Антимонид галлия

Антимонид галлия, предназначенный для производства полупроводниковых приборов и других целей (ТУ 48-4-464—85, ОКП 17 7591), выпускается в виде нелегированных и легированных теллуром или кремнием монокристаллических слитков, выращенных по методу Чохральского. Длина и диаметр слитков не менее 20 мм. Плотность [c.579]

Галлия антимонид + Лития танталат + — — [c.884]

Химически чистые полупроводники называются собственными полупроводниками. К ним относится ряд химически чистых элементов кремний, германий, селен, теллур и др., а также многие химические соединения арсенид галлия, антимонид индия, арсе-нид индия и др. На рис. 5.6, а показана упрощенная схема зонной структуры собственного полупроводника. При абсолютном нуле валентная зона у него укомплектована полностью, зона проводимости, расположенная над валентной зоной на расстоянии Eg, является пустой. Поэтому при абсолютном нуле собственный полупроводник, как и диэлектрик, обладает нулевой проводимостью. [c.154]

При питании X. д. от источника напряжения V эдс Холла где ц — подвижность осн. носителей заряда. Коэф. использования X. д. = где —мощность, потребляемая входной цепью, Р —мощность, выделяемая во внеш. нагрузке поэтому для создания X. д. необходимо использовать полупроводники с высокой подвижностью носителей заряда. К таким материалам относятся германий, арсенид галлия, антимонид индия. [c.414]

Наиболее широко применяют в качестве электропроводящих покрытия с ПАВ или с металлическими и углеродными наполнителями карбонилом никеля, серебром, медью, нержавеющей сталью, арсенидом или фосфатом галлия, антимонидом индия, сажей, графитом, графитированным волокном. Особенно рас-13в [c.136]

Разница между полупроводниками и изоляторами чисто количественная и определяется величиной энергетической щели ), отделяющей заполненную зону от незаполненной. В полупроводниках эта щель достаточно мала (порядка электронвольта) и они в обычных условиях становятся сравнительно хорошими проводниками. Таким свойством обладают германий и кремний и различные соединения элементов третьей и пятой групп, такие, как антимонид индия и арсенид галлия. В изоляторах щель достаточно велика (несколько электронвольт) и они не проводят ток. Сюда относятся многие ионные соединения, такие, как хлористый натрий. [c.157]

Совсем недавно нашел важные применения и другой полупроводниковый прибор, основанный на отрицательном сопротивлении. В нем используется открытый Ганном [III эффект, который мы вкратце опишем. Ганн обнаружил, что некоторые полупроводники типа А В , такие, как арсенид галлия или антимонид индия, генерируют микроволновые колебания, если приложить к ним большое постоянное электрическое поле. Это явление открывает простой и непосредственный метод генерации. [c.312]

В табл. 82 приведены некоторые физико-химические свойства фосфидов, арсенидов и антимонидов галлия и индия. Эти соединения имеют кубическую решетку типа цинковой обманки (пространственная группа f43m) Сложные полупроводники типа Aii BV выпускаются промышленностью в широком ассортименте. Для характеристики отдельных марок полупроводников используются буквенно-цифровые обозначения. Первыми двумя буквами обозначается собственно полупроводник АГ — арсенид галлия, ФГ — фосфид галлия, ГС — аптимоиид таллия, ИМ — арсенид индия, ФИ — фосфид индия, ИС — аптимоннд индия. Справа добавляется буква, обозначаю-ш,ая тип электропроводимости.- Э — электронный, Д- дырочный. Для ар-сенида галлия после АГ добавляется буква Н для слитков, полученных горизонтальной направленной кристаллизацией, или Ч — для слитков, полученных по методу Чохральского, Далее [c.576]

Антимонид галлия относится к материалам, обнаруживающим признаки нестехиометрической природы соединения, так как технологическими приемалш концентрацию акцепторной примеси в нем не удается снизить меньше, чем на 1,5-10 м , Основные физические свойства GaSb приведены в табл. 14.4, [c.102]

Есть все основания полагать, что для достижения этой цели потребуется не так уж много времени. Наш оптимизм базируется на новейших достижениях в области разработки высокоэффективных солнечных элементов. Так, в 1989 г. фирмой Боинг (г. Сиэтл, США) создан двухслойный элемент, состоящий из двух полупроводников — арсенида и антимонида галлия — с коэффициентом преобразования солнечной энергии в электрическую, равным 37 %. В обычных кремниевых элементах инфракрасное излучение не используется, в то время как в новом элементе в первом прозрачном слое (арсенид галлия) поглощается и преобразуется в электричество видимый свет, а инфракрасная часть спектра, проходя через этот слой, поглощается и преобразуется в электричество во втором слое (антимонид галлия),в итоге КПД составляет 28 %-1-9 % =37 %, что вполне сопоставимое КПД современных тепловых и атомных электростанций. По прогнозу через 3 года эти солнечные элементы найдут применение в космосе, а в течение 10 лет их стоимость снизится настолько, что станет вполне экономически обоснованным их применение в наземных системах, при этом себестоимость вырабатываемой энергии составит 0,1 долл/(кВт-ч). [c.21]

Наиболее исследованными и технологически не очень сложными из них являются фосфиды, арсенилы н антимониды, Серьезное практическое значение в настоящее время приобрели арсенид и фосфид галлия и антимонид индия. Основной метод получения соединений А В — непосредственное взаимодействие компонентов в вакууме или в атмосфере инертного газа. В свойствах соединений В (табл. 8-4) наблюдаются некоторые закономерности, которые показаны на рис. 8-27. [c.261]

По величине запрещенной зоны тела второй группы условно делят на диэлектрики и полупроводники. К диэлектрикам относят тела со сравнительно широкой запрещенной зоной. У типичных из них fg > 3 эВ. Так, у алмаза Eg = 5,2 эВ, у нитрида бора 4,6 эВ, у AI2O3 7 эВ и т. д. К полупроводникам относят тела со сравнительно узкой запрещенной зоной. У типичных из них Eg < 1 эВ. Так, у германия Eg = 0,65 эВ, у кремния 1,08 эВ, у арсенида галлия 1,4 эВ, у антимонида индия 0,17 эВ. Рассмотрим эту группу тел более подробно. [c.154]

Так как в собственном полупроводнике количество электронов Б зоне проводимости должно быть равно количеству дырок в валентной зоне, то, как легко видеть из рис. 6.1, б, уровень Ферми должен располагаться в этих полупроводниках примерно в середине запрещенной зоны (более точно его положение будет определено ниже). В этом случае условие невырожденности (6.1) будет выполнено, если Egl2 > kT, т. е. если Eg> 2 kT. При комнатной температуре kT = 0,025 эВ. Ширина же запрещенной зоны у полупроводников обычно больше 0,1 эВ (она равна г 0,7 эБ у германия, 1,1 эВ у кремния, 1,35 эВ у арсенида галлия, 0,35 эВ у арсеннда индия, 0,177 эВ у антимонида индия и т. д.). Поэтому электронный газ в собственных полупроводниках является невырожденным и подчиняется статистике Максвелла —Больцмана. Этот вывод справедлив и для дырок, находящихся в валентной зоне. [c.160]

Системы III—V. Арсениды и антимониды алюминия, галлия и индия являются важными интерметаллическими соединениями в этой группе. Сплавы, содержащие таллий и висмут, в общем не образуют интерметаллических соединений, потому что налицо большие размерные факторы. Несколько арсенидов и антимонидов было исследовано в жидком состоянии данные собраны в приложениях XL и XLI. Во всех случаях удельное сопротивление уменьшается после плавления в 2—10 раз и в жидкой фазе носит металлический характер (- -ЮО мком-см) и увеличивается с повышением температуры. Постоянная эффекта Холла в InSb отрицательная в жидком состоянии, положительная в твердом [405]. Неметаллическая связь любого типа в этих металлах после плавления сильно разрушается это под-тве эждает сильное уменьшение энтальпии смешения. Изотерма удельного сопротивления имеет максимум при стехиометрическом соотношении, как и вязкость, в то время как магнитная восприимчивость достигает такого же резкого минимума [401,402]. [c.132]

Полупроводниковые соединения получают разными способами из расплава, содержащего элементы б равных атомных концентрациях (стехиометрического расплава) из раствора соединения элемента П1 группы, содержащегося в избытке, из газообразной фазы и в результате химических реакций. Последними двумя методами получают небольшие кристаллы. Все антимониды, арсениды галлия и индия получают обычно из стехиометрических расплавов. [c.69]

Арсениды, антимониды и фосфиды индия и галлия получают сплавлением компонентов в вакууме кварцевых труб. [c.250]

Температуры плавления соединений А В понижаются с ростом суммарного атомного номера и атомных масс входящих в соединение элементов. Точки плавления лежат выше соответствующих температур плавления элементов, из которых состоит соединение, за исключением антимонида индия, температура плавления которого (536° С) лежит между температурой плавления сурьмы (630° С) и индия (157° С). С увеличением атомной массы и суммарного номера соединений уменьшается ширина запрещенной зоны, так как происходит размывание электронных облаков ковалентных связей и они все более приближаются к металлическим (скачкообразный переход к металлической связи наблюдается после соединения 1п5Ь у сплавов индия с висмутом, галлия с сурьмой и т. д.). [c.359]

Большие работы ведутся по исследованию интерметаллических соединений (арсенида галлия, антимонида индия и др.), обладающих такими отличительными параметрами, как малые времена жизни носителей и высокие подвижности. [c.173]

Электросопротивление полупроводников обычно сильно зависит от температуры. К числу приборов и устройств, принципы работы которых основаны на свойствах полупроводников, относятся полупроводниковые триоды (транзисторы), многие типы выпрямителей, модуляторов, детекторов, термисторов и фотоэлементов. В этой главе мы рассмотрим главные физические свойства полупроводниковых кристаллов, в частности германия и кремния, Другихми важными кристаллами являются закись меди (СигО), селен (Se), теллурид свинца (РЬТе), сульфид свинца (PbS), карбид кремния (Si ), антимонид индия (InSb), арсенид галлия (GaAs) и графит (С). [c.380]

Несколько слов о названиях и обозначениях. Полупроводниковые соединения элементов А и В, где А — трехвалентный элемент, а В — пятивалентный элемент, обозначаются обычно как соединение АщВу. Примером мол-сет служить антимонид индия и арсенид галлия. Если А — двухвалентный, а В — шестивалент-ный элемент, то соответствующие соединения обозначают как AiiBvi примерами могут служить сульфид цинка и сульфид кадмия. Кремний и германий иногда называют полупроводниками [c.380]

Ф. с. используется для исследования и анализа примесей в кремнии, арсениде галлия, фосфиде галлия, фосфиде индия, антимониде индия, тел-луриде кадмия, алмазе. [c.829]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...