Антистоксовы линии

Интенсивности спектральных линий, возникающих при К, р. с., очень малы н при обычных. методах наблюдения составляют 10 —10 Вт, причём интенсивность антистоксовых линий значительно меньше, чем стоксовых. [c.419]

Рис. 9.10. Спектры излучения в прямом (верхний рисунок) и обратном (нижний рисунок) направлениях со стоксовыми и антистоксовыми линиями нескольких порядков, генерируемыми без оптической изоляции между лазером и световодом. Разность частот между соседними линиями 34 ГГи [32].

Рис. 10.8. Спектр стоксовых и антистоксовых линий четырехволнового смешения в одномодовом световоде. Видна также полоса ВКР [15].

Интенсивности стоксовой и антистоксовой линий КР изменяются с температурой. Вблизи края межзонного поглощения интенсивность линий КР определяется выражением, полученным в теории резонансного КР [3.72] [c.88]

Рис. 3.9. Температурная зависимость отношения интенсивностей стоксовой и антистоксовой линий в спектре комбинационного рассеяния. Возбуждение линией 514,5 нм (Аг -лазер). Монокристаллы алмаз (7), кремний (2) и германий (5)

Случайная погрешность термометрии обусловлена флуктуациями числа рассеянных квантов (особенно это относится к антистоксовым квантам). Для уменьшения этой погрешности необходимо накапливать сигнал в течение достаточно длительного времени, зависящего от интенсивности возбуждающего излучения. Расчетные значения ns/n не совпадают с экспериментальными, если не приняты во внимание разная отражательная способность дифракционных решеток и разная чувствительность ФЭУ для стоксовой и антистоксовой линий. При возбуждении КР лазерными линиями с разными длинами волн эти эффекты проявляются в разной степени. [c.182]

Из измерительных характеристик термометрии КР наиболее важной представляется высокая пространственная разрешающая способность, близкая к половине длины волны зондирующего света. Относительная температурная чувствительность интенсивности антистоксовой линии составляет [7.19] [c.186]

Для термометрии поверхности метод КР привлекателен еще тем, что с его помощью можно регистрировать и изучать неравновесные состояния фононной подсистемы. Такие неравновесные состояния, характеризуемые высокой эффективной температурой отдельных подсистем, могут оказывать влияние на скорость поверхностных процессов (диффузию, химические реакции и т.д.). Например, при ионной или электронной бомбардировке поверхности возможна генерация неравновесных фононов. При этом интенсивность антистоксовой линии КР может существенно увеличиться, что проявится в аномально низком отношении /д//а8 для данной температуры. Проблема регистрации таких состояний заключается в том, что при столкновении одной частицы с поверхностью неравновесность локализована в очень малых пространственно-временных интервалах (на длинах порядка 10 см и временах 10 с), и при усреднении по площади зондирующего пучка и по времени зондирования регистрируемый эффект может быть чрезвычайно мал. [c.187]

Интенсивность стоксовых и антистоксовых линий возрастает. [c.114]

Каковы относительные интенсивности стоксовых и антистоксовых линий в колебательных и вращательных КР-спектрах двухатомных. молекул при комнатных температурах В каком случае эти различия больше Приведите наиболее полный ответ. [c.114]

В колебательном и вращательном спектрах интенсивности стоксовых и антистоксовых линий при.мерно одинаковы. [c.114]

В колебательном и вращательном спектрах антистоксовы линии сильнее стоксовых. [c.115]

Следовательно, в спектре рассеянного света, кроме основной (несущей первичной) частоты будут наблюдаться комбинации v +v, и v —V,-. Смещенные стоксовы и антистоксовы линии отвечают как раз собственным частотам колебаний молекулы V,-. При этой же частоте находится полоса поглощения в инфракрасной области спектра. [c.751]

Предположим также, что в разных областях комплексной плоскости эти два решения ведут себя совершенно различным образом есть области, где одно из этих решений много больше другого, и области, где эти решения одного порядка. Стоксовы и антистоксовы линии разграничивают эти области. [c.690]

Антистоксовы линии в комплексной плоскости определяются следующим условием [c.690]

Таким образом, на антистоксовых линиях решения /1 и /2 одинаковы по абсолютной величине. Стоксовы же линии определяются условием [c.690]

Тогда условие Rez = О определяет антистоксовы линии [c.691]

Таким образом, показано, что при перечисленных условиях второй член описывает стоксовы и антистоксовы линии (с частотами ыь — м и i, + м) эффекта спонтанного комбинационного рассеяния. Изложенные выше рассуждения могут быть использованы для оценки порядка величины 0(1)... Согласно уравнению (2,22-11), усредненная по времени мощность (L), излученная одной молекулой в полный телесный угол на частоте ( I, — м), пропорциональна величинам a(i).. .(fi.) р, и ((UL—а>м) Ч коэффициент пропорциональности определяется универсальными константами. Выше были указаны численные значения величин, характеризующих [c.135]

ДЛЯ волновых векторов рассматриваемых волн. Абсолютные значения волновых векторов удовлетворяют соотношению 1 (/) I = (//с)/ < > (/). Вследствие дисперсии среды уравнение (4.21-1) не может соблюдаться, если все волны распространяются в направлении г (фиг. 35). При обычных дисперсиях углы 05, В А составляют несколько градусов (на фиг. 36 показан пример антистоксовых линий с Ь = - 1, -Ь2). [c.206]

Средние для стоксовых н антистоксовых линий) [c.49]

Таким образом, в данном приближении, согласно квантовой механике, получаются те же инфракрасные и комбинационные колебательные спектры, что и согласно классической механике, по крайней мере, в отношении положения линий и их наличия или отсутствия в спектре. Однако, так же как и для двухатомных молекул, имеется существенное различие в отношении интенсивностей комбинационных линий. В то время как, согласно классической теории, стоксовы и антистоксовы комбинационные линии с частотами v — ю,. и v- ш должны иметь одинаковую интенсивность, с точки зрения квантовой теории, в согласии с результатами наблюдения, антистоксовы линии имеют гораздо меньшую интенсивность, так как число молекул, находящихся в начальном [c.270]

СОСТОЯНИИ 1 = 1 для антистоксовых переходов, составляет долю е—числа молекул, находящихся в начальном состоянии и,- = 0 для стоксовых переходов (в основном состоянии), в двухатомных молекулах никогда не наблюдались антистоксовы колебательные комбинационные линии. В многоатомных молекулах антистоксовы линии наблюдались, однако, только для малых частот, примером чего служит фиг. 77. Отношение интенсивностей антистоксовых линий к соответствующим стоксовым линиям соответствует множителю Больцмана. [c.271]

Отношение интенсивностей антистоксовых и стоксовых линий определяется, в основном, множителем Больцмана е—(Ог,йс//гГ) Однако и в данном случае при точных определениях этого отношения необходимо учитывать частотный множитель, равный (у — у ) для стоксовых линий и (у4- /) для антистоксовых линий. [c.283]

Колебательный статистический вес g 532 Комбинационное рассеяние 264, 275 Комбинационные линии отношение интенсивностей стоксовых и антистоксовых линий 271 поляризация и деполяризация 268, 269 Комбинационные полосы 271 неразрешенные 427, 473, 521 [c.602]

Данные, полученные в самое последнее время, показали, что даже в жидкостях и твердых телах помимо излучения, выходящего по образующей конуса, существует интенсивное излучение с частотой Ма = соь + со , идущее в прямом направлении. Углы конусов, измеренные в жидкостях, а также спектральная ширина различных стоксовых и антистоксовых линий определяются, по-видимому, особенностями экспериментальной установки и свойствами фокуса. [c.242]

Возбуждение волн со стоксовыми и антистоксовыми частотами в фокусированном лазерном луче высокой интенсивности является замечательным явлением, однако экспериментальные условия не обладают достаточной определенностью для того, чтобы проверить теорию и выяснить природу различных физических механизмов этого явления. Возникшую здесь ситуацию можно сравнить с изучением работы и характеристик электронной лампы. В первую очередь лампа исследуется как усилитель слабых сигналов, а не как мощный генератор. С этой точки зрения свойства веществ, использующихся в комбинационном лазере, должны исследоваться в тонких кюветах такой толщины, при которой невозможно самовозбуждение колебаний на комбинационных частотах под действием интенсивного лазерного излучения с частотой мь- В этом случае можно измерить усиление, если направить в кювету также излучение малой интенсивности с частотами со,, или о а. Экспериментально всегда можно поддерживать усиление на уровне меньшем чем 2—3 раза. При этом не будет ни уменьшения интенсивности лазерного излучения, ни заметного возбуждения стоксовых и антистоксовых линий высших порядков. При такой постановке опыта можно независимо контролировать интенсивность, поляризацию, направление и частоту луча лазера и луча стоксовой частоты. В идеальном случае каждый из лучей состоял бы только из одной моды, т. е. был бы монохроматичным и имел бы только дифракционную расходимость. Такие эксперименты могли бы дать надежные значения комбинационных восприимчивостей и обеспечить детальную проверку теории, изложенной в гл. 2 и 4. Схема возможной экспериментальной установки приведена на Фиг. 31. [c.248]

Квантовая теория объясняет различие интенсивностей стоксовых II антистоксовых линий К. р, с. Поскольку вероятность рассеяния пропорц. числу рассеивающих молекул, интенсивности и определяются населённостями нулевого и 1-го колебат. уровней энергии молекул. При не очень высоких темп-рах населённость 1 го колебат. уровня невелика (напр., при комнатной темп-ре при колебат, частоте iOOO см на 1-м уровне находится 0,7% всех молекул), [c.421]

Когда пикосекундные импульсы распространяются по многомодовому световоду, на протекание четырехволновых процессов действует не только ВКР, но и ФСМ, ФКМ и дисперсия групповых скоростей. В недавнем эксперименте [28] импульсы накачки длительностью 25 ПС на длине волны 532 нм распространялись по световоду длиной 15 м, поддерживавшему четыре моды на длине волны накачки. На рис. 10.4 показаны спектры излучения на выходе световода. При мощности накачки ниже пороговой наблюдалась только линия накачки (спектр а). Три пары стоксовых и антистоксовых линий со сдвигом частот 1-8 ТГц наблюдались при мощности накачки несколько выше пороговой (спектр б). Стоксовы и антистоксовы линии примерно одной амплитуды, что говорит об отсутствии заметного ВКР в этом случае. Однако при увеличении мощности накачки из-за комбинационного усиления стоксовы линии становятся намного более интенсивными, чем антистоксовы (спектр в). При дальнейшем увеличении мощности накачки стоксовы линии, близкие к пику комбинационного усиления, сравниваются по интенсивности с накачкой, а антистоксовы остаются слабыми (спектр г). В то же время наб 1юдается уширение и расщепление накачки и стоксовой линии, характ. рное для [c.291]

Метод термометрии по отношению Is/Ias наиболее удобен для материалов с широкими линиями КР, для которых трудно определить положение максимума с высокой точностью [7.9]. Кроме того, этот метод термометрии наиболее эффективен в области высоких температур, поскольку при температурах 300-Ь400 К интенсивность антистоксовой линии очень мала, и при этом погрешность термометрии может достигать 10 К [7.10]. В области криогенных температур интенсивность [c.183]

Как меняется интенсивность стоксовых и антистоксовых линий в колебательном КР-опектре двухатомной молекулы при повышений температуры [c.114]

Определение стоксовых и антистоксовых линий. Ответ на этот вопрос надо искать в комплексной плоскости, и связан он с так называемыми линиями Стокса. В литературе существует два определния стоксовых и антистоксовых линий. Мы будем придерживаться определения, предложенного Хедингом. [c.690]

Таким образом, становится возможным создание антистоксова лазера с переворачиванием спина, работающего в непрерывном временном режиме. При непрерывном облучении кристалла п-1п5Ь (размеры 4Х2Х Х2 мм , Пе=1-10 см ) светом СО-лазера мощностью 3 Вт достигаются при В = 0,05 В-с-м- (= 500 Гс) следующие мощности излучения 0,2 Вт (первая стоксова линия), 0,015 Вт (вторая стоксова линия, антистоксова линия). [c.401]

СТОКСА ПРАВИЛО (Стокса закон) — утверждает, что длина волны фотолюминесценции больше, чем длина волны возбуждающего света. Такая формулировка п. в большинстве случаев не ссответствует действительности, т.к. часто существует т. н. антистоксова часть сиектра фотолюминесценции— антистоксовы линии — с длинами волн короче возбуждающей. Более широкую область применения имеет С. п. в формулировке ЛГоммеля максимум сиектра люмипесценции сдвинут в сторону длинных волн по отношению к максимуму спектра поглощения. С. п. означает, что при люминесценции испускаются кванты меньшей эпергии, чем кванты возбуждающего света. Количественным уточнением С. н. является зависимость квантового выхода люминесценции от длины волны возбуждающего света (см. Вавилова закон). М. Д. Га.ганин. [c.84]

До настоящего времени вращательные комбинационные спектры с разрешенной структурой получены лишь для двух линейных многоатомных молекул СОа и СдНа. В табл. 4 даны комбинационные вращательные частоты молекулы СОо, наблюденные Гаустоном и Льюисом [458] (приведены средние значения для стоксовых и антистоксовых линий). Так как расстояние между [c.33]

J Наблюденная частота средняя для стоксовой и антистоксовой линий Вычисленная частота при В = 0,393 см-1 J Наблюденная частота (см- ), средняя для стоксовой и антистоксовой линий ВычкслеЕшая частота при = 0,3937 см-1 [c.34]

Типичное распределение интенсивности по частотам и направлениям показано на фиг. 29. Частотный спектр, проинтегрированный по всем направлениям, можно получить с помощью спектрального прибора высокой разрешающей силы, на щель которого проектируется изображение матовой стеклянной пластинки, расположенной за кюветой комбинационного рассеяния в непосредственной близости от нее. Стойчев [46] указал на некоторые характерные особенности, относящиеся к ширине и структуре линий. При очень высоких уровнях мощности происходит уширение линий, которое может достигать 50 см что в 10 раз превышает ширину линии спонтанного комбинационного рассеяния Вблизи от порога антистоксовы линии могут быть значительно более узкими, чем Г, и иметь ширину 0,2 см К [c.240]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...