Мощность рассеивания

В этих уравнениях — мощность рассеивания энергии внутри /-Й системы Л — мощность энергетического потока между г-й и /-Й системами Пг Л , — мощности энергетических потоков, введенных от механизмов станка в рамы 1, 2 и связь 6 (см. рис. 1) Ej и uj — полная энергия и плотность собственных форм колебаний /-й системы Т1 — коэффициент внутренних потерь (У = 1 ч- 6) r ij — коэффициент потерь в связи, соединяющей системы i и У ю — круговая частота колебаний. [c.117]

Мощный генераторный тетрод ТУ-40Б, предназначенный для работы в телевизионных передаточных установках и радиосвязи, превосходит по мощности рассеивания анодом и коэффициенту усиления многие заграничные образцы. Аналогичного назначения генераторные тетроды ГУ-36Б и ГУ-35Б также соответствуют высокому техническому уровню. [c.22]

Как уже отмечалось, показания термоанемометра зависят не только от. скорости, но и от температуры движущейся жидкости. Поэтому для точного контроля температуры при измерениях скорости потока с помощью термоанемометра был специально изготовлен малоинерционный полупроводниковый термометр сопротивления (рис. 67). В качестве чувствительного элемента термометра использован терморезистор СТЗ-18, конструкция же датчика аналогична показанной на рис. 65, а. Терморезистор включен в неуравновешенную мостовую схему, обеспечивающую максимально возможную чувствительность и минимальное отклонение от линейности шкалы с учетом допустимой мощности рассеивания. Мост находится в равновесии в точке, соответствующей началу интервала измерения температуры. [c.97]

Из рассмотренных ниже примеров будет видно, что от подобных ошибок не застрахован ни один из электромехаников по лифтам, если перед заменой любого элемента оборудования лифта не обратит внимание на тип реле и на рабочее напряжение его катушки, на величину сопротивления и мощность рассеивания резистора, на тип, величину емкости и номинальное напряжение конденсатора, на величину тепловой уставки автоматического выключателя и номинальный ток плавкой вставки предохранителя. [c.188]

Питание У ЯГ импульсного устройства осуществляется от двух одинаковых источников стабилизированного напряжения, выполненных на транзисторах. Транзисторы Гг и Гц должны быть установлены на радиаторы с мощностью рассеивания не менее 5 вт каждый. [c.87]

При повышении температуры среды необходимо уменьшать мощность рассеивания на резисторах, в противном случае они быстро выходят из строя. Воздействие температуры нарушает контакт в переменных резисторах. [c.71]

Наиболее чувствительны к изменению температуры транзисторы, у которых резко изменяются основные характеристики (допустимая мощность рассеивания, коэффициент усиления, шумовые и другие характеристики). [c.71]

На втором этапе расчета получают зависимости между температурой tjg поверхности /-го элемента и мощностью рассеивания Р , т. е. уравнения вида (22.2). [c.825]

Мощность рассеивания столба (испытательная), ет [c.453]

К основным электрическим параметрам и свойствам резисторов относятся номинальная величина сопротивления и допустимое отклонение от номинала, номинальная величина мощности рассеивания, предельное рабочее напряжение, температурный коэффициент сопротивления, величина собственных шумов, частотные и нелинейные свойства резисторов. Кроме того, для переменных резисторов определяются величина максимального и минимального сопротивления, закон изменения сопротивления от угла поворота, электрическая прочность относительно корпуса и плавность изменения сопротивления в зависимости от угла поворота. [c.119]

Для резисторов поверхностного типа в пределах одной и той же группы, например углеродистых, наиболее рациональным способом изменения величины сопротивления является изменение длины токопроводящего слоя путем применения спиральной нарезки. Это позволяет при одних и тех же габаритах получить резисторы с различными величинами сопротивлений, но с одной и той же мощностью рассеивания. С этой же целью для резисторов объемного типа и переменных непроволочных применяют вариацию составом композиции или изменение площади сечения слоя. [c.120]

Номинальная мош,ность рассеивания. При прохождении тока через токопроводящий элемент в нем выделяется тепловая энергия, которая внешней поверхностью резистора рассеивается в окружающую среду или передается другим элементам конструкции РЭА благодаря теплопроводности. Эта тепловая энергия оценивается мощностью рассеивания резистора [c.121]

Под номинальной мощностью рассеивания понимают максимальна допустимую мощность, которую резистор может рассеивать при длительной электрической нагрузке в нормальных условиях без изменения электрических параметров выше норм, указанных в технических условиях на него. Эксплуатация резисторов, как правило, проводится при мощностях рассеивания, в 3—10 раз меньше номинальных, что обеспечивает более высокую надежность работы устройств. Однако некоторые резисторы в аппаратуре могут быть нагружены на номинальную и даже на 10—20% выше мощность. При этом срок их службы уменьшается иногда до 10 раз и более. Отношение реально рассеиваемой мощности резистора к его номинальной называют коэффициентом загрузки резистора. [c.122]

Промышленность выпускает резисторы с номинальными мощностями рассеивания 0,01, 0,025 0,05 0,125 0,25 0,5 1 2 5 8 10 16 25 50 75 100 160 250 500 Вт (ГОСТ 9663—61). Как правило, чем выше номинальная мощность рассеивания, тем больше габариты резистора. В большинстве радиоэлектронных изделий применяют резисторы с номинальной мощностью рассеивания не выше 2 Вт. [c.122]

К группе общего назначения относятся резисторы, используемые в качестве элементов аппаратуры средней точности (5—20%), с номинальными значениями величин сопротивлений от единиц Ом до 10 МОм, рабочими напряжениями в пределах сотен вольт, диапазоном номинальных мощностей рассеивания 0,125—2 Вт и выше и частотным диапазоном применения до 10 МГц. Они имеют среднее значение ТКС порядка 10" 1/град и изменение величины сопротивления к концу срока службы (хранения) 10%. [c.126]

Тип Вид Номинальная мощность рассеивания, Вт Номинальная величина сопротивления Допуск 8 , % ТКС, 1 [c.126]

Резисторы С1-4 — тонкослойные углеродистые, предназначены для работы в условиях сухого и влажного тропического климата. В зависимости от номинальной мощности рассеивания (0,125 0,25 и 0,5 Вт) они имеют различные габариты и массу, причем гораздо меньшие, чем резисторы ВС за исключением 0,125-ваттных резисторов. Этот тип резисторов более влагостоек и менее подвержен обрастанию плесневыми грибками, чем ВС. [c.128]

К группе прецизионных резисторов относятся резисторы повышенной точности (0,05 — 3%) и стабильности (ТКС 10 1/град) с номинальными значениями величин сопротивления 1 Ом ч- 5,1 МОм, рабочими напряжениями не более сотен вольт, диапазоном номинальных мощностей рассеивания 0,05 — 2 Вт и частотным диапазоном до единиц мегагерц. Изменение величины сопротивления к концу срока службы, характеризующее старение резистора, составляет единицы процентов. Резисторы прецизионной группы применяют в точной измерительной аппаратуре и ответственных цепях Аппаратуры специального назначения. Часто их используют как элементы магазинов сопротивлений, в цепях делителей и шунтов повышенной точности, а также в качестве различных нагрузок схем. [c.133]

К группе высокочастотных резисторов относят резисторы, выполняющие свои функции без существенного изменения величины сопротивления на радиочастотах выше 10 МГц. Это низкоомные резисторы (от единиц до сотен Ом), средней точности (5—20%), средней стабильности (ТКС 5-Ю" /град). Номинальная мощность рассеивания 0,1—200 Вт, рабочие напряжения не превышают сотен вольт. Сопротивление изменяется в процессе старения на 5—15%. Эти резисторы обычно используют при конструировании высокочастотной аппаратуры метрового и дециметрового диапазонов в качестве согласующих нагрузок коаксиальных и волноводных трактов. Их применяют также в измерительной, приемопередающей и радиолокационной аппаратуре. [c.139]

Цилиндрический резистор КИМ-Е (композиционный изолированный малогабаритный) для мощности рассеивания 0,125 Вт имеет длину 8 мм и диаметр 2,5 мм, а для мощности рассеивания 0,05 Вт — соответственно 3,8 мм и 1,8 мм. [c.143]

Резисторы КЭВ (композиционные эмалированные высоковольтные) имеют большой диапазон мощностей, рабочих напряжений и, как следствие, семь типов конструктивных вариантов, резко отличающихся по массе (от 1,8 г до 1кг) и габаритам (от 5,5 х 25 мм до 53 X X 324 мм). Резисторы с номинальной мощностью рассеивания 0,5- [c.143]

Тип Номинальная мощность рассеивания, Вт Номинальная величина сопротивления Допуск. % ТКС. 10- /°С 1.Ю 1 Я В а 1 К 04 5 ri X 5 >. К а ц к 0 ч >. Р 1 1-1Ё. Л н 8 X а 1> е 1= Ч1- г V < [c.144]

Другими важными параметрами для расчета тонкопленочных резисторов являются ТКС и удельная мощность рассеивания Ро. В табл. 23 приведены основные параметры напыляемых материалов и получаемых на их основе тонкопленочных резисторов. [c.146]

Первая цифра в обозначении электронных ламп с мощностью рассеивания до 20е/л для устройств широкого применения указывает округленно напряжение накала в вольтах. Вторая буква характеризует тип лампы (диоды — Д двойные диоды—X, триоды —С, двойные триоды — Н триоды с одним или двумя диодами — Г пентоды с удлиненной характеристикой — К пентоды с короткой характеристикой Ж преобразователи частоты с двумя управляющими сетками — А выходные пентоды и лучевые тетроды — П индикаторы настройки — Е кенотроны— Ц триод-пентоды — Ф триод-гексоды и триод-гептоды — И). Третье число указывает порядковый номер лампы, четвертая буква характеризует конструктивное оформление (С — стеклянный баллон, П — пальчиковая, Б — сверхминиатюрная диаметром 10 мм, А — диаметром 6 мм, Ж — жолудь, Л — с замком на ключе, Д — дисковые выводы). [c.556]

Основные технические требования к современным проволочным потенциометрам определяются следующими параметрами величиной общего сопротивления, геометрическими размерами, законом изменения сопротивления, допуском на общее сопротивление и линейность, стабильностью, сопротивлением изоляции обмотки относительно корпуса, макс1 ыальной рабочей мощностью рассеивания, рабочим вращающим моментом, скоростью вращения, сроком службы при заданных условиях, рабочим режимом и различных условиях эксплуатации. [c.812]

Приборы с дифтрансформаторной схемой могут комплектоваться выходным реостатным датчиком. У вторичных приборов ферродинамической системы реостатный датчик может быть установлен дополнительно. Для этой цели удобно использовать прецизионные потенциометры типа ПТП, выпускаемые Киевским заводом электроприборов. Они имеют большой диапазон номинальных значений сопротивления (от 63 ом до сотен ком) и различные мощности рассеивания. Выпускаются также спаренные, строенные и счетверенные потенциометры, что удобно при необходимости иметь несколько параллельных выходных потенциометрических датчиков. Потенциометры ПТП позволяют осуществить воспроизведение заданной зависимости (в данном случае линейной) с точностью от 0,1 до 1,0%. [c.73]

Выходные параметры систем могут бьггь двух типов. Во-первых, это параметры-функционалы, т. е. функционалы зависимостей V(t) в случае использования (1.1). Примеры таких параметров амплитуды сигналов, временные задержки, мощности рассеивания и т. п. Во-вторых, это параметры, характеризующие способность проектируемого объекта работать при определегшых вне-пших условиях. Эти выходные параметры являются граничными значениями диапазонов внешних переменных, в которых сохраняется работоспособность объекта. [c.22]

Определите его сопротивление R н допускаемую мощность рассеивания Р, основываясь иа нижеследующнх результатах измерений емкость электролитического ков-денсагора, включенного на выход этого фильтра, Сф - 20 мкФ напряжение на выходе фильтра t/ф = 300 В постоянная составляющая анодного тока, определенная исходя из типов радиоламп, питающихся через наш резистор, должна составлять I = = 10 мА (допускаемые коэффициенты пульсации А п.вых = 0,02%, АГп.вх 0.5%). Ответ. R = /0,628 Сф, гдед - коэф мииент сглаживания. [c.122]

Величина сопротивления Я6 лежит в пределах 1,3—1,6 тыс. Ом при мощности рассеивания не менее 2 Вт. Сопротивленйе = = 1 — 1,5 тыс. Ом подбирают из расчета, что напряжение на его выходе должно равняться 100 В. Сопротивление Я4 подбирается в среднем положении движка потенциометра ЯЗ из условия, чтобы время срабатывания генератора равнялось заданному по условиям реверса на один контакт шагового искателя. Сопротивление Я7 берется равным 1,3—1,5 тыс. Ом. При меньших значениях Я время срабатывания реле увеличивается. [c.338]

Металлическая пластина толщиной 2—5 мм является наиболее простой формой радиатора. Такой радиатор применим для приборов с небольшой мощностью рассеивания, так как с ростом мощности рассеивания резко возрастают размеры пластины. Штырьевые радиаторы при сравнении с ребристыми по мощности рассеивания, отнесенной к единице веса радиатора на 1 градус перегрева (Р/ОДО, дают выигрыш в 20—60% [c.835]

По тепловой характеристике радиатора при заданной мощности рассеивания Рприб определяют перегрев радиатора А/р и по формулам (22.27) или (22.28)—температуру перехода прибора /дер-Необходимо, чтобы / ер расч < пер доп- [c.843]

По сравнению с углеродистыми резисторами МЛТ и ОМЛТ имеют при одной и той же номинальной мощности рассеивания меньшие габариты. Они более теплостойки благодаря применению в качестве токопроводящего слоя металлов или их сплавов, а не углерода. Использование более температуростойкого покрытия обеспечивает им повышенную влагостойкость при значительных (выше 100° С) температурах. К недостаткам металлизированных резисторов относятся [c.128]

Резисторы МТ, МТЕ, С2-6 относятся к металлизированным резисторам с повышенной теплостойкостью. Их внешняя с юрма, габариты и номинальные мощности рассеивания аналогичны резисторам МЛТ и ОМЛТ. [c.129]

Резисторы КИМ (композиционные изолированные малогабаритные) выпускаются на номинальные мощности рассеивания 0,05 и 0,125 Вт и имеют массу соответственно 0,1. и 0,2 г. Это резисторы поверхностного типа, выполненные в виде цилиндрических стержней с специальными выводами. Резисторы КИМ имеют стеклянное основание с нанесенной на него токопроводящей композицией. Сторцовстержень покрыт слоем серебра, платинитовые выводы армированы в его массу. Резисторы этого типа предназначены для использования в микросборках РЭА, залитых компаундом. Отличительной особенностью этих резисторов является то, что нагрузка на номинальную мощность допускается при температурах не выше 55° С. Резисторы КИМ имеют весьма широкий диапазон номиналов (до 1 ГОм). [c.129]

Резисторы УЛИ (углеродистые, лакированные, для измерительной техники) и БЛП (бороуглеродистые, лакированные, прецизионные) по своей конструкции аналогичны типу ВС, однако при одинаковых габаритах они имеют меньшую номинальную мощность рассеивания. Это обеспечивает им повышенную температурную стабильность, так как перегревы токопроводящего слоя меньше. Эти резисторы не вьшускают на значения величин сопротивлений выше 1 МОм, что также позволяет повысить их стабильность, так как более толстые пленки углеродистых резисторов имеют меньший по величине ТКС. Повышение стабильности достигается, кроме того, длительной электротермотренировкой и улучшением контактных узлов (графитирование или серебрение концов заготовок). Повышение точности резисторов обеспечивается введением в технологический процесс дополнительной операции юстировки (подгонки под заданный номинал с допуском 0,5-3%). [c.136]

Высокомегомные резисторы имеют величину сопротивления от единиц — десятков мегаом до тысячи гигаом. Отличительной особенностью этих резисторов является низкий уровень номинальной мощности рассеивания (порядка десятков милливатт). Точность резисторов 5—30%, ТКС ж 10" 1/град, рабочие напряжения — сотни вольт, изменение сопротивления к концу срока службы 10—30%. Высокомегомные резисторы применяют в измерительной РЭА (для измерения весьма слабых токов низкой частоты, в дозиметрах излучений и т. п.). [c.142]

Высоковольтные резисторы имеют предельные рабочие напряжения порядка десятков киловольт. Номинальные величины сопротивлений — сотни килоом — десятки гигаом, точность резисторов—10—20%, ТКС 10 1/град, величина сопротивления изменяется к концу срока службы на 10—25%. Номинальная мощность рассеивания колеблется в диапазоне десятков милливатт — десятков ватт. Эти резисторы применяют в высоковольтных цепях передающей и другой РЭА в качестве делителей напряжений, поглотителей и др. [c.142]

Микромодульные резисторы предназначены для работы в микромодулях этажерочного и плоского типов в качестве коллекторных и эмит-терных нагрузок, делителей напряжения в цепях базы, шунтов избирательных схем, ограничительных сопротивлений фильтров и т. п. Микромодули являются миниатюрными узлами радиоаппаратуры, питающие напряжения которых не превышают десятков вольт, а средние потребляемые токи — единиц-десятков миллиампер, поэтому микромодульные резисторы относятся к группе маломощных резисторов (номинальная мощность рассеивания не превышает 0,25 Вт). Предельное рабочее напряжение лежит в диапазоне 30—160 В, а ио- [c.143]

Проволочные микромодульные резисторы С5-6, выполненные из микропровода, имеют ограниченные мощность рассеивания (не более 50 МВт) и температурный диапазон применения (не выше 85° С). [c.145]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...