Влияние интенсивности светового излучения

ВЛИЯНИЕ ИНТЕНСИВНОСТИ СВЕТОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ [c.92]

Из зависимостей, установленных для влияния спектрального состава светового излучения, интенсивности светового излучения, температуры и влаги на стойкость блеска покрытий (глава И1) вытекает, что скорость изменения блеска V может быть представлена следующим образом [18, 108] [c.177]

СЫ, связанные с аберрациями, таким образом, чтобы они были достаточно понятны как аспиранту-физику, так и радиоинженеру. Поэтому в гл. 1 и 2 в общих чертах описана роль функций Грина в математической физике и показаны существенные различия между пространственными и временными фильтрами. В гл. 3 кратко излагаются фундаментальные соотношения параксиальной оптики с использованием компактной и эффективной матричной записи операторов перемещения и преломления. В гл. 4—6 описано влияние различных аберрационных членов на процесс формирования изображения с точки зрения и физической, и геометрической оптики. Содержание перечисленных глав более точно отражалось бы названием Теория связи и формирование оптического изображения . Но в дальнейшем было решено включить в книгу статистическое описание картин, которые часто служат объектами для оптических приборов, и самого светового излучения в скалярной и векторной формах. Строго говоря, книга представляет собой введение в классическую статистическую оптику. Предмет квантовой статистической оптики, находящейся в процессе интенсивной разработки, требует, как мне кажется, совершенно отдельного изложения в более сложной и более современной форме, чем та, которая дается здесь. Но можно думать, что студент будет лучше подготовлен к освоению квантовой оптики, если предварительно овладеет математическими методами более простой классической статистической оптики. [c.12]

При работе с гелий-неоновыми лазерами часто сталкиваются с проблемой, которая заключается в небольшой модуляции звуковыми частотами измеряемой интенсивности выходного светового потока. В системах связи, где требуется постоянная амплитуда сигнала несущей частоты (особенно при малой глубине модуляции), присутствие неконтролируемой изменяющейся во времени модуляции звуковыми частотами нежелательно. Такого рода помехи можно отнести за счет взаимного влияния на коэффициент усиления спектральных линий, которые одновременно присутствуют в излучении. Например, изменяя скорость возбуждения лазера, можно добиться, чтобы наряду с линией 633 нм генерировала линия 640 нм. Если измерять выходное излучение лазера при помощи фотоприемника, усилителя звуковых частот и громкоговорителя, то обнаружим, что звук сильнее всего как эаз в тот момент, когда дополнительная спектральная линия достигает порога генерации. Очевидно, что если источник питания лазера отрегулирован недостаточно хорошо, то периодически будет изменяться сила звука и звук даже может включаться и выключаться при пульсациях тока в источнике питания. Этот вид помех существенно связан с микрофонным эффектом, поскольку порог лазерного действия зависит от ориентации зеркал. [c.475]

Основным недостатком метода является влияние размеров частиц на интенсивность рассеянного света, что значительно затрудняет расшифровку нефелометрических данных. Нефелометрические приборы обычно измеряют отношение рассеянного светового потока к падающему или к световому потоку, рассеянному эталонной средой. В качестве приемников излучения используются фотоэлектрические преобразователи, установленные под углом 90° к направлению распространения падающего светового потока. [c.100]

Так как М. ф. может быть только при высоких интенсивностях падающего излучения, то его наблюдение в чистом виде возможно лишь при специально выбранных условиях эксперимента, исключающих влияние маскирующих факторов. Основным таким фактором, напр. в случае многофотонной фотоэмиссии, является термоэлектронная эмиссия, обусловленная нагревом вещества под действием интенсивного светового излучения. На рис. 2 перегиб в зависимости фототока от интенсивности излучения объясняется тем, что осн. вклад при / < 1 МВт/см даёт фототок трёхфотонной эмиссии, а при / > 1 МВт/см — термоэмиссионный ток. [c.168]

Допустим, что система электронных уровней возбуждается интенсивным световым потоком ак (радиация накачки) в канале /- 3. В этом случае куц кт и, следовательно, влияние теплового излучения можно не учитывать. Кроме того, будем считать, что Рз2 Рз1 и 31 Р21- Первое из этих допущений определяет метаста-бпльность (долгоживучесть) уровня 2. С учетом данных предположений формулы (35.22) становятся проще [c.276]

Если облучения катода нет, то и ток между катодом и анодом отсутствует. При наличии облучения возникает электрический ток, сила которого зависит от разности потенциалов, интенсивности светового потока, материала катода и частоты света. Ясно, что существование тока обеспечивается движением отрицательных зарядов, которые покидают поверхность катода под влиянием облучения. Однако природа носителей зарядов не была известна до 1900 г., когда Ленард доказал, что падающее на каюд ульграфиолето-вое излучение выбивает из материала катода электроны. [c.18]

В качестве количественной меры степени влияния электрическога поля на выполнение брэгговских условий естественным представляется рассматривать величину А о.в которая вызывает указанное-двухкратное ослабление интенсивности продифрагировавшего излучения. В приближении не слишком больших углов скреш ивания световых пучков в объеме кристалла на основании представленного выше рассмотрения удается сформулировать следуюш,ее правило приложение к кристаллу электрического поля Afo.e Должно обеспечивать дополнительную фазовую задержку между световыми волнами и S на выходе кристалла, равную я. Справедливость его следует из проведенного выше рассмотрения при учете того факта, что деформация поверхности волновых векторов кристалла под действием поля Eq непосредственным образом связана с дополнитель- [c.243]

Однако и такая характеристика несколько неопределенна отклик фотоматериала может выражаться в виде изменения глубины модуляции, почернения (изменение контраста), изменения глубины фазового рельефа, изменения глубины модуляции показателя преломления и т. п. Влияние ограничения разрешающей способности фотоматериала на голограмму во всех этих случаях будет различным. В таких условиях единственно правильный способ учета разрешающей способности заключается в том, чтобы установить зависимость наиболее важных параметров решаемой задачи от пространственной частоты регистрируемого распределения интенсивности. В голографии стремятся к повышению яркости восстановленного изображения, поэтому одной из основных характеристик является дифракционная эффективность голограммы, под которой понимается отношение светового потока, идущего в полезное изображение, ко всему потоку излучения, падаюн1его на голограмму. [c.72]

Новый, голографический принцип может быть применен во всех случаях, когда имеется достаточно интенсивный источник когерентного монохроматического излучения, позволяющий получить расходящуюся дифракционную картину при относительно сильном когерентном фоне. В то время как его применение в электронной микроскопии, по-видимому, позволит достичь разрешения, не доступного для обычных электронных микроскопов, вероятно, все же более заманчивы перспективы применения нового метода в области световой оптики, где открывается возможность регистрации на одной фотографии информации о трехмерных объектах. В процессе восстановления можно сфокусировать последовательно одну плоскость за другой так, как будто сам предмет расположен в исходном положении, хотя искажения, обусловленные влиянием различных частей предмета, не лежащих в резко фокусируемой плоскости, при когерентном освещении больще, чем при некогерентном. Вполне возможно, что в световой оптике, где допустимо расщепление пучков, будут найдены такие методы использования когерентного фона, которые позволят улучшить разделение предмета по глубине, а также подавить влияние сопряженной волны более эффективно, нежели это было сделано в исследованных здесь простейших схемах. [c.269]

В 80-е годы получил распространение термолюминесцентный датчик с волоконно-оптической линией связи, в котором сигнал о температуре чувствительного элемента переносится к регистрируюш ему прибору световым потоком. Например, измеряется длительность послесвечения небольшого активного элемента из стекла с неодимом, возбуждаемого ИК излучением мош,ного светодиода [1.29]. В другом датчике измеряется отношение интенсивностей люминесценции двух участков спектра элемента из оксисульфида европия или лантана при его возбуждении ультрафиолетовым излучением [1.30]. В этих случаях влияние электрических помех полностью исключено, поскольку отсутствует гальваническая связь между чувствительным элементом и реги-стрируюш им прибором. С помош ью таких термометров были получены некоторые важные результаты, касаюш иеся термостабилизации подложек в плазмохимическом реакторе [1.31], теплопереноса на границе [c.14]

Сила свечения С.с. обладает максимумом, пределы которого зависят от интенсивности, активности падающей радиации и продолжительности ее воздействия. Различные С. с. неодинаково реагируют на различные лучи одни хорошо возбуждаются от действия дневного света, другие от искусственного особенно яркое свечение у большинства составов вызывают ультрафиолетовые лучи. Нек-рые составы чувствительны кроме того к катодным, Х-лучам или радиоактивным излучениям. Свойства С. с. при данном основании зависят от типа и количества добавок, а также от метода приготовления, что учитывается при подборе рецептуры для определенного назначения. Продолжительность инсоляции различных С. с. при данном источнике света различна у некоторых возбуждение достутает максимума почти мгновенно, другие требуют нескольких ск. Если состав нанесен на поверхность, то продолжительность инсоляции зависит также от толщины и шероховатости поверхности слоя С. с. Период свечения у различных составов весьма разнообразен. С.с., перенесенный внезапно в темноту, сначала светится очень ярко, затем сила свечения резко падает, а потом постепенно уменьшается до полного загасания оно наступает у некоторых составов через значительный промежуток времени, измеряемый десятками часов. Нормально у хороших С. с. достаточно яркое свечение при Г15° продолл ается 1—2 ч. После угасания С. с., выставленный на свет, опять заряжается на тот же период времени. Все С. с., свечение к-рых продолжается ограниченное время, т. е. требующие периодич. зарядки, называются С. с. временного действия. Если же состав может возбуждаться от радиоактивных излучений и в него введено радиоактивное вещество в виде механич. примеси, то благодаря постоянному воздействию лучей состав светится беспрерывно, не требуя предварительной зарядки. Время свечения такого состава измеряется годами оно зависит только от периода жизни радиоактивного вещества и от разрушения основания под действием постоянной радиации. Такие С. с. называются радиоактивными, или постоянного действия. Инфракрасные лучи или подогревание оказывают влияние на свечение С. с., изменяя интенсивность (поглощенная световая энергия начинает излучаться быстрее), и поэтому С. с. светит более короткое время, но яр е когда свечение С. с. почти незаметно для глаз, при подогревании оно вспыхивает вновь за счет выделения остатка световой энергии вторичное подогревание уже не дает свечения и требуется новая зарядка. В других случаях длинноволновые лучи тушат фосфоресценцию без ускорения высвечивания. [c.176]

Влияние эффекта самофокусировки света. Процесс генерации сверхмощных световых импульсов может сопровождаться дополнительными нелниейно-оптическими эффектами н, в частности, эффектом самофокусировки света. Экспернмеитально обнаружено изменение временной структуры сверхкоротких световых импульсов в неодимовых лазерах, которое может быть объяснено влиянием самофокусировки излучения в активном элементе (см., напрнмер, 1127]). Обратимся в связи с этим к рис 3.53. Кривая 1 описывает форму светового импульса, которую он имел бы в отсутствие самофокусировки. Прямая АА фиксирует уровень мощности, отвечающий порогу эффекта самофокусировки. Когда мощность импульса в процессе его генерации достигает этого порога, проявляется самофокусировка излучения, вследствие чего возрастают потерн — световой пучок начинает рассеиваться через боковую поверхность активного элемента (см. правую часть рисунка). Указанные потери максимальны для наиболее интенсивной части светового импульса в результате образуется провал в той части импульса, которая должна была соответствовать максимуму его интенсивности. Поэтому реализуемая форма светового импульса описывается не кривой 1, а кривой 2 (см. рисунок). [c.385]

Для получения сверхкоротких мощных лазерных импульсов применяются затворы в виде кювет, наполненных р-ром спец. красителей, быстро (и обратимо) просветляющихся (выцветающих) под влиянием излучения активной среды. Такой затвор, помещённый в резонатор Л., нарушает обратную связь. Импульс возбуждения вызывает накопление энергии в активной среде и возникновение сверхлюминесценции. Интенсивность хаотич. импульсов сверхлюминесценции быстро возрастает. Когда один из них окажется достаточно мощным, чтобы вызвать просветление затвора, возникает лавинообразное развитие генерации. При этом фазы генерации всех мод резонатора оказываются взаимно связанными так, что все генерируемые волны складываются, образуя сверхкороткий импульс, длительность к-рого может составлять всего единицы и даже доли не. Энергия, забираемая таким импульсом из активной среды, обычно составляет лишь малую долю запасённой в среде энергии, поэтому первый импульс, отразившись от зеркал резонатора, многократно пробегает между ними, образуя последовательность сверхкоротких импульсов, следующих один за другим через время, определяемое размерами резонатора (временем двойного пробега светового импульса между зеркалами). Применяя дополнит, устройства, удаётся выделить один из сверхкоротких импульсов. [c.340]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...