствительными к их концентрации, а также размерам, заряду и другим свойствам. При соответствующем выборе элементов электродной системы и частоты поля можно добиться того, чтобы эквивалентные электрические параметры системы определялись главным образом приэлектродной частью иссле- [c.137]

Определение е и tg б в диапазоне частот Ю .. . Ю гц ведется с помощью мостовых схем обычно путем двукратного уравновешивания (с образцом и без него) с целью устранения влияния паразитных параметров схемы (емкостей, индуктивностей и активных проводимостей). Одна из мостовых схем этого вида содержит одинаковые безреактивные сопротивления и сменные конденсаторы Сз и Со, постоянное сопротивление и переменное сопротивление Яз (рис. 3-4). Потери в конденсаторах должны быть пренебрежимо малы. Параллельно конденсатору присоединяют образец и уравновешивают мост изменением Со и Я , стараясь иметь емкость Со минимальной. Если это не удается, заменяют конденсатор Сз другим большей емкости. Пусть первое равновесие достигнуто при значениях емкости С и сопротивления Яу Отключив образец, вторично уравновешивают мост при других значениях С" и Я1- Для получения расчетных формул представим образец в виде эквивалентной параллельной схемы (С , Я ) и составим выражение для полного сопротивления образца, шунтированного емкостью С [c.58]

Соотношение модулей токов в ветвях индуктора и полное сопротивление индуктора г , приведенное к генераторным зажимам, показано на рис. 5.18. Там же приведена кривая эквивалентного сопротивления системы / э при компенсации реактивной мощности индуктора дополнительной емкостью на генераторной стороне. Емкость Сг позволяет отделить требование настройки потребителя энергии в резонанс от требования нужного распределения мощности в загрузке. Точками КгЯа рисунке отмечены параллельный и последовательный резонансы, [c.190]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...