Связи Ван-дер-Ваальсовые

Другой подход, развиваемый длительное время автором данного предисловия совместно с Ю.И. Матвеевым [28, 128], является полуэмпирическим. Согласно этому подходу, уравнения для расчета физических свойств получены на основании представлений физики твердого тела, а калибровка метода осуществляется с помощью физических характеристик полимерных стандартов, свойства которых хорошо изучены. В результате параметры уравнений имеют определенный физический смысл (энергия дисперсионного взаимодействия, энергия сильного межмолекулярного взаимодействия, включая водородные связи, Ван-дер-Ваальсовый объем и т.д.). Использование такого подхода позволяет с достаточной точностью оценивать многие физические характеристики полимеров (сейчас их уже около 60), и при этом количество полимеров самого разнообразного строения не ограничено. [c.10]

Ван-дер-ваальсово взаимодействие - взаимодействие между молекулами с насыщенными химическими связями. Эти взаимодействия имеют электрическую природу. [c.147]

Молекулярные кристаллы, помимо инертных газов, встречаются у элементов V, VI, VII групп. За исключением металлического полония и полуметаллических сурьмы и висмута, в этих элементах атомы связаны ковалентными силами в молекулы, которые в свою очередь связаны ван-дер-ваальсовыми силами. В итоге связь оказывается смешанной, ковалентно-молекулярной. [c.113]

Группа VII А (галогены). Галогены имеют во внешних оболочках по семи электронов и образуют ковалентные связи путем передачи в коллективное пользование одного электрона. Согласно правилу S — N, каждый атом имеет одного соседа, т. е. образуются двухатомные молекулы. Одна с другой молекулы связаны ван-дер-ваальсовыми силами, образуя сложные непрочные решетки. [c.267]

Общим для всех этих уравнений яв.тается суммирование ряда атомных констант, характеризующих вклады в энергию межмолекулярного взаимодействия, энергию химических связей, Ван-дер-Ваальсовый объем и т.д. Строго говоря, данный подход не может быть назван аддитивным в обычном понима- [c.12]

При сближении ионов до расстояний порядка их собственных размеров валентные эдектроны данного атома вступают в сильное взаимодействие с соседними ядрами и их электронными оболочками, обеспечивающее возникновение химической связи. Поэтому валентные электроны нельзя считать локализованными у данного атома и в некоторых случаях они получают возможность перемещаться по всему кристаллу. Конечно, в молекулярных кристаллах связь между атомами, образующими решетку, имеет характер ван-дер-ваальсовых сил. Однако в подавляющем больщинотве явлений, происходящих в твердых телах, электроны играют самую существенную роль. Поэтому рассмотрим наиболее общий случай, когда в кристалле содержатся ионы и валентные электроны. [c.47]

Молекулярные кристаллы служат примеро.м тех веществ, в которых могут образовываться френкелевские экситоны (экситоны, отвечающие модели сильной связи). В молекулярных кристаллА ковалентная связь внутри молекулы значительно сильнее ван-дер-ваальсовой связи между молекулами. Линии спектра поглощения молекулярного кристалла, обусловленные возбуждением электронов внутри структурных единиц, будут проявляться в спектре кристаллического тела как экситонные линии, иногда несколько смещенные по частоте. В случае щелочно-галоидных кристаллов экситоны с наименьшими энергиями локализованы на отрицательных ионах галогенов, так как значения энергии возбуждения электронов в отрицательных ионах меньше, чем в положительных. [c.163]

МЕЖАТОМНЫЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ И ЭНЕРГИЯ СВЯЗИ В КРИСТАЛЛАХ С ИОННОЙ И ВАН-ДЕР-ВААЛЬСОВОЙ СВЯЗЯМИ [c.20]

Расчет энергии связи в кристаллах — безусловно, квантово-механическая задача. Тем не менее установлено, что для некоторых типов твердых тел в достаточно хорошем приближении энергия связи может быть определена и на основе классического рассмотрения. К таким относятся кристаллы, распределение зарядов в которых может быть представлено в виде совокупности периодически расположенных точечных зарядов (ионов) или диполей. Возникающие в этих случаях типы связи называют соответственно ионной или ван-дер-ваальсовой (иногда — дипольной). В то же время сведение квантовомеханической задачи к классической оказалось невозможным в случае, когда плотность электронов в межионном пространстве достаточно велика, и электроны нельзя рассматривать как включенные в точечные (или почти точечные) ионы. Методы определения характеристик связи и физических свойств кристаллов с таким распределением электронов основываются непосредственно на квантовой теории (включая квантовую статистику). Анализ показал, что основными типами связи в этих случаях являются металлическая, характеризующаяся в первую очередь отсутствием направленности, и ковалентная, важным признаком которой является направленность. Помимо этого в последние годы выделяют в особый YHn водородную связь, имеющую важное значение при рассмотрении биологических соет динений. [c.20]

Все это определило построение гл. 2—5 данной книги. Во второй главе рассмотрены межатомные взаимодействия, энергия связи и некоторые свойства кристаллов с ионной и ван-дер-ваальсовой связями, в третьей — металлы в приближении свободных электронов, в четвертой — основы зонной теории твердых тел (а не только металлов), в пятой — применение зонной теории к определению энергии связи и свойств ряда твердых тел. Наиболее просто энергия связи рассчитывается для кристаллов, в которых между атомами действуют ван-дер-ваальсова или ионная связь. [c.20]

Эти силы могут возникать не только за счет создания мгновенных дипольных моментов. Они возникают также между полярными молекулами, обладающими постоянными дипольными моментами (в НгО, НС1 и т. д.), за счет поляризации неполярных молекул полярными и т. п. [3]. Нередко ван-дер-ваальсовы силы комбинируются с другими. Так, в молекулах некоторых газов, например СЬ, N2, На, атомы связаны ковалентными силами, а молекулы между собой — ван-дер-ваальсовыми. В связи с этим в I2 энергия связи С1—С1 57 ккал/моль, а теплота сублимации I2 5 ккал/моль. [c.25]

Пусть межатомные расстояния Го в ван-дер-ваальсовом кристалле равны 2 А, причем энергия связи оказывается на 10% меньше той величины, которая следует из учета одного лишь потенциала притяжения. Найти характеристическую длину р потенциала отталкивания, имеющего вид Вехр(— г/р). [c.38]

Промежуточная по энергии между сильными (ионной, металлической и ковалентной) и слабой (ван-дер-ваальсовой) связь, называемая водородной, возникает между атомами Н, входящиМ И в ковалентные группировки типа NH или ОН, и электроотрицательными атомами N, О, F, С1, S, причем расстояния между атомом Н и соседними атомами чаще всего бывают неодинаковыми. Поэтому ее типичное изображение АН...В. При взаимодействии атома Н с атомами с большей электроотрицательностью часть электронного заряда Н передается соседям. По данным о дифракции рентгеновских лучей и нейтронов и некоторым другим оценкам, в группе АН атом Н частично ионизован, сохраняя лишь 0,5— [c.113]

Особый интерес, как теоретический, так и практический, недавно возник к материалам со смешанной одно или двумерной связью, встречающейся, например, в органических солях. Часто укладка атомов в этих материалах носит слоистый характер, а связи — металлический, ионный и ван-дер-ваальсовый характеры. В зависимости от температуры эти материалы могут быть металлами, полупроводниками и диэлектриками. Типичными материалами такого сорта являются тетрацианохинодиметан (T NQ) и его соли, дихалькогениды переходных металлов. Некоторые из [c.114]

Ван-дер-ваальсовы силы слабые (меньше кулонов-ских), короткодействующие, центральные. Типичными представителями веществ являются кристаллы благородных газов и вследствие того, что силы связи малы, эти кристаллы существуют при очень низких температурах. Силы Ван-дер-Ваальса типичны для некоторых анизотропных кристаллов, образующихся из элементов IV—VII групп (см. рис. 3, б) по правилу 8—ЛА. В них между атомными слоями (рядами, молекулами) действуют силы Ван-дер-Ваальса, а между атомами внутри слоев (рядов, молекул) ковалентные связи. [c.10]

Молекулярные кристаллы. Наиболее общим видом связи, возникающим между любыми атомами и молекулами, является связь Ван-дер-Ваальса. Почти в чистом виде она проявляется между молекулами с насыщенными химическими связями (О2, Нг, СН4 и др.), а также между атомами инертных газов. В общем случае ван-дер-ваальсова связь включает в себя дисперсионное, ориентационное и индукционное взаимодействия. [c.20]

Ван-дер-ваальсова связь является наиболее слабой связью с энергией порядка единиц килоджоулей на моль. Поэтому все структуры, обусловленные этой связью, мало устойчивы, легко летучи и имеют низкие точки плавления. В электрическом отношении они являются изоляторами. Многие кристаллы этого типа прозрачны для электромагнитного излучения вплоть до далекой ультрафиолетовой области спектра. [c.22]

Время жизни атомов, адсорбированных на подложке, определяется формулой (2.1). Для слабых связей (типа ван-дер-ваальсовой) эта энергия составляет 0,01—0,1 эВ, для сильных связей (типа валентной) она достигает порядка единиц электрон-вольт. В соответствии с (2.1) время жизни в адсорбированном состоянии т 10-1 (. для = 0,01 эВ и т ж 10 с для t/ад я 1 эВ. Поэтому, если атомы осаждаемого вещества образуют с поверхностью подложки сильную связь, а атомы или молекулы остаточной среды — слабую связь, пленка будет расти практически свободной от молекул остаточной среды и необходимость в поддержании столь высокого вакуума, как 10-5 Па, в значительной мере отпадает. Такие условия создаются, в частности, при ведении процесса напыления в инертной среде и в среде, состоящей из молекул с насыщенными связями. [c.61]

Природа адгезионной связи. Адгезия является результатом проявления сил молекулярного взаимодействия между подложкой и наносимым слоем, т. е. тех же сил, которые действуют между структурными частицами в самих твердых телах — ван-дер-ваальсовых, валентных, металлических и др. [c.74]

Универсальная ван-дер-ваальсова связь обусловливает наиболее слабую адгезию с энергией связи порядка единиц килоджоулей на моль (0,01—0,1 эВ/атом). Адгезию, обусловленную этой связью, называют обычно физической. Она формируется во всех случаях контакта двух тел, сближенных до расстояния межмолекулярного взаимодействия. В частности, она может возникать при нанесении металлических и других слоев на загрязненные подложки, на плохо подготовленные поверхности окисленных металлов, керамики, стекла и др., при нанесении полимерных и других защитных и диэлектрических покрытий, если не созданы условия для формирования иных, более мощных сил связи. [c.74]

Приведенные положения о строении полимеров показывают, что в их структуре по сравнению со структурой низкомолекулярных веществ имеются существенные отличия. Несмотря на это в ряде работ [Л. 26—30] теплопроводность полимеров. по аналогии с низкомолекулярными веществами представляется как суммарный результат колебательных движений макромолекул (считается, что перемещение энергии колебаний в направлении, обратном вектору температурного градиента, протекает в основном вдоль главных валентных связей цепных молекул). Согласно этой модели связи ежду атомами и молекулами принимаются за систему элементарных тепловых сопротивлений (Л. 31—34], причем первичные химические связи имеют примерно в десять раз меньшее сопротивление, чем, скажем, ван-дер-ваальсовы связи. Теплоперенос от одного структурного элемента к другому в этом случае осуществляется путем медленного трансляционного, вращательного или колебательного движения некоторой гипотетической единицы полимерной цепи, ответственной за теплофизику полимера. Температурная зависимость теплопроводности полимеров в известной мере подтверждает эти положения. Так, например, с возрастанием температуры увеличиваются тепловые флуктуации макромолекул, и обусловленное этим снижение теплового сопротивления связей ведет к повышению теплопроводности пол1имера. Повышение теплопроводности прекращается по достижении температуры стеклования полимера. 6 области выше температуры стеклования, когда полимер переходит в высокоэластичное состояние, наблюдается. увеличение свободного объема в полимерной матрице, что приводит к повышению термического сопротивления и соответственно к понижению теплопроводности полимера. [c.32]

Диаграмма энергии диссоциации для ван-дер-ваальсовых милекул, кластерных ионов и молекул с химической связью. Рядом с указанной молекулой или ионом в скобках дано значение энергии в эВ для кластерных ионов и молекул с химической связью в 10 эВ — для ван-дср ваальсовых молекул. [c.373]

В молекулярных кристаллах атомы внутри молекул объединены прочными ковалентными связями, а атомы соседних молекул взаимодействуют за счёт более слабых ван-дер-ваальсовых сил, имеющих динольноо и дисперсионное происхождение (см. Межмолекулярное взаимодействие). Расстояние между атомами соседних молекул 0,35—0,4 нм. Во многих кристаллах связь имеет промежуточный характер, напр, в кристаллах силикатов она ионно-ковалентная, у полупроводников (Ge, Ga, As) связь в осн. ковалентная, но с примесью ионной и металлической. В нек-рых кристаллах (напр., лёд, органич. кристаллы) существует т. н. водородная связь (см. Межатомное взаимодействие). [c.516]

Она составляет 400—80 кДж/моль для кристаллов с ковалентной связью, несколько меньше у ионных и металлич. кристаллов и наиб, низка для молекулярных кристаллов с ван-дер-ваальсовыми связями (4—40 кДж/моль). Теоретич. определение свободной энергии и предсказание структуры пока возможны лишь для сравнительно простых случаев. Они проводятся в рамках зонной теории твёрдого тела. В ряде случаев достаточно точные результаты даст использование полу-эмпирич. выражений для потенц. энергии взаимодействия атомов в кристаллах с тем или иным типом связи. Материал, накопленный К., позволяет хорошо классифицировать и интерпретировать вновь определяемые структуры кристаллов, в простейших случаях предсказывать структуру и многие физ. и физ.-хим. свойства. [c.517]

Смотреть страницы где упоминается термин Связи Ван-дер-Ваальсовые : [c.112] [c.390] [c.57] [c.160] [c.97] [c.97] [c.113] [c.172] [c.94] [c.21] [c.78] [c.10] [c.139] [c.157] [c.240] [c.297] [c.161] [c.161] [c.372] [c.372] [c.376] [c.380] [c.517] [c.520] [c.78]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...