Дислокации краевые (линейные)

Различают дислокации краевые (линейные) и винтовые. Краевая дислокация представляет собой несовершенство решетки (рис. 45), когда число атомных плоскостей, расположенных выше и ниже плоскости скольжения, неодинаково. Лишняя по сравнению с идеальной решеткой плоскость (экстраплоскость) мо- [c.111]

Другим важнейшим видом несовершенства кристаллического строения являются так называемые дислокации. Представим себе, что в кристаллической решетке по каким-либо причинам появилась лишняя полуплоскость атомов, так называемая экстраплоскость (рис. 8). Край 3—3 такой плоскости образует линейный дефект (несовершенство) решетки, который называется краевой дислокацией. Краевая дислокация может распространяться на многие тысячи параметров решетки, для нее вектор Бюргерса (см. с. ООО) перпендикулярен экстраплоскости. В реальных металлах дислокации смешанные на некоторых участках — краевые, на других — винтовые. [c.28]

Прн краевой (линейной) дислокации (рис. 1.11) в раздвинутую верхнюю часть совершенной кристаллической решетки как бы внедрена добавочная атомная плоскость PQ (экстраплоскость), перпендикулярная к плоскости чертежа. Число рядов атомов над плоскостью АС на один ряд больше, чем под ней. Край экстраплоскости называют линией дислокации, поперечное сечение которой состоит из наиболее упруго искаженной области кристаллической решетки [c.18]

Как вытекает из линейной теории упругости, в изотропном и однородном теле при любом поле внутренних напряжений средняя дилатация равна нулю. Поэтому даже в случае краевой дислокации приближение линейной теории упругости не показывает увеличения объема в среднем по кристаллу. Вблизи дислокаций деформация так велика, что линейная теория упругости неприменима и следует учитывать нелинейное расширение. [c.48]

Когда направление сдвига параллельно линии дислокации, она называется винтовой (спиральной), в отличие от краевой (линейной). Представьте себе, что вы, уменьшившись до субатомного размера, взбираетесь по винтовой лестнице, ступеньками которой служат атомные плоскости, отделенные друг от дру- [c.46]

Линейные дефекты. Линейные несовершенства имеют малые размеры Б двух измерениях и большую протяженность в третьем измерении. Этими несовершенствами могут быть ряд вакансий или ряд межузельных атомов. Особыми и важнейшими видами линейных несовершенств являются дислокации — краевые и винтовые. [c.19]

Дислокации бывают краевые (линейные), винтовые и смешанные. Первоначально было введено понятие о краевых дислокациях. В дальнейшем это понятие было расширено и введено понятие [c.24]

Краевая (линейная) дислокация, например, не может оканчиваться внутри кристалла, не давая начала винтовой дислокации. [c.28]

Простейшая модель образования основных двух типов дислокаций может быть легко продемонстрирована на небольшом куске толстой резиновой трубы, отрезанной от шланга высокого давления. Для этого на куске трубы длиной около 100 мм делают с одной стороны разрез. Тогда при сдвиге верхней его части (фиг. 15, а) в направлении, перпендикулярном к оси трубы, можно продемонстрировать модель образования краевой (линейной) дислокации, а при сдвиге в направлении, параллельном к оси (фиг. 15, б), — модель образования винтовой дислокации. [c.30]

Природа границ зерен и блоков. Для границ блоков и зерен близкой ориентации в настоящее время разработана дислокационная теория, позволяющая делать предсказания экспериментальных фактов. На фиг. 21 (а и б) дана дислокационная модель соединения двух кристаллических зерен или блоков с простой кубической решеткой, у которых угол их относительного поворота 0 очень невелик, что означает небольшую разницу в их ориентации. В этой модели показано расположение краевых (линейных) дислокаций, обозначенных знаком J . [c.36]

Линейные дефекты по размерам в двух направлениях сравнимы с межатомными расстояниями, а в третьем простираются на многие тысячи периодов кристаллической решетки. Важнейшими видами линейных несовершенств являются краевые (линейные) и винтовые дислокации. [c.21]

Одномерные дефекты. К одномерным дефектам строения кристаллической решетки относятся дислокации. Типичным представителем искажений такого класса (линейного дефекта) является краевая дислокация. Краевая дислокация представляет собой искажение решетки в окрестности края полуплоскости атомов, оборванной плоскости, называемой экстраплоскостью (значок на рис. 1.8), возникающей в кристаллической решетке по тем или иным причинам. Если полуплоскость расположена в верхней части решетки, линейная дислокация считается положительной, если же в нижней части решетки, дислокация считается отрицательной. Длина краевой дислокации может в тысячи раз превышать модули векторов трансляции, т. е. параметры решетки (перпендикулярно плоскости рис. 1.8). Дислокацию можно [c.26]

Другим важным отличием реальной кристаллической решетки от упрощенной идеализированной модели является существование линейных дефектов или дислокаций. Различают две разновидности ориентации дислокации — краевую и винтовую (рис. 2.3). В обоих случаях дислокации нарушают регулярное расположение атомов кристаллической решетки. [c.13]

Рис. 4. Схемы краевой (линейной) а) и бинтовой (б) дислокаций

Краевые линейные и винтовые дислокации могут образовываться при срастании зерен и блоков с относительно небольшим углом дезориентации схема образования краевых дислокаций представ- [c.371]

Дислокациями называют особые искажения структуры идеального кристалла [159, 160]. В кристаллах возможно существование дислокаций двух основных типов — краевых (линейных) и винтовых, а также ряда специальных видов. [c.723]

Реально структура кристаллов отличается от приведенных идеальных схем, в них имеются дефекты. Точечными, нуль-мерными (по протяженности), дефектами являются пустые узлы, или вакансии (рис. 6, а) и межузельные атомы (рис. 6, б) число этих дефектов возрастает с повышением температуры. Важнейшими линейными (одномерными) дефектами являются дислокации (краевые и винтовые), представляющие как бы сдвиг части кристаллической решетки (см. линию ММ на рис. 6, в). Поверхностные (двухмерные) дефекты определяются наличием субзерен или блоков 1, 2 внутри кристалла (рис. 6, г), а также различной ориентацией кристаллических решеток зерен 3, 4 (рис. 6, д). По границам зерен решетка одного кристалла переходит в решетку другого, здесь нарушена симметрия расположения атомов. Дефекты кристаллов оказывают существенное влияние на механические, физические, химические и технологические свойства металлов (см. пр. 4). [c.19]

Краевая дислокация является линейным дефектом, линия которого совпадает с краем вертикальной полуплоскости атомов, вставленных в верхнюю половину кристалла, как показано на рис. 37. [c.51]

Ее край 1-1 создает линейный дефект решетки, который называется краевой дислокацией. [c.47]

К основным видам дислокаций относятся краевые и винтовые (рис. 6.2). Краевая дислокация образуется, если внутри кристалла появляется лишняя полуплоскость атомов, которая называется экстраплоскостью (рис. 6.3). Ее край 1-1 создает линейный дефект решетки, который называется краевой дислокацией. [c.265]

Дислокации относятся к одномерным дефектам и бывают двух видов краевые и винтовые. Любая конкретная дислокация обычно представляет собой сочетание этих видов. На рис. 19.2.2 показано расположение атомов, характерное для краевой дислокации перспективное изображение краевой дислокации (я) и поперечное сечение кристалла (б). Искажение сосредоточено вблизи нижнего края полуплоскости лишних атомов. Поэтому под дислокацией понимается линия искажения, проходящая вдоль края лишней атомной плоскости. Следовательно, дислокация представляет собой линейный дефект. [c.322]

Таким образом, линейная энергия кольцевой дислокации равна среднему значению энергии краевой и винтовой дислокаций в блоке, размер которого равен радиусу кольцевой дислокации. [c.469]

Линейные дислокации обладают большой подвижностью и при сдвигающем напряжении порядка 10 кПа уже приходят в движение. Например, краевая дислокация, изображенная на рис. 7.14, а, придет в движение и плоскость 4, содержащая краевую дислокацию, поменяется местами с плоскостью 3, вследствие того что атомы в плоскости 3, лежащие ниже дислокации, обозначаемой знаком L, сместятся влево, а оставшиеся на месте атомы этой плоскости образуют дислокацию, смещенную вправо на одно межатомное расстояние. Такое движение наконец приведет к выходу дислокации на границу кристалла (рис. 7.14, е). Эти малые шаги смещения дислокации представляют собой элементарные акты пластической, уже необратимой деформации. Аналогично положение с движением винтовой дислокации, которая перемещается не в направлении действия касательного напряжения, а перпендикулярно ему, как показано иа рис. 7.14, г. Движение оси винтовой дислокации приводит к смещению (деформации) тоже в направлении действия напряжения т. [c.133]

Линейные несовершенства кристаллической решетки имеют размеры, близкие к атомным в двух измерениях и значительную протяженность в третьем. К этому виду дефектов относятся дислокации, простейшими из которых являются краевые, винтовые и смешанные. [c.30]

В зависимости от того, перпендикулярен вектор Бюргерса к оси дислокации или параллелен ей, различают краевые (прямолинейные) и винтовые дислокации. Из-за наличия линейного натяжения дислокации не могут обрываться внутри кристалла, они выходят обоими концами на боковые поверхности кристалла или закрепляются внутри кристалла на атомах примесей или других включениях. В общем случае дислокации внутри кристалла представляют собой замкнутые кривые, называемые дислокационными петлями. Механические напряжения в области, охватываемой дислокационной петлей, больше, чем вне ее. Дислокации под действием механического напряжения перемещаются внутри кристалла. Внешне движение их аналогично движению в среде с трением. Чтобы вызвать перемещение дислокаций необходимо приложить некоторое начальное усилие для снятия дислокации с барьера, на котором она обычно закреплена. [c.369]

Краевая дислокация вызывает локальную дилатацию в области, подчиняющейся законам линейной упругости г Щ [6] [c.95]

Дислокации — линейный дефекУ кристаллической решетки, нарушающий правильное чередование атомных плоскостей. Простейшими видами дислокаций являются краевая (дислокация Тейлора) и винтовая дислокации (рис. 1.4). [c.13]

Следовательно, при постоянном значении / величина Т/ возрастает с увеличением г,, поскольку возрастает гибкость дислокаций при их взаимодействии с более крупными частицами. Из-за разницы в линейном натяжении напряжение, необходимое для продвигания краевой дислокации, вдвое больше, чем для продвижения винтовой дислокации. Краевая дислокация прогибается вчетверо сильнее, чем винтовая (при V = l/З) и, следовательно, встречает большее количество препятствий. Доля частиц, рассекаемых дислокационными линиями с образованием АРВ, выражается как где L/= /(т) представлено уравнением (3.15), так что [c.95]

Краевая (линейная) дислокация образуется следующим образом. Предположим, что к кристаллу (фиг. 10, б) приложено внешнее напряжение (в направлении вектора сдвига или вектора Бургерса), под действием которого произошел единичный сдвиг на одно межатомное расстояние, охвативший не всю плоскость скольжения, а лишь часть ее AB D). В остальной части плоскости скольжения сдвиг отсутствует. Граница зоны сдвига AD, перпендикулярная к вектору (Бургерса), является краевой или 1Инейной, дислокацией, [c.24]

Лшейные дефекты, или дислдкащи, — это линии, вдоль и вблизи которых нарушено правильное периодическое расположение атомных плоскостей кристалла. Так называемые краевые линейные) дислокации возникают вследствие появления в кристалле неполной атомной плоскости, которая называется экстраплоскостью (плоскость ABED на рис. 1.2, б). Линия AD, т е. край экстраплоскости, и будет краевой [c.8]

Линейные несовершенства. Эти несовершенства называются дислокациями (от английского слова dislo ation, что в переводе означает смещение, сдвиг). Существуют различные виды дислокаций, один из которых — краевая (линейная) дислокация. Поясним ее сущность следующим примером. [c.7]

Схема краевой дислокации изображена на рис.5, а. В плоскости рисунка размеры этого несовершенства очень малы — несколько межплоскостных расстояний. В перпендикулярном направлении краевая дислокац1 я простирается на очень большие расстояния — до нескольких миллиметров. Схема винтовой дислокации представлена на рис. 5,6. Чтобы легче представить особенность этого вида несовершенства, следует мысленно вообразить, что кристалл надрезан по плоскости АВО н надрезанные части сдвинуты на одно межатомное расстояние и вновь соединены. Нетрудно заметить, что все горизонтальные плоскости после этого превратились в единую винтовую поверхность, поворачивающуюся вокруг линии, где закончился мысленный надрез. Эта конечная линия и есть винтовая дислокация. Ее поперечные размеры ничтожны в сравнении с продольными, как и у краевой дислокации. Оба вида дислокации называют линейными нли одномерными несовершенствами. Обычно в металле насчитывается 10 —10" дислокаций на 1 см2 площади кристалла. Пластическая дефор- [c.33]

Краевая (линейная) дислокация (рис. 3). Ее образование можно себе представить так, что в раздвинутую верхнюю часть совершенной кристаллической решетки вставлена добавочная атомная плос кость PQ, так называемая экстраплоскость она перпендикулярна к плоскости чертежа. Число рядов атомов над плоскостью АС больше, чем под плоскостью АС, на сдан ряд. Образовалась положительная краевая дислокация, в отличие от отрицательной экстраплоокость которой P Q расположена под плоскостью скольжения АС. Линией дислокации называютжрай экстраплоокости, хо- [c.364]

Дислокации образуются вследствие появления в кристалле дополнительной атомной плоскости (экстраплоскости), из-за частичного сдвига одной части плоскостей по отношению к другой. На рис. 12.35 показана краевая, или линейная, дислокация. Линия дислокации представляет проекцию внедренной экстраплоскости и обозначается знакомХ, если экстраплоскость вставлена сверху (положительная дислокация), — знаком Т, если экстраплоскость вставлена снизу (отрицательная дислокация). Степень искаженности кристаллической решетки (показатель энергии нестабильности дислокации) определяется вектором Бюргерса Ь, [c.470]

Иа рисунке 1.13 представлен линейный дефект кристаллической решетки - дислокации, возникающий в том случае, ес ш одна из атомных ПJЮ кo тeй при кристаллизации не заполняется полностью, а лишь частично. Эта плоскость на рисунке 1.13 обозначена HMBOJmM J , означающим краевую дислокацию, так как в данном случае дефект связан с краем этой неполной плоскости. [c.49]

Краевая дислокация образуется, если внутри кристалла появляегся лишняя полуплоскость атомов, которая называется экстраплоскостью. Ее край М создает линейный дефект peuienai, который называется краевой дислокацией. Условно принято, что дислокация положительная, если она находится в верхней части кристалла и обозначается знаком ".L , если дислокация находится в нижней части - отрицательная ( у ). Дислокации одного и того же знака отталкиваются, а противоположного - притягиваются. Под воздействием напряжения краевая дислокация может перемещаться по кристаллу (по плоскости сдвига), пока не достигнет границы зерна (блока). При этом образуется ступенька величиной в одно межатомное расстояние. [c.13]

Дальнейшее развитие теории Орована осуществлено в последующих работах. Келли и Николсон [141], а затем Эшби [163] модифицировали ее с учетом более точных выражений для линейного натяжения дислокационной линии с винтовой и краевой ориентациями, а также с учетом взаимодействия двух ветвей дислокации с противоположных [c.75]

Для трехстадийной кривой упрочнения монокристаллов с ОЦК-решеткой характерен другой тип дислокационной структуры [9]. На первой стадии деформации образуются скопления из диполей краевых дислокаций. Наряду с диполями наблюдаются и винтовые дислокации, а также небольшие дислокационные сплетения. Накопление таких конфигураций вызывает слабое линейное упрочнение, аналогичное наблюдаемому в ГЦК- и ГПУ-монокристаллах. [c.112]

Известно, что кристаллы металлов имеют дефекты. К ним относятся вакансии, т. е. пустые (незанятые атомом) места в узлах кристаллической решетки, а также смещения, обусловл н-ные сдвигом атома из узла в межузлие. G повышением температуры количество вакансий и смещений увеличивается. Металлы содержат также примеси инородных атомов, вызывающие искажения кристаллической решетки. К наиболее важным дефектам кристаллической решетки следует отнести дислокации (линейные дефекты, имеющие значительно большую протяженность в одном измерении по отношению к любому другому, перпендикулярному к нему). Они бывают краевыми, винтовыми, смещенными И др. , [c.11]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...