Кривые резонанса

Чем выше добротность системы Q (чем меньше затухание d), тем острее кривая резонанса. Ширина кривой резонанса на некоторой условно выбранной высоте может также служить количественной характеристикой эфс )екта резонанса. Ширину кривой резонанса принято измерять на высоте X = DJX sk (см. рис. 388). При так выбранном значении амплитуды смещений энергия колебаний составляет 0,5 от максимальной энергии колебаний при резонансе (так как энергия колебаний пропорциональна Х ). Ширина полосы резонанса Д(о на выбранной таким образом высоте называется шириной полосы резонанса по половине мощности . Ао> тем меньше, чем меньше затухание d, и при малых затуханиях пропорциональна d. [c.614]

Рис. 5.36. Кривые резонанса второго рода.

Рис. 5.37. Амплитудная кривая резонанса второго рода.

Демпфирующим свойствам материалов посвящена большая литература. Отметим литературные источники, в которых приводится библиография по этому вопросу Пановко Я- Г, Внутреннее трение при колебаниях упругих систем. — М. Физматгиз, 1960 Писаренко Г. С. Рассеяние энергии при механических колебаниях. — Киев Наукова думка, 1962 Писаренко Г. С., Яковлев А. П., Матвеев В. В. Вибропоглощающие свойства конструкционных материалов (справочник). Киев Наукова думка, 1971. Помимо основных понятий о демпфирующих свойствах материалов обсуждены основные методы определения характеристик рассеяния энергии при продольных, крутильных и изгибных колебаниях (энергетический, термический, статической петли гистерезиса, динамической петли гистерезиса, кривой резонанса, фазовый, резонансной частоты, затухающих колебаний, нарастающих резонансных колебаний) и приведена информация о демпфирующих свойствах многих материалов. [c.68]

Связанные контуры (СК) позволяют получить более прямоугольную кривую резонанса (фнг. 2). В СК интересуются [c.555]

Логарифмический декремент затухания п связан с кривой резонанса (если она достаточно остра) формулой [c.112]

Один из них будет больше единицы, другой — меньше. В первом случае кривая резонанса пологая, во втором — острая. Для практики важно получить возможно большее поглощение в широком диапазоне частот, поэтому выбирают Для этого следует соответственным образом рассчитать параметры резонансной системы 6, о, I, К и [c.187]

На кривых резонансов третьего порядка всюду имеет место орбитальная неустойчивость, кроме точек Р1в(0,809339, 0,449) и Р17(0,831 305, 0,336) на кривой ЗЛ = 5 и точки Рх8(0,954 319, 0,389) на кривой ЗЛ = 4, в которых имеет место орбитальная устойчивость. [c.544]

Кривая резонанса механически-акустического колебательного комплекса, возбуждаемого электрическим путем, может быть получена [c.509]

Из кривой резонанса <фиг. 26) можно получить механически-электрический к. п. д. в виде отношения отрезков АВ/АС. [c.509]

Не СТОЛЬ полным образом характеризуется влияние фундамента известными кривыми резонанса, указывающими только амплитуду колебаний, но не фазу. [c.517]

Острота кривой резонанса 423. Отбельные земли 200. [c.465]

Ширина кривой резонанса 42S, Шихта 140. [c.467]

Острие наращенное 310, XIX. Острота кривой резонанса 423, XIX [c.463]

И. одного контура определяется из кривой резонанса, дающей зависимость тока (или напряжения или усиления) от частоты или пропорциональной ей длины волны или емкости контура (ось абсцисс). Для сравнения кривых, принадлежащих различным контурам, вместо значений I по оси ординат наносят отношение [c.476]

На фиг. 2 показаны получающиеся кривые резонанса при 1, 2 и 3 контурах — все с () = = 50. Во втором случае при включении контуров по наиболее рациональной и распространенной схеме, показанной на фиг. 3, имеем для одного каскада [c.477]

Другие резонансные кривые . Поведение гармонического осциллятора, находящегося под действием внешней силы, можно описать различными величинами, которые имеют подобные (но не одинаковые) формы кривой резонанса , т. е. зависимости от частоты. Такими величинами являются амплитуда поглощения Л , [c.112]

При резонансах четвертого порядка картина устойчивости более сложная. В области устойчивости линейной задачи существуют восемь кривых, на которых выполнены резонансные соотношения четвертого порядка. Эти кривые изображены на рис. 14. На шести из них в резонансных соотношениях /с Я + к Х — величины и Ла имеют одинаковые знаки. Проведенные расчеты показали, что на кривых резонансов четвертого порядка существуют как участки устойчивости в четвертом приближении (при учете в разложении гамильтониана членов до четвертого порядка), так и участки неустойчивости по Ляпунову. Результаты численных расчетов представлены в табл. 7. [c.166]

На рис. 14 построены кривые, соответствующие резонансам ]С1%1 + 2 2 = N третьего и четвертого порядков ( 11 + 2 ( = = 3 или 4). На тех резонансных кривых, для которых целые числа кг и 2 имеют разные знаки, точки либрации устойчивы при учете в разложении функции Гамильтона членов до четвертого порядка включительно относительно координат и импульсов возмущенного движения если же на таких кривых не выполняются другие резонансные соотношения более высокого порядка (выше четвертого), то имеет место формальная устойчивость. На кривых резонансов третьего порядка с одинаковыми знаками чисел и 2 точки либрации оказались неустойчивыми по Ляпунову. На аналогичных кривых, соответствующих резонансам четвертого порядка, точки либрации либо неустойчивы по Ляпунову, либо устойчивы при учете в разложении гамильтониана членов до четвертого порядка включительно. Интервалы устойчивости и неустойчивости при резонансах четвертого порядка приведены в табл. 7. Устойчивость в случае кратных резонансов (соответствующих пересечению кривых резонансов третьего и четвертого порядков) не исследовалась. [c.170]

В заключение выскажем еще некоторые соображения об устойчивости точек либрации для значений параметров е и л, лежащих в незаштрихованных областях рис. 18 и 19 и принадлежащих кривым резонансов пятого и шестого порядков. Предположим, что резонансы однократные, т. е. выполняется только одно резонансное соотношение при + = 5 или 6 и нет резонансных соотношений более высокого порядка. В общем случае такое предположение справедливо. Множество точек кратных резонансов имеет нулевую меру. [c.171]

Хз = 1, кроме трех одночленов, зависящих от произведений Чз Рз (/ = 1, 2, 3), нельзя уничтожить еще восемь одночленов, содержащих либо только дз и рд, либо д , р и произведения дхр[ или д р . Таким образом, если параметры е и ц не принадлежат кривым резонансов третьего или четвертого порядка, то [c.178]

Амплитуды вынужденных колебаний зависят не только от соотношения между частотами ш и (Оц, но и от величины сил трения в системе. Как видно из (17.22), чем больше затухание а, тем меньше при прочих равных условиях амплитуда вынужденных колебаний. Но вдали от резонанса силы трения вообш.е не играют заметной роли поэтому и изменение величины сил трения мало изменяет амплитуду вынужденных колебаний. В области резонанса, где именно силы трения играют сс-новную роль, изменение их существенно сказывается на изменении амплитуды вынужденных колебаний. В частности, при резонансе, как видно из (17.25), амплитуды вынужденных колебаний изменяются обратно пропорционально Ь. Поэтому с увеличением сил трения вся кривая резонанса опускается вниз, но максимум этой кривой опускается гораздо резче, чем области, далекие от резонанса (рис. 394) кривая резонанса при увеличении сил трепия притупляется. Менее резкими становятся и изменения сдвига фаз в области резонанса. С увеличением затухания системы все явление резонанса становится все менее и менее заметным и при больших затуханиях (6 порядка 1 и больше) вообще исчезает. [c.611]

На приборах, основанных на резонансном методе, внутреннее трение стекол определяется по кривой резонанса вынужденных колебаний стеклянных пластинок, возбуждаемых с помощью пьезодатчиков или электростатически. В этом случае [c.112]

Для определения запретной зоны на графике фиг. 28 вычерчиваются Тэоп, соответствующие режиму работы установки, и кривые резонанса — напряжения от крутильных колебаний, подсчитанные на формуле (106). Запретная зона определяется при этом, как показано на фиг. 28. [c.199]

Рис. 3. Области параметрического резонанса и кривые резонансов до четвертого порядка включительно. Области параметрического резонанса заштрихованы. В неза-штрихованных областях прецессия Гриоли орбитально устойчива в первом приближении

На кривых Р4Р5 и Р4Р6 имеет место резонанс первого порядка Л = 2, а на границах области параметрического резонанса, исходящей из точки Р7, — резонанс второго порядка 2Л = 3. Внутри областей устойчивости в первом приближении существуют две кривые резонансов третьего порядка (ЗЛ = 5 и ЗЛ = 4) и две кривые резонансов четвертого порядка (4Л = 7 и 4Л = 5). Они начинаются (см. рис. 3) [c.543]

На кривой резонанса четвертого порядка 4Л = 7 обнаружены участки неустойчивости Р19Р20 и Р2 Р22- в граничных точках этих участков Р1д(0,7221, 0,5905), Рао(0,7224, 0,5895), Р21(0,809, 0,332), [c.544]

Для значений параметров вь, 9с, лежащих вне областей параметрического резонанса и не принадлежащих рассмотренным выше кривым резонансов до четвертого порядка включительно, прецессия Гриоли орбитально устойчива всюду, кроме, быть может, кривой, на которой нарушается условие Арнольда-Мозера изоэнергетической невырожденности гамильтониана возмущенного движения. Эта кривая состоит из пяти участков, показанных на рис. 4 штриховыми линиями участок, проходящий через точку Р2б(0,56776, 0,56776) и точку Р12 участок, соединяющий точки Ре и Р26(0,83902, 0,16098) участки Р14Р3 и Р15Р9 петлеобразный участок, лежащий между кривой ЗЛ = 4 и вертикалью вь = 1- [c.544]

Заключение. Таким образом, вопрос об орбитальной устойчивости регулярной прецессии Г риоли решен для почти всех допустимых значений параметров из области вс 0,01. Для оставшихся неисследованными шести точек Рк+18 ( = = 1, 2,..., 6), лежащих на кривых резонансов четвертого порядка, и для кривой изоэнергетической вырожденности при анализе устойчивости необходимо рассмотреть члены выше четвертой степени в разложении гамильтониана возмущенного движения в ряд. [c.544]

Для определения акустическ и-э лектрического к. п. д. необходимо определить вторую кривую резонанса без излучения звука. [c.509]

При этом нужно следить, чтобы на экране осциллографа форма напряжения оставалась синусоидальной. Следует помнить, что чем-меньше затухание контура, тем острее форма кривой резонанса. Если на экране осциллографа появится двугорбая кривая резонанса, то два связанных контура, какими является избирательная ячейка, обладают двумя собственными частотами и резонанс наступает на каждой из них, что является результатом сильной связи между контурами. Устраняется это явление уменьшением числа витков выходной обмотки первого контура. Иногда бывает, что не удается использовать второй, уже настроенный контур и получить. [c.143]

Применения П. весьма многочисленны и разнообразны. Пьезокварцевая пластинка употребляется как волноуказатель ш как стандарт частоты (Кэди, 1922 г.), особенно будучи помещена в разреженный газ (Гибе и Шайбе, 1926 г.), где она светится при резонансе монтировка имеет внешний вид электрич. лампы. Этим и аналогичными способами приготовлены стандарты и волноуказатели на самые различные частоты, начиная от самых коротких радиотелеграфных до 1 ООО колебаний в ск., т. е. на не очень высокую звуковую частоту. Достигаемая при этом точность определения частоты весьма велика (до тысячных долей %) и обусловлена чрезвычайно малым затуханием колеблющихся пьезокварцевых пла-<1синок, вследствие чего кривая резонанса [c.339]

Принципиальная схема машинного телефонного Р. дана на фиг. 4. Физические основы телефонии машинным Р. сводг.тся к следующему. Нелинейное изменение индуктивного сопротивления модулирующего дросселя при изменении тока поляризации, накладываясь на кривую резонанса антенного контура, в результате дает линейное изменение тока в последнем, причем неискашенная модуляция м. б. осуществлена с глубиною в 70 %. Практически заснятая модуляционная характеристика машинного Р. представлена на фиг. 5. Фильтрация гармоник в машинном телефонном Р. производится включением мешду антенною и контуром последнего каскада умношения еще одного промешу-точного контура, а такше применением емкостной связи с антенною. Мощность модулирующего устройства сильно зависит от диапазона частот, требуемых к передаче с постоянною глубиною модуляции. Так напр., при коммерч. связи, где требуется полноценное пропускание частот от 100 до 2 ООО пер., мощность модулирующего устройства равна лишь 7 % от мощности в антенне на несущей волне. При концертной ше передаче она возрастает до 20 % от той ше величины. Конечно очень большую роль в мощности модулирующего устройства играет электрич. качество [c.382]

Методы свободных и вынужденных колебаний дополняют один другой. При малом внутреннем трении (слабом затухании) точнее определяется декремент затухания из свободных колебаний. Точное установление полуширины затрудняется резкой остротой кривой резонанса. При большом внутреннем трении положение обратное и более пригоден метод вынужденных коле баний. В практике металловедения наиболее широкое ггрименение получил низкочастотный крутильный маятник,, опиоаи- [c.243]

Емкостная связь меигду К. с. искажает форму результирующей кривой резонанса контуров, делая ее несимметричной, и нарушает условия количественного действия связи, предусмотренные расчетом. Для устранения емкостной связи между К. с., что нередко играет очень важную роль, помещают между ними металлическую заземленную сетку. Эти экраны, ослабляя незначительно магнитное поле между К. с., перехватывают почти полностью электрические силовые линии между ними. Плавность изменения связи в переменных К. с. зависит от характера перемещения подвижной К. с. Практически существуют следующие виды перемещения К. с. 1) изменение аксиального расстояния между катушками 2) угловое смещение или вращение одной из катушек 3) радиальное смещение 4) изменение связи путем помещения между катушками металлического экрана. [c.25]

Рис. 3 10. Энергетическая зависимость эффективного сечения рассеяния фотонов на ядре свинца РЬ, выявляющая гигантский дипольный резонанс. Точками представлены экспериментальные данные, а сплошной кривой — резонанс Брейта — Вигнера Berlman В. L., Fultz S. ., Rev. Mod. Phys, 47, 713 (1975)].

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...