Спектр галлия

К достоинствам подобных систем относятся повышенное по сравнению с обычными микроскопами разрешение, возможность регулирования яркости, контраста и масштаба изображения электронным способом, большой динамический диапазон (до 60 дБ и более). Для контроля материалов, прозрачных только в инфракрасном диапазоне спектра (кремний, германий, арсенид галлия), применяют лазеры, излучающие на соответствующих длинах волн, в сочетании с фотоприемниками, обладающими нужной спектральной чувствительностью. Возможно исследование объектов в поляризованных лучах, контролирование в них напряжений методом фотоупругости, а также исследование магнито- и электрооптиче-ских свойств материалов при использовании соответствующих источников электромагнитных полей. [c.96]

Вследствие малых размеров резонатора и неоднородности р—/г-перехода угловая расходимость излучения полупроводникового лазера значительно больше, чем твердотельных и газовых лазеров, и достигает в горизонтальной плоскости 1—2°, а в вертикальной еще больше — 5—10°. Коэффициент полезного действия полупроводникового лазера на основе арсенида галлия 1—4%. Длина волны излучения полупроводниковых лазеров меняется в широких пределах в зависимости от состава полупроводника, перекрывая всю видимую часть спектра. Так, лазеры, в которых рабочим телом является сульфид цинка (ZnS), излучают в ультрафиолетовой части спектра (Я, = 0,33 мкм), селенид [ d (S + Se) ] — имеют зеленый цвет излучения X = 0,5-н0,69 мкм), арсенид— фосфид галлия [Qa(As + Р)] — красный (Я. = 0,75-нО,9 мкм) и т. д. [c.62]

Исследования электрических свойств фосфида галлия показали, что после первого прохода через зону в слитках имеются области как Р-, так и п-типа проводимости. Однако после нескольких проходов слитка через зону происходит очистка ОаР от примесей, главным образом от кремния, и материал приобретает проводимость р-типа. Концентрация свободных носителей заряда в подвергнутом зонной очистке фосфиде галлия не превышала Р = 5-Максимальное значение подвижности дырок при комнатной температуре составило М = 60 см /в.сек [3]. Следует отметить, что нелегированные образцы фосфида галлия не проявляют фото- и электролюминесценции в видимой области спектра. [c.47]

Край поглощения при комнатной температуре соответствует для наиболее важных полупроводниковых монокристаллов длинам волн, лежащим в видимом или ближнем инфракрасном диапазонах спектра. Например, для монокристалла германия ( g 0,7 эВ) заметное поглощение при 300 К наблюдается при зондировании излучением с длиной волны Л 1,8 мкм, для кремния ( g 1,1 эВ) при Л 1,1 мкм, для арсенида галлия ( g 1,4 эВ) при Л 0,9 мкм, для фосфида галлия 2,24 эВ) при Л 0,55 мкм и т. д. [c.109]

GaP относится к полупроводникам с непрямыми переходами. Длина волны его электромагнитного излучения зависит от энергетических уровней центров излучательной рекомбинации. Для светодиодов из фосфида галлия, испускающих красное свечение, такие уровни создают путем легирования GaP цинком и кислородом или кадмием и кислородом. Свечение светодиодов из GaP в зеленой области спектра получают при легировании фосфида галлия азотом. Большим преимуществом азота как излучательного центра, является то, что его можно ввести в GaP в большом количестве (до 10 м ) без изменения концентрации свободных носителей заряда. [c.102]

Спектральный анализ. Химический состав металлических сплавов и других веществ можно исследовать по спектру, получающемуся от свечения их в раскаленном состоянии. Когда металлы или их сплавы раскалены до состояния газа или пара, они дают характерную для каждого элемента линию спектра. Натрий, например, дает линию желтого цвета, галлий —линию зеленого цвета. Если в спектре появилось несколько линий,— значит в веществе находится несколько элементов. Метод замечателен тем, что позволяет обнаружить наличие элемента в сплаве, даже если его количество ничтожно мало, а также по интенсивности спектральной линии определить количество этого элемента. Спектральный анализ нашел самое широкое применение в промышленности, как очень точный и производительный метод исследования. [c.30]

Сплав алюминия с галлием предложен вместо ртути в качестве катода ламп ультрафиолетового излучения, применяемых в физиотерапии. Излучение ламп обогащено лучами голубых и красных частей спектра, что улучшает терапевтическое его действие. [c.413]

В видимой области спектра известные кристаллы — это обычно кварц, ADP или KDP. В инфракрасной области, на длине волны 10,6 мкм, известным кристаллом часто считается арсенид галлия. Все вещества сгруппированы в таблицы в соответствии с кристаллографическими классами приведенные значения коэффициентов измерены по генерации второй гармоники указанные длины волн относятся к основной частоте. Для каждого материала дается только по одному значению нелинейной восприимчивости на каждой длине волны, даже если известно более одного значения, [c.219]

Активные диэлектрики 172 Акустооптические взаимодействия 149 Анализатор спектра 153 Аналого-цифровой преобразователь 153 Апертура числовая 22, 25, 96 Арсенид галлия 168 [c.238]

Хотя диодный модулятор на фосфиде галлия работает на всех длинах волн от зеленых до инфракрасных, его эффективность модуляции меньше в длинноволновой части спектра. Для зеленого света он более эффективен, чем для красного, а инфракрасный свет он модулирует еще хуже. Поэтому ясно, сколь необходимы различные модуляторы света ни один модулятор не способен быть одинаково оптимальным во всем спектре. Например, магнитооптический модулятор, описанный ниже, более пригоден для близкого инфракрасного света, чем модуляторы на диоде из фосфида галлия или на танталате лития. [c.82]

Арсенид галлия среди соединений А " В занимает особое положение. Большая ширина запрещенной зоны (1,4 эВ), высокая подвижность электронов [0,85 м /(В-с)] позволяют создавать на его основе приборы, работающие при высоких температурах и высоких частотах. Первым полупроводником являлся GaAs, на котором в 1962 г. был создан инжекционный лазер. Он используется для изготовления светодиодов, туннельных диодов, диодов Ганна, транзисторов, солнечных батарей и других приборов. Для изготовления детекторов в инфракрасной области спектра, датчиков Холла, термоэлектрических генераторов, тензометров применяется анти-монид индия, имеющий очень малую ширину запрещенной зоны [c.291]

Действие абсорбционных оптических датчиков основано на функциональной зависимости поглощенного пучка света от температуры. Это свойственно полупроводниковым материалам, в частности арсениду галлия (GaA.s). Датчик на основе арсенида галлия имеет форму призмы небольших размеров. На входе и выходе датчика расположено по одному или по два оптических световода, обеспечивающих минимальные потери в диапазоне длин волн, соответствующем спектру поглощения QaAs. Разрешающая способность такого датчика 0,2 °С в диапазоне температур 33—47 °С. [c.127]

Построение следующих за медью элементов идет нормально". 29-Й и 30-й электроны Zn располагаются в состоянии 4s это следует из характера спектра Zn, состоящего из одиночников и триплетов с нормальным термом Sfl. Начиная с 31-го элемента — галлия — происходит заполнение [c.232]

На рис. 2 приведены фототермоионизац. спектры чистых образцов Ge и Si. Линии в спектрах относятся к техноло-гически неконтролируемым остаточным кол-вам примесей и примесных комплексов, В образце Ge (рис. 2, а) суммарная концентрация акцепторов jVa = 6-10 см , доноров Л д = 9 10 см -, темп-ра образца Г=6,5 К, разрешение 0,03 см . В образце Si (рис. 2,6) Л л=10 м 10 см , Т= 1 К, разрешение 0,25 см . Кроме анализа чистоты Ge и Si Ф. с, используется также для исследования локализованных состояний и анализа примесей в арсениде галлия, фосфиде индия, теллуриде кадмия, ПП алмазе и др. Чистые полупроводники AjB, содержат больше остаточных примесей, чем Ge и Si. Для устранения эффектов, связанных с перекрытием состояний близко расположенных атомов примеси, приводящих к сильному уширению и даже исчезновению линий в спектрах, исследуемые образцы помещают в маги, гголе, к-рое сжимает основное и возбуждённое состояния, увеличивает энергии связи электронов и снимает перекрытие состояний. [c.362]

Для генерации разностных частот в ИК-области спектра используются кристаллы селенида галлия, тиогаллата серебра, германофосфида цинка и т. п. [c.185]

Для точных измерений -ХаЬс показатели преломления, прозрачность, длины когерентности и нелинейные восприимчивости образца и эталона должны быть сравнительно близки. Для материалов, прозрачных в видимой области спектра, в качестве эталонов используют кристаллический кварц, дигидрофосфат калия (b DP), ниобат лития и иодат лития. Для кристаллов, прозрачных в инфракрасной области, в качестве эталона используют арсе-нид галлия. В этом случае нелинейная восприимчивость измеряется для длины волны 10,6 мкм. [c.87]

При бесконтактных измерениях температуры поверхности необходимыми условиями являются а) наличие радиационного теплового потока от объекта к датчику, б) изолированность датчика от любых других воздействий, искажаюш,их результат измерения. Препятствиями для проведения радиационной термометрии часто являются интенсивное фоновое излучение (например, излучение плазмы или нагретых элементов установки), прозрачность исследуемого объекта в регистрируемой области спектра (например, тонкого полупроводникового кристалла с достаточно широкой запреш,енной зоной — кремния, ар-сенида галлия — в ближнем и среднем ИК диапазоне), шероховатость поверхности, наличие на ней просветляюш,их пленок, высокая отра-жаюш ая способность поверхности [1.23, 1.24]. Для слаболегированных полупроводниковых кристаллов при не слишком высоких температурах обычно не выполняется основная предпосылка модели серого тела (независимость коэффициента излучения от длины волны). На рис. 1.1 [c.12]

На рис. 2.9 показан спектр пропускания света монокристаллом ар-сенида галлия в области края поглош,ения. В области Л 910 нм поглош ение несуш ественно (а 1 см ), при этом коэффициент пропускания определяется величиной френелевых потерь на отражение света от двух поверхностей. Форма края поглош,ения кристалла СаАз будет обсуждаться в гл. 5. [c.31]

Температурный контроль в реальном времени проводился в вакуумной камере для эпитаксиального наращивания пленок [5.29]. Подложка (кристалл полуизолирующего арсенида галлия) лежит на плоском нагревателе, температура которого изменяется от 25 °С до 600 °С. Спектр диффузного отражения aAs при облучении кристалла светом кварцевой лампы регистрировался в ближнем ИК-диапазоне через каждые 2 с в течение всего процесса, длящегося около 1 ч. Показано, что температура подложки ниже температуры нагревателя на 1004-150 °С. Погрешность измерения оценивается величиной 0,5 °С. [c.129]

В КР-спектре паров над треххлористым галлием Ga ls при 960°С, возбуждаемых линией 514,6 нм аргонового лазера, наблюдаются три линии 518,0 524,9 и 527,0 нм, относящиеся к основным колебаниям плоской симметричной модели молекулы Ga la. Определите частоты основных колебаний в см . [c.245]

К такому же выводу приходят и авторы работы [ ], изучая изменение инфракрасных спектров поглощения кетонов (ацетон, ме-тилгексилкетон, ацетофенон, бензофенон, циклогексанон) под влиянием хлоридов индия и галлия. При исследовании Р взаимодействия карбонилсодержащих молекул парафинового ряда с галогенидами металлов было также показано образование прочного комплекса со связью О—Ме. Выравнивание сопрян енных валентных связей в органической молекуле при взаимодействии атома металла с л-электронами кислорода карбонила является следствием ослабления С=0-свя-зи [ ]. [c.285]

Полупроводниковая электроника — одна из перспективных областей применения галлия. Г аллий используют в этой области для легирования германия (галлий сообщает германию дырочную проводимость). Кроме того, в последнее время уделяется внимание применению интер.металлических соединений галлия (с сурьмой, мышьяком и фосфором), обладающих полупроводниковыми свойствами, для изготовления новых типов полупроводниковых приборов. Соединение галлия с сурьмой (ОаЗЬ) рекомендуется для изготовления термоэлементов (э. д. с. = 400 в) и фототриодов, чувствительных к инфракрасной части спектра. [c.412]

По оптическим свойствам полупроводниковых соединений имеется обширный экспериментальный материал. В качестве примера уже рассматривались выше свойства Лп5Ь — редкий пример материала с прямыми вертикальными переходами электрона. Дисперсия показателя преломления Лп5Ь измерялась рядом исследователей в широком диапазоне длин волн, при этом обнаружено резкое его изменение при Я, = 7 мкм (край основной полосы поглощения) и в видимой части спектра. Желающие могут найти подробные сведения по оптическим свойствам полупроводников и их соединений в [52, 64]. Укажем в заключение, что для ряда материалов, например для арсенида галлия, получено большое расхождение между экспериментальными и теоретическими данными. [c.220]

Есть все основания полагать, что для достижения этой цели потребуется не так уж много времени. Наш оптимизм базируется на новейших достижениях в области разработки высокоэффективных солнечных элементов. Так, в 1989 г. фирмой Боинг (г. Сиэтл, США) создан двухслойный элемент, состоящий из двух полупроводников — арсенида и антимонида галлия — с коэффициентом преобразования солнечной энергии в электрическую, равным 37 %. В обычных кремниевых элементах инфракрасное излучение не используется, в то время как в новом элементе в первом прозрачном слое (арсенид галлия) поглощается и преобразуется в электричество видимый свет, а инфракрасная часть спектра, проходя через этот слой, поглощается и преобразуется в электричество во втором слое (антимонид галлия),в итоге КПД составляет 28 %-1-9 % =37 %, что вполне сопоставимое КПД современных тепловых и атомных электростанций. По прогнозу через 3 года эти солнечные элементы найдут применение в космосе, а в течение 10 лет их стоимость снизится настолько, что станет вполне экономически обоснованным их применение в наземных системах, при этом себестоимость вырабатываемой энергии составит 0,1 долл/(кВт-ч). [c.21]

В рамках конверсионных проектов на КГХК создается производство кремния, необходимого для электронной промышленности, работает опытно-промышленное производство по получению особо чистых материалов - галлия и висмута, рассматривается создание крупного производства по переработке якутских руд с извлечением целого спектра редкоземельных элементов. [c.312]

Наша схема устройства аналогична другим электрооптичеоким модуляторам, за исключением узости электрооптической области и необходимости в линзах для фокусирования света в нее и вывода из нее (см. рис. 4). Следует еще напомнить, что этот модулятор имеет чрезвычайно малые размеры, поскольку длина р—п-перехода — около одного миллиметра. Другая его особенность в том, что фосфид галлия — оранжевый кристалл и является прозрачным только для тех длин волн, которые находятся в зеленой, желтой, оранжевой, красной и близкой инфракрасной областях спектра. Тем не менее, это область включает наиболее известные лазерные длины волн. [c.81]

КПД преобразования энергии в фотоячейке в лабораторных условиях повысился с 16-18% в середине 70-х годов до 28% в настоящее время для ячейки с кристаллическим кремнем и до 35% для ячейки с полупроводником на основе арсенида галлия (ячейка с двумя слоями, которые поглощают различные части солнечного спектра). [c.117]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...