Интегральные пленочные схемы

Миниатюризация производится путем применения транзисторов, микромодулей, интегральных твердых схем и пленочно-гибридных схем. [c.137]

II. Оксидно-полупроводниковые конденсаторы (обозначение К53). В оксидно-полупроводниковых конденсаторах вторым электродом служит слой полупроводниковой двуокиси марганца МпОг, получаемый пиролитическим разложением раствора нитрата марганца. Конденсаторы этого типа по сравнению с электролитическими обладают повышенной надежностью, большим сроком службы и более широким интервалом рабочих температур. Основным типом таких конденсаторов являются конденсаторы с объемно-пористым анодом, спеченным из тантала, ниобия или алюминия. Для интегральных схем промышленностью выпускаются чип-конденсаторы, представляющие собой оксидно-полупроводниковые конденсаторы малых габаритных размеров, обычно в бескорпусном исполнении. В микроэлектронных пленочных схемах используются пленочные оксидно-полупроводниковые конденсаторы, в которых на напыленный тантал после анодного окисления реактивным напылением наносится слой двуокиси марганца. [c.262]

ММ — микроминиатюрное исполнение пленочные гибридные (интегральные), пленочные и твердые схемы для элементов трактов ВЧ и антенн обязательно использование методов мини- и микроминиатюризации. [c.12]

Интегральные пленочные микросхемы (или просто пленочные микросхемы) — микросхемы, в которых все входящие в схему элементы выполнены методами пленочной технологии на поверхности общего диэлектрического основания. [c.669]

К микросхемам относятся функциональные узлы или комплексы элементов схемы с высокой эквивалентной плотностью монтажа (интегральные, пленочные, гибридные микросхемы и микросборки). [c.207]

Микроэлектроника имеет два направления интегральные пленочные микросхемы на пассивной подложке (пленочные микросхемы) и интегральные полупроводниковые микросхемы на активной подложке ( твердые схемы). Выбор направления для каждого случая определяется конкретными техническими заданиями. [c.148]

Материалы контактных площадок и пленочных проводников должны обладать высокой адгезией к диэлектрической подложке или кремнию и окиси кремния, металлургической совместимостью с материалами, применяемыми для монтажа интегральных и гибридных интегральных схем. [c.445]

Образование контактов в интегральных схемах. Многие технологические процессы лазерная подгонка сопротивлений [22, 177], пленочных конденсаторов, кварцевых резонаторов [80], фигурная обработка поверхности различных материалов и др. [c.173]

Методом испарения в вакууме или катодным распылением в инертном газе создают резистивные пленки из материала на основе твердого раствора дисилицидов титана и хрома. Изготовленные из них высокоомные и низкоомные пленочные резисторы интегральных схем имеют линейную зависимость электросопротивления от температуры в диапазоне 400 - 4,2 К и удельную мощность рассеяния до 2 кВт/см против 0,2 кВт/см для других известных материалов. [c.205]

Развитие микроэлектроники требует решения задач, связанных с разработкой новых материалов, например, для изготовления пассивных элементов интегральных схем. Одним из элементов гибридно-пленочных интегральных схем является резистивная пленочная нагрузка, к которой предъявляются определенные требования в зависимости от функционального назначения микросхемы и условий эксплуатации. [c.170]

Диапазон удельных поверхностных сопротивлений пленочных резисторов, задаваемый разработчиками интегральных схем, достаточно широк от нескольких десятков Ом/П до нескольких десятков кОм/П. [c.170]

Электроизоляционные неорганические пленки применяются не только как диэлектрик пленочных конденсаторов, но и как разделительная изоляция в пленочных активных приборах, например в планарных триодах, и изоляция соединений элементов в интегральных схемах. В активных приборах изоляция должна обеспечивать малые токи утечки и низкий tg б в криогенных приборах, кроме того, необходимо сохранение этих свойств в широком интервале температур от комнатной до температуры жидкого гелия. Изоляция соединений должна обладать малой емкостью с тем, чтобы уменьшить паразитные емкости. Во всех [c.262]

Задачи, возникающие при конструировании полупроводниковых интегральных схем, оказываются более сложными, чем в пленочных микросхемах. [c.171]

Все интегральные схемы по виду технологического исполнения подразделяют на две основные группы полупроводниковые и пленочные. Последние в зависимости от толщины пленок делят на толсто- [c.145]

Автоматизация конструкторского проектирования гибридных интегральных схем и микросборок. Конструктивно-технологические особенности ГИС, пленочных коммутационных плат и подобных конструктивов микроэлектроники следующие 1) повышенная функциональная сложность ГИС и микросборок 2) тесная взаимосвязь конструкторского проектирования с технологией изготовления ГИС и микросборок [c.192]

Конструирование контактов полупроводник—металл. При создании контактов полупроводник — металл могут возникнуть два вида контактов — выпрямляющий и омический. Выпрямляющий контакт имеет на границе раздела потен- циальный запорный барьер, обедненный носителями заряда. Омический контакт имеет на границе раздела слой с высокой концентрацией основных носителей тока. Свойства выпрямляющих контактов полупроводник — металл широко используются в тонкопленочных структурах для создания пленочных диодов и транзисторов. Омический контакт применяется в диодах, транзисторах, интегральных схемах и др. Этот контакт имеет малое сопротивление электрический ток пропорционален напряжению, не искажает форму передаваемого сигнала и не создает в цепи электрических шумов. Конструкции соединений полупроводник — металл в основном имеют торцовое соединение. Наиболее характерные конструкции соединений полупроводник — металл приведены на рис. 5. Металлы или сплавы, используемые для создания омического контакта, должны отвечать следующим требованиям [c.232]

Тонкие ЭНП получили широкое применение в современной радиоэлектронике в качестве диэлектрика в электрических конденсаторах, разделительной изоляции и защитных покрытий в полупроводниковых приборах, разделительной и конденсаторной изоляции в интегральных и пленочных схемах, а также в различных технологических процессах изготовления приборов, например масок при травлении и напылении и источников диффузанта при диффузионном легировании. Оксидные пленки, получаемые электрохимическим окислением, применяются и в качестве изоляции обмоточных алюминиевых проводов и лент. [c.261]

Полная номенклатура, принципиальные схемы, электрические и эксплуатационные параметры типовых и широкоприменяемых гибридных пленочных схем, выпускаемых отечественной электронной промышленностью, приводятся в официальных справочниках по интегральным микросхемам. [c.691]

Одним из путей автоматизации сборки полупроводниковых приборов и интегральных микросхем является использование ленты-носителя, служащей не только транспортирующим элементом, но и основой конструк[1ин прибора. Примером ис-нользования такой схемы может служить автоматизированная линия Рис. 10.48. Схема. микросварки при (Р С- 50-49. а—з), где применение изготовлении пленочных микро- коваровой ленты С частичным по- [c.382]

Алюминий позволяет получить адгезию к ситалловым подложкам порядка 1,5-10 —2,0-10 Па. Все металлы, у которых температура плавления Тпл больше 1400 °С, а также магний и алюминий, обладают хорошей адгезией к кремнию, причем эти металлы, за исключением платины и палладия, обладают также хорошей адгезией к 5Ю2. Алюминий, кроме того, активно раскисляет поверхность кремния и хорошо травится. Он позволяет в первом приближении решить всю проблему коммутации интегральных и гибридных интегральных схем — создание омических контактов, пленочных проводников, внешних выводов (алюминиевая проволока, присоединяемая термокомпрессией). [c.446]

Непроволочные резистивные материалы разделяют на пленочные металлические, пленочные на основе оксидов, силицидов, карбидов н неметаллические — углеродистые, Пленач1ше резистивные материалы используют в микроэлектронике, в микросхемах, интегральных схемах и других устройствах. Непроволочные резисторы широко применяют в автоматике, измерительной и вычислительной технике, в раз личннх областях электротехники. Свойства некоторых пленочных и углеродистых резистивных материалов приведены в табл. 21 и 22. [c.527]

Материал Х27К50ТМ, разработанный на основе твердого раствора дисилицидов титана и хрома, предназначен для изготовления резистивных пленочных элементов интегральных схем методом испарения в вакууме либо катодного распыления в среде инертных газов. Сплав обладает рядом уникальных свойств позволяет перекрыть широкий диапазон удельных сопротивлений при низких ТКС пленочные элементы на его основе имеют линейную зависимость сопротивления от температуры в диапазоне 400—4,2 К допускают удельную мощность рассеяния до 2кВт/см , что на порядок выше удельной мощности, допустимой для других известных материалов. Свойства пленочных элементов из сплава Х27К50ТМ приведены в табл. 52. [c.170]

Применение в конструкциях РЭА полупроводниковых приборов, пленочных интегральных микросхем, больших Интегральных микросхем, проведение широкой унифика- чции и стандартизации, внедрение машинных методов V т1роектирования создает возможность и необходимость " глубокой формализации структуры конструкций РЭА, включая и топологию плоских печатных схем. [c.17]

Для ряда интегральных схем уже сейчас достигнут уровень свыше 1000 элементов. Развитие больших интегральных схем будет происходить как в области полупроводниковых интегральных схем, так и в области гибридно-пленочных. Причем наибольшие возможности создания БИС ожидаются при применении обеих технологий. Так, если вместо обычной многослойной печатной платы использовать многослойную пленочную подложку, в которой методами напыления получены несколько слоев проводников, а в качестве навесных элементов использовать полупроводниковые СИС или БИС, то можно создать единую конструкцию целого блока в микроэлектронном исполнении. Подобные разработки уже сейчас применяют при создании электронноклавишных цифровых машин, где практически вся электронная часть изделия выполняется на одной подложке. [c.226]

Интегрально-оптические фокусирующие системы, формирующие фазовый фронт оптических пучков, являются одним из наиболее важных элементов оптических интегральных схем, например в интегральных акустооптических анализаторах спектра. Простейшие планарные пленочные линзы представляют собой волноводную пленку со сферическим контуром, нанесенную на пленочный волновод (рис. 8.2, а, б). Так как фазовый фронт пучка в такой линзе изменяется за счет формы внешнего контура, а фазовая скорость в пределах контура остается неизменной, то данный тип линзы является наиболее близким аналогом объемной линзы. Такие пленочные линзы обладают всеми видами оптических аберраций. Наибольшее влияние на их разрешающую способность оказывают сферические аберрации и кома. В планарных линзах Люнеберга (рис. [c.148]

В цитированном обзоре М. Ф. Стельмаха и его коллег особо подчеркивается научная значимость и экономическая эффективность существующих методов лазерной обработки тонкопленочных материалов. Для развития современной микроэлектронной техники они имеют первостепенное значение. Мы не будем останавливаться подробно на этих сугубо специальных технологических проблемах, трудно доступных неподготовленному читателю, и только перечислим некоторые из них подгонка пленочных резисторов гибридных интегральных схем, подгонка частоты вакуумированных кварцевых резонаторов, нарезка и подгонка в номиналах прёцйзибнных металлопленочных резисторов дискретного тйПа, ретущь фотошаблонов, получение тонкопленочных рисунков и структур. В большинстве этих случаев используется способность лазерного луча испарять в необходимых участках тонкопленочные покрытия на прозрачных материалах. [c.51]

Применяютсн для защиты и герметизации полупроводниковых приборов, интегральных схем, в качестве защитного покрытия световодов в оптико-волоконной технике, в медицине для изготовления мембран, клапанов — марк.1 159-167 для склеивания изделий из неорганического стекла, металлов, керамики и т. д., для образования пленочного покрытия на кровеносных сосудах в целях уменьшения тромбообразования на поверхностях, контактирующих с кровью—марка 159-26. [c.131]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...