Ток насыщения коллекторны

На рис. 6.4 показаны результаты измерений эквивалентного тока насыщенного диода /экв для коллекторной цепи транзистора при разомкнутой цепи эмиттера (т. е. [c.123]

При размыкании транзистора-ключа в результате скачкообразного изменения полярности управляющего сигнала в момент времени начинается процесс рассасывания избыточных носителей заряда в области базы транзистора, при этом коллекторный ток к практически сохраняется равным момент времени /4 процесс рассасывания оканчивается, транзистор выходит из режима насыщения, коллекторный ток спадает [c.190]

При /б = 0 по нагрузке протекает неуправляемый ток коллектора /к.о. и, как видно из уравнения (70), почти все напряжение ИП приложено к транзистору 7к /и,п- Такой режим называют состоянием отсечки (точка 1). При достаточно большом токе базы (точка 5) напряжение от ИП почти целиком приложено к нагрузке, и, следовательно, согласно уравнению (70) ток, главным образом, зависит от напряжения [/и.п и сопротивления нагрузки. Транзистор находится в состоянии насыщения и теряет управляемость, поскольку увеличение тока базы практически не повыщает ток в коллекторной цепи. [c.58]

При изменении тока базы от нуля до величины, соответствующей насыщению, рабочая точка перемещается по линии нагрузки от точки 1 до точки 5 такое состояние транзистора называют активным. При этом ток нагрузки мало зависит от сопротивления и напряжения ИП, а определяется в основном током базы, причем приращение тока в коллекторной цепи Д/к пропорционально току базы Д/к = р/б, где р — коэффициент усиления по току, обычно равный 10... 100. [c.58]

Рассмотрим работу инвертора. Предположим, что в некоторый момент времени открыт транзистор Т . Тогда напряжение питания, приложенное к половине коллекторной обмотки создает на ней и других обмотках э. д. с. При этом э. д. с. базовой обмотки создает отрицательное напряжение по отнощению к эмиттеру, а э. д. с. обмотки ]Х 2 в этот момент создает положительное напряжение по отношению к эмиттеру и он закрыт. Э. д. с., возникающая в обмотке, и. Транзистор будет открыт до тех пор, пока магнитный поток в сердечнике трансформатора не достигнет величины насыщения. Так как в этот момент скорость изменения магнитного потока становится равной нулю, то э. д. с. во всех обмотках трансформатора также станет равной нулю. Резкое уменьшение токов в обмотках вызывает появление в них э. д. с. обратной полярности. Происходит быстрое закрывание транзистора и открывание Т2- При этом в выходных обмотках трансформатора наводится переменная э. д. с., которая после выпрямления подается на генератор импульсов и задающий потенциометр. [c.273]

Рассмотренные схемные модели получены в одномерном приближении и не учитывают многих эффектов, свойственных интегральным транзисторам. Для современных интегральных транзисторов характерна асимметричная структура. Транзисторы этого типа обладают следующими свойствами неоднородной областью базы (наличие градиента концентрации примесей в ней) вытеснением инжекции к периферии эмиттера пренебрежимо малым инверсным коэффициентом усиления существенно разной площадью эмиттерного и коллекторного переходов влиянием подложки на процессы в транзисторе работают при высоких уровнях инжекции, т. е. необходимо учитывать диффузию и дрейф носителей в базе. На рис. 6.5 показана схема протекания токов в интегральном п-р-я-тран-зисторе. Процессы носят выраженный двумерный характер. Отмеченные особенности приводят к появлению следующих эффектов, которые не учитывались в предыдущих моделях уменьшению коэффициента В с увеличением уровня инжекции зависимости коэффициента В от тока коллектора накоплению заряда в коллекторе при прямом смещении коллекторного перехода (фактор очень важен при моделировании режима насыщения транзистора) уменьшению Тэ и увеличению Тк при увеличении тока коллектора изменению крутизны статических вольт-амперных характеристик транзистора в режимах высоких уровней инжекции, т. е. при больших токах коллектора. Подходы к получению модели интегрального транзистора разработка оригинальных моделей, отражающих свойства интегрального транзистора модификация описанных выше схемных моделей. [c.136]

Этот ток намагничивает дроссель и через некоторый промежуток-времени приведет к насыщению магнитопровода. При этом ток в цепи дросселя it резко возрастает, ток базы гв уменьшится — транзистор VT1 перейдет в активный режим — напряжение на коллекторно обмотке, а следовательно, и на обмотке обратной связи уменьшится,— процесс развивается лавинообразно и в результате транзистор VTf разомкнется, VT2 —замкнется, полярность напряжения на обмотках трансформатора изменяется (знаки указаны в скобках), процесс намагничивания дросселя L начинается в противоположном направлении.- [c.207]

В трансформаторе создается нарастающий магнитный поток Ф, что приводит к появлению э. д. с. на зажимах первичной и вторичной обмоток трансформатора силовой цепи и на обмотке обратной связи Шос. Обмотка обратной связи включена таким образом, что полярность напряжения на ее зажимах способствует обеспечению режима насыщения транзистора УТ (положительная обратная связь). Процесс развивается лавинообразно. Транзистор УТ входит в режим насыщения. Напряжение источника приложено к первичной обмотке трансформатора, закон изменения коллекторного тока определяется индуктивностью обмотки L и при малом активном сопротивлении первичной цепи к линейно нарастает (рис. 5.18, в). Вторичная обмотка трансформатора Шц включена таким образом, что диод УО находится в разомкну-, том состоянии, поэтому нагрузочная цепь на описанный процесс влияния не оказывает. [c.213]

Область насыщения. Оба перехода смещены в прямом направлении (открыты), напряжение коллектора мало. Сопротивление насыщения транзистора в схеме ОЭ равно сумме сопротивлений открытых коллекторного и эмиттерного переходов + э- Напряжение на коллекторе насыщенного транзистора зависит от коллекторного тока 30"= к. вас вас [c.126]

Транзистор может отдать большую мощность и обеспечить высокий КПД в том случае, если он допускает большой импульс тока коллектора при малом остаточном напряжении на коллекторе, т. е, при малом сопротивлении насыщения или, что то же, при высокой крутизне ЛГР. Но при увеличении тока и снижении напряжения коллектора ухудшаются ВЧ свойства транзистора — возрастает емкость коллекторного перехода С , постоянная времени /"бСд, снижаются и р. Коллекторный ток, при котором Р снижается в ]Л2 раз по сравнению с максимальным значением, называется критическим током коллектора к. кр- [c.128]

Перенапряженный и ключевой режимы характеризуются тем что в состоянии насыщения амплитуда и форма импульса коллекторного тока зависят от напряжения источника коллекторного питания, величины и характера нагрузки и почти не зависят of формы и амплитуды возбуждающего импульса. [c.130]

Когда транзистор насыщен (ключ замкнут), благодаря индуктивному характеру коллекторной нагрузки ток нарастает по экспоненциальному закону. Когда транзистор закрыт (ключ разомкнут), в цепи происходит разрядный про- [c.161]

Двухтактная схема ключевого генератора с параллельным контуром в коллекторной цепи ничем не отличается от обычного резонансного усилителя. П-образная форма возбуждающего тока обеспечивает П-образную форму тока коллектора, а контур — синусоидальную форму напряжения. Пока транзистор в течение первой половины пе- риода открыт и насыщен, [c.163]

Биполярный транзистор описан в ППП в соответствии с моделью Эберса — Молла. Модель описывается 15 параметрами 15 — сила тока насыщения эмиттерного перехода VI — тепловой потенциал перехода N1 — сила тока насыщения коллекторного перехода NV — постоянная эмиссии перехода база — коллектор ТР и ТК — среднее время пролета носителей через базу при нормальном и инверсном включениях СЕ и СС — барьерная емкость эмиттерного и коллекторного переходов Р1 — контактная разность потенциалов ОА — показатель степени в выражении для барьерной емкости 02 — выходная проводимость при нулевом смещении N0 — коэффициент пропорциональности в выражении для выходной проводимости АР и АН — коэффициенты усиления силы тока в нормальном н инверсном включениях 05 — максимальная проводимость перехода. По умолчанию эти величины принимаются равными 15=1 —13А УТ=0,026 В N1 = 2 NV= 1,5 ТР, ТК, СЕ, СС, 02 = 0 Р1 = 1 ОА = 0,5 Ы0=1.Е—3 АР = 0,99 АК = 0,5 08 = 1. [c.435]

Семейство коллекторных кривых 1 — V для транзисторов типа 2082 и 2N1675 показывает уменьшение коэффициента усиления и увеличение напряжения насыщения коллекторного тока с увеличением нейтронного потока, но линейная зависимость от If не нарушается напряжение насыщения коллекторного тока при равно 1,0 а и коэффициенте усиления 4 или 5 возрастало от 0,55 до 1,5 в с увеличением интегрального потока от О до 1,8-10 нейтронIсм . Пробивное напряжение эмиттера Vj Bo было постоянным вплоть до 3,2-10 нейтрон/см . Пробивное напряжение коллектора было стабильным до 1,8-10 нейтрон/см , а при [c.291]

На фиг. 1.11 приведена схема замещения для установившегося состояния по постоянному току, на которой отклонения параметров каждого элемента, соответствующие худшему случаю, показаны стрелками, стоящими около резисторов и источников питания. Условия нагрузки заданы минимальным током Ilx для нагрузки в виде схемы ИЛИ и минимальным напряжением V off, если нагрузкой служит схема И. Кроме того, требования в отношении стабильности связаны с допусками на сопротивление резисторов Ri, напряжение питания Ei и диапазон окружающей температуры Нужно учитывать следующие параметры транзисторов и их изменения коэффициент усиления по току 1е, коллекторное напряжение насыщения V es, напряжение между базой и эмиттером насыщенного транзистора Vbe, температура перехода (в частности, максимальная допустимая температура Tj макс), коэффициент рассеяния тепла К и обратный ток коллектора 1сво- Задача статического расчета состоит в определении номинальных величин сопротивлений ре- [c.33]

В к. м. магнитного поля, может замыкаться через этот генератор, и поэтому возбуждение является независимым. В этом случае К. м. может быть переведена из двигательного режима работы в генераторный путем приложения к ее валу извне механич. усилия при соответствующем кроме того положении щеток. Путем смещения щеток можно добиться также того, чтобы генераторная работа протекала при отсутствии реактивного тока в линии, т. е. при os = 1. В этом случае генератор будет самовозбужден, так как ток, необходимый для создания его магнитного поля, будетциркулировать лишь в нем самом. Питающая сеть может быть при этих условиях отсоединена от всех других источников энергии кроме данной К. м., которая сможет питать ее самостоятельно. В виду наличия в машинах остаточного поля нет необходимости приключать К. м. предварительно к сети, питаемой другой машиной, так как она может само возбуждаться и самостоятельно. Величина напряжения, к-рое при этом установится, определится, также как и в генераторе постоянного тока, пересечением кривой намагничения машины и нек-рой прямой, уклон к-рой зависит от величины активных сопротивлений всей цепи машины и способа соединения и положения обмоток (фиг. 40). Такое самовозбуждение переменным током мыслимо однако лишь в машинах, обладающих вращающимся полем. В каждый момент поле должно где-то существовать, так как если оно исчезнет, то вновь может не возникнуть совсем. Последовательный однофазный двигатель работать генератором переменного тока при обычной схеме его соединения поэтому не может. Что же касается шунтовых К. м., как многофазных, так и однофазных, то самовозбуждение их, при соответствующем положении щеток и скорости вращения, в случае соединения с ними некоторой сети с определенной, фиксированной каким-либо генератором частотой,,будет происходить с той же частотой и проявится лишь в отсутствии в сети тока, намагничивающего коллекторный генератор. При отсоединении синхронной машины, питающей сеть, частота эта почти не изменится. Иначе будет обстоять дело при последовательной многофазной или репульсионной машине в качестве генератора. Здесь возможно самовозбуждение машины с частотой совершенно отличной от частоты сети, к к-рой приключена машина. Частота самовозбуждения, вследствие большего по сравнению с активным реактивного сопротивления контура, на который замкнут генератор, обычно бывает значительно ниже частоты сети, ибо она определяется лишь параметрами тогоконтура, на к-рый генератор замкнут. Сеть представит для этих токов низкой частоты весьма малое сопротивление, в виду чего токи при отсутствии насыщения К. м. могут быть очень велики и испортить коллекторный генератор. В этих [c.325]

На рис. 33, а представлены входные статические характеристики, т. е. зависимость тока базы /б от напряжения на ней Об при постоянном напряженпи коллектора Ок, а на рис. 33, б приведены вольтамперные (выходные) характеристики коллекторной цепи, т. е. зависимость коллекторного тока / от напряжения 11 при заданных токах /б. При некотором положительном потенциале базы (по отношению к эмиттеру) /к достигает своего предельного значе-н 1Я, называемого током насыщения. При /б==0 в коллекторной цепи протекает неуправляемый ток /к.о- Выходные характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, при /б = 0 можно разбить на две области одну — до перегиба, а другую — правее перегиба (см. рис. 33, б). При включении в цепь коллектора нагрузки Яи ток / в зависимости от напряжения б к изображается [c.57]

Соответствующим током дырок из п-области можно было бы пренебречь, если бы область я-типа была легирована намного сильнее и имело место условие р Пр. Однако любой механизм, который увеличивает запас носителей в области объемного заряда при обратном смещении, вызовет увеличение обратного тока выше предельной величины. Например, в транзисторе э.миттер увеличивает подачу носителей к обратно смещенному коллекторному переходу. В этом случае при повышенном уровне инжекции ток обычно остается насыщенным. [c.374]

Для получения релейной характеристики с насыщением и петлей гистерезиса в двухкаскадный усилитель вводится обратная связь по напряжению (см. рис. 133). Выходное напряжение Ukbbs. снимаемое с коллектора Т2, через резистор обратной связи подается на вход усилителя, на базу транзистора Г/. Обратная связь (ОС) по напряжению, называемая также коллекторной,— положительная (эмиттерная ОС [19] здесь не рассматривается). Действие ОС заключается в том, что приращению сигнала управления одного знака (например, АСу > 0) соответствует приращение выходного напряжения того же знака, т.е. А 82>- о, которое подается на вход транзистора Г/ и усиливает действие входного сигнала. При введении ОС ток базы транзистора Т1 будет равен 61 = 1у + i oo следовательно, те же выходные параметры каждого из каскадов будут получены при токах управления ly, меньших на ток /qo, или при сигнале управления меньшем на Мое I [c.153]

На электровозах однофазного тока пониженной частоты исключительное применение иашли коллекторные однофазные двигатели последовательного возбуждения. Для питания их применяются трансформаторы с регулированием напряжения. Характеристики этих электровозов сходны с характеристиками электровозов постоянного тока, однако они ближе располагаются к гиперболической, что объясняется меньшей степенью насыщения, допускаемой в двигателях (для уменьшения трансформаторной э. д. с.), и возможностью некоторого повышения напряжения при высоких скоростях. [c.15]

Как видно из (2-18), фактор искрения зависит от квадрата некомпенсированной реактивной э. д. с. е . В свою очередь ен в коммутируемой секции пропорциональна току якоря /я (линейной нагрузке Л), частоте вращения п, квадрату числа витков суммарной проводимости потоков рассеяния %, зависит от числа и размеров коллекторных пластин, размеров щеток. Появление разности ел—бк обусловлено насыщением магнитной цепи добавочного полюса при перегрузках, отставанием потока добавочных полюсов от тока в неустано-вившемся режиме и т. д. Таким образом, в фактор искрения частота вращения входит в третьей степени, а ток — в степени несколько ниже второй. В неустано-вившихсй режимах на степень искрения электрических машин влияет также скорость изменения тока и воз- [c.38]

Рассмотрим i-раекторию перемещения рабочей точки из положения 1 (состояние отсечки) (рис. 5.6, б). При подаче на базу VT управляющего сигнала положительной полярности начнется увеличение коллекторного тока i . Диод VD продолжает оставаться замкнутым, напряжение на транзисторе примерно равно U . Когда к достигнет значения /ктш (положение 2), равного силе тока через дроссель, ток д уменьшается до нуля (так как = к + г д), диод размыкается, напряжение на транзисторе резко уменьшается — VT переходит в течение времени нарастания / р в режим насыщения (положение 3). По мере возрастания тока в нагрузочной цепи из-за подключения к источнику U , ток к также возрастает, и к концу интервала замкнутого состояния транзистора рабочая точка смещается в положение 4. При появлении на базе VT размыкающего сигнала, спустя время рассасывания избыточных носителей заряда в области базы, в течение которого рабочая точка остается в положении 4, начнется уменьшение Чтобы это уменьшение скомпенсировать, так как в цепи L ток мгновенно измениться не может, должен замкнуться диод VD, а это значит, что напряжение на транзисгоре возрастет до U , т. е. рабочая точка переместится в положение 5. Затем к уменьшается за время спада t n, рабочая точка перемещается в положение 1. [c.192]

При насыщении ТУ1 ток намагничивания резко возрастает, увеличивается падение напряжения на Я5, поэтому напряжения первичной и вторичной Шц обмоток ТУ1 уменьшаются. Условия режима насыщения УТ1я отсечки УТ2 нарушаются, УТ1 переходит в активный режим, напряжение на нем возрастает, на коллекторной обмотке шк —уменьшается. Как следствие, уменьшается напряжение на обмотке Шо с. При этом ток намагничивания ц трансформатора ТУ1 уменьшается, характер изменения магнитного потока в нем изменяется, полярность напряжения управления также изменяется. Процесс протекает лавинообразно, в результате транзистор УТ1 — размыкается, УТ2 — замыкается. Это состояние сохраняется до тех пор, пока вновь не наступит режим насыщения трансформатора ТУ1. [c.206]

Схема электронной защиты, которая ограничивает коллекторный ток транзистора, приведена на рис. 7.10, в. В обычную схему стабилизатора напряжения добавлен транзистор УТ2, делители и и резистор Я4. Разность напряжения 11 т — (7к2 выбрана так, чтобы при номинальной нагрузке транзистор УТ2 был заперт и не влиял на работу стабилизатора напряжения. При токовой перегрузке значение / 4 повышается настолько, что УТ2 открывается и шунтирует резистор НЗ, при этом уменьшается отрицательное смещение на базе УТ1, его сопротивление постоянному току Гкст растет и ток /вых падает. С ростом тока УТ2 переходит в режим насыщения и полностью выключает управление УТ1 за счет отрицательной обратной связи по напряжению, от делителя и транзистора УТЗ, и переводит управление УТ1, за счет отрицательной обратной связи, от Н4. (С ростом тока I [c.274]

В режиме насыщения эмиттерный и коллекторный переходы одиночного транзистора смещены в прямом направлении, потенциал коллектора относительно эмиттера, отрицательный, для транзистора р-п-р, что обеспечивает необходимое направление протекания эмиттерного тока. В составном транзисторе УТ1, УТ2 (рис. 8.2, а) при обеспечении насыщения УТ2 его коллекторное напряжение /кэ2 придо-жено к переходу коллектор — база УТ1 с полярностью, указанной на рисунке, в кружках, выполненных штриховыми линиями, коллекторный переход УТ1 обратно смещен, т. е. насыщения УТ1 достичь невозможно. Для насыщения мощного транзистора в составном в коллекторную цепь УТ1 включают резистор Я1 (рис. 8.2, б), падение напряжения на котором за счет тока / , обеспечивает соответствующую полярность напряжения коллекторного перехода УТ1. [c.293]

Точки с координатами и 53 лежат на линии ОА (рис. 3.15, б) нли линии граничного режима (ЛГР) на постоянном токе. ЛГР совпадает с линией насыщения только иа идеализированных выходных характеристиках, изображенных отрезками прямых. В действительности, параметры -гранзистора меняются при понижении коллекторного напряжения, что, в частности, выражается в изгибе выходных характеристик в области малых коллекторных напряжений. Поэтому для графических расчетов реальных усилителей ЛГР проводят через середину (или, при высоких требованиях к уровню нелинейных искажений, через начало) изгиба выходных характеристик. [c.126]

При переходе в перенапряженный режим (за счет увеличения тока возбуждения или сопротивления коллекторной нагрузки) напряжение в течение длительности каждого периода усиливаемого колебания вначале возрастает — до-тех пор, пока транзистор перейдет в состояние насыщения. При этом контур через открытый транзистор оказывается подключенным к- источнику. питания Е , что прнвшит к ограничению отрицательной полуволны коллекторного напряжения. Напряжение ограничения Е . = — нас> "де д,, = /к иас- [c.131]

В слабоперенапряженном режиме длительность этапа насыщения невелика, а импульс тока коллектораиограничен или имеет небольшую впадину. При увеличении напряженности режима отрицательная полуволна коллекторного напряжения начинает несколько превышать напряжение ограничения, приближаясь по значению к Е . В этот момент потенциал коллектора становится равным нулю, и ток коллектора резко уменьшается, образуя провал в момент максимального тока возбуждения. Импульс коллекторного тока раздваивается, причем первый и второй импульсы могут заметно отличаться по величине в зависимости от настройки контура. Для уменьшения выбросов напряжения на коллекторе оба импульса можно уравнять настройкой колебательного контура. [c.131]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...