Облученность освещенность

Удельное сопротивление металлов и полупроводников можно изменить с помощью внешних воздействий (механических, облучения, освещения). В металлах эти воздействия, как правило, уменьшают подвижность /1, и удельное сопротивление увеличивается, причем абсолютная величина этого изменения составляет от нескольких сотых процента до десяти процентов. В полупроводниках р также меняется, но, кроме того, указанные воздействия изменяют концентрацию носителей заряда, причем это изменение может достигать нескольких порядков. Особенно следует выделить высокую чувствительность полупроводников к освещению, что является основой создания полупроводниковых фотоприемников. [c.10]

I, изготовленный из рабочего вещества, помещается между двумя зеркалами. Зеркало 2 полностью отражает все падающие на него лучи, а зеркало 3 полупрозрачно. Для накачки энергии используется газоразрядная лампа 4, которая для большей эффективности облучения кристалла помещается вместе с ним внутрь отражающего кожуха 5, выполненного в виде эллиптического цилиндра. При размещении лампы и кристалла в фокусах эллипса создаются наилучшие условия равномерного освещения [c.121]

Наблюдение люминесцирующих следов индикаторного рисунка проводят в темноте при облучении ультрафиолетовым светом. Для освещения используют ртутно-кварцевые лампы типа ДРШ со светофильтрами УФС-6. [c.203]

Световая экспозиция Н — величина, равная произведению освещенности Е на время i, в течение которого происходит облучение [c.16]

При освещении полупроводника концентрация свободных носителей заряда в нем может возрасти за счет носителей, возбужденных поглощенными кванта-.ми света. При оптическом возбуждении электронов из валентной зоны в зону проводимости возникает пара свободных носителей - электрон и дырка. Если за счет света происходит переход электрона из валентной зоны на примесные уровни или с примесных уровней в зону проводимости, образуются свободные носители одного знака - дырки или электроны. В соответствии с увеличением концентрации свободных носителей заряда в полупроводнике за счет облучения его светом возрастает и его удельная проводимость [c.70]

Устройство контроля излучения — прибор для измерения облученности или освещенности поверхности объекта контроля соответствующим излучением. [c.161]

Освещение и ультрафиолетовое облучение [c.173]

При люминесцентном методе капиллярной дефектоскопии с визуальным способом обнаружения дефектов следует использовать ультрафиолетовое излучение с длиной волны 315— 400 нм, а облученность контролируемой поверхности измеряют интегрально в энергетических единицах. Иногда применяют косвенную систему интегральной оценки ультрафиолетовой облученности по измерению освещенности (или яркости), создаваемой люминесцентным экраном, изготовленным согласно изложенному ниже. За относительную единицу интегральной облученности [c.173]

Энергетическая освещенность (облученность) характеризуется плотностью потока излучения, падающего на данную поверхность. Как легко видеть, при одной и той же интенсивности излучения энергетическая освещенность может быть различной в зависимости от ориентации поверхности, на которую падает излучение. При данной интенсивности излучения энергетическая освещенность будет пропорциональна косинусу угла между направлением потока и направлением нормали к поверхности, на которую падает поток. [c.285]

Под действием света в галогениде серебра возникают образования типа коллоидных частиц. Поэтому интенсивность облучения должна играть важную роль в процессе возникновения таких частиц. Проведенные эксперименты по нанесению серебряного покрытия в темноте и при освещении различной интенсивности показали, что какой-либо разницы в скорости образования покрытия при изменении степени освещенности не наблюдается. Это говорит о том, что в процессе нанесения покрытия порошкообразным серебром фотохимические превращения не играют существенной роли. [c.63]

Устройство для облучения и освещения расположено вне объема испытаний и отдельно от него окном из специальных стекол, полностью пропускающих диапазон света от ультрафиолетового до инфракрасного излучения. Окно электрически обогревается во избежание отпотевания. [c.512]

Контролируемую поверхность с выступившей в местах нарушения сплошности испытательной жидкостью подвергают ультрафиолетовому или инфракрасному облучению и затем осматривают при пониженной освещенности. Дефекты определяются по появлению свечения желто-зеленого цвета. [c.98]

Эксплоатационные требования к шкафу наличие зон с различными температурами наличие зоны с повышенной влажностью возможность регулирования температур возможность поддержания абсолютной чистоты внутри шкафа (закругление углов, яркое освещение, покрытие белой фарфоровой эмалью всей внутренней поверхности) непрерывное облучение зоны высокой влажности ультрафиолетовым светом доступность внутреннего объёма [c.690]

НИИ облучению потоком фотонов слабой интенсивности, но с частотой, равной частоте перехода с уровня т на уровень п, то в результате взаимодействия с частицами ансамбля произойдет их лавинное размножение. Действительно, взаимодействие какого-либо фотона частоты с возбужденной частицей приведет к вынужденному излучению фотона той же частоты, распространяющегося в том же направлении. В результате акта взаимодействия образуются уже два фотона, которые, распространяясь дальше и встретив соответственно две возбужденные частицы, образуют еще два фотона. Четыре фотона затем превратятся в восемь, шестнадцать и т. д. В таком размножении будут участвовать все фотоны, образующие поток электромагнитной волны, которой был освещен ансамбль. В результате на выходе из области, где был расположен ансамбль рабочих молекул, интенсивность пучка света будет значительно превосходить интенсивность на входе [20, 119]. [c.9]

При минимальных плотностях излучения (кривая /), когда повышение температуры невелико, металл практически не окисляется и через время = lOa lk а— радиус освещенной площади k — температуропроводность) его температура стабилизируется, причем ее значение в центре облученной зоны [61 ] [c.114]

Использование описанного метода определения коэффициентов облученности в ряде случаев дало позитивные результаты и успешно используется па практике. К сожалению, такой подход наталкивается иногда на сильные затруднения технического характера. Эти затруднения обусловливаются, во-первых, необходимостью создания с помощью светотехнических средств равномерной светимости поверхности излучающего тела, которое может в общем случае иметь весьма сложную геометрическую конфигурацию. Во-вторых, геометрическая форма лучевоспринимающего тела в свою очередь может быть очень сложной, что сильно затруднит измерение освещенности на его поверхности. [c.327]

Коэффициент освещенности часто называют коэффициентом облученности или угловым коэффициентом . Последний термин обычно применяется при расчетах теплообмена излучением между поверхностями тел. В этом случае угловой коэффициент характеризует отношение количества лучей, падающих на заданную поверхность, ко всему количе- [c.40]

Для освещения светильниками с люминесцентными лампами необходимо учитывать, что такой светильник является источником радиопомех, создающих на расстоянии 2 м от светильника уровень поля помех, равный примерно 100 мкВ в диапазоне частот 0,15. .. 0,5 МГц, 20 мкВ в диапазоне частот 2,5. ... . . 20 мГц и 50 мкВ в диапазоне частот 0,5. .. 2 мГц и 20. ... .. 200 мГц. Для работающих в помещениях без естественного света, а также с резко недостаточным естественным освещением предусмотрено обязательное ультрафиолетовое профилактическое облучение (см. СН 245—71). [c.168]

Все виды освещения (естественное и искусственное или совмещенное) должны отвечать требованиям строительных норм и правил Российской Федерации [52], а искусственное и совмещенное освещение, кроме того, — требованиям к ультрафиолетовому облучению людей согласно санитарным нормам Профилактическое ультрафиолетовое облучение людей (с применением искусственных источников ультрафиолетового облучения . [c.466]

Энергетической экспозицией (лучистой экспозицией) называют произведение энергетической освещенности на время облучения =Eet. Эта величина имеет размерность и выражается в джо- [c.56]

Энергетическая освещенность (облученность) [c.130]

На этой основе удобно сравнить единицы, используемые в проектах освещения, с единицами, употребляемыми в проектах облучения инфракрасными лучами (табл. 43). [c.216]

На расстоянии 1 м те же цифры дают плотность облучения (энергетическую освещенность) в милливаттах на квадратный [c.220]

Остановимся подробнее на описании этого интересного метода получения и восстановления голограммы. Для получения голограмм при облучении лазерным светом толсто( лойных фотографических пластинок используются встречные световые потоки опорной и предметной волны. После обработки фотопластинки в толще эмульсии возникает слоистая структура с расстоянием между слоями d = /./2, где /. — длина волны излучения лазера, используемого для освещения объекта и в качестве опорной волны. Если угол встречи опорной и предметной волны меньше [c.359]

Многофотонное возбуждение молекул требует очень мощного излучения (10 МВт/см и более) и стало возможным только после создания лазеров. Монохроматичность лазерного света позволяет также до известной степени управлять фотохимическими реакциями. Дело в том, что для протекания многих реакций важно возбудить какую-то определенную степень свободы молекулы или небольщую их группу. При нагревании в силу закона равного распределения энергии возбуждаются все степени свободы. В противоположность этому, освещение монохроматическим светом позволяет воздействовать на ту степень свободы, которая активна в смысле интересующей нас химической реакции. Таким способом удается, например, осуществлять реакции, которые при общем нагревании не возникают из-за наличия других реакций, обладающих меньшей энергией активации. Изменением интенсивности облучения реагирующей смеси можно контролировать скорость протекания химических процессов и т. п. [c.669]

Для того чтобы наблюдать многофотонный внешний фотоэс зфект, недосгаточно иметь излучение высокой интен сивности. Нужно также, чтобы рассматриваемый эффект не маскировался эффектом термоэлектронной эмиссии, для которой красная граница, очевидно, не существует. Чтобы уменьшить нагревание фотокатода при облучении его интенсивным светом и тем самым подавить термоэлектронную эмиссию, применяют сверхкороткие лазерные импульсы длительностью 10 —10 с и скользящее освещение поверхности фотокатода (угол падения больше 80°). В этом случае удается надежно зарегистрировать фотоэлектроны далеко за красной границей (Оо (например, до частоты (йо/Б). [c.229]

Различают формы поверхностных плотностей поток собственного излучения энергетическую светимость Rg (нзлучательность) и энергетическую освещенность (облученность), единицы этих величин —ватг па квадратней метр [Вт/м2]. [c.276]

Устройство выявления несплош-ностей предназначено для визуального обнаружения или косвенной регистрации индикаторного рисунка в нормированных условиях освещения или облучения. [c.161]

Рис. 4. Зависимость УФ-облученности (а) и освещенности б) видимым светом рабв ей площади для различных дефектоскопических

Класс чувст- Минимальный размер (шири- Ультрафиолетовая облученность при использовании лю- Освещенность при использовании цветных и яркостных методов (Ц, Я, ФЦ) для ламп, лк [c.170]

Светотехника, интересы которой в довоенный период были сосредоточены на проблеме использования видимых излучений источников света для целей освещения, световой сигнализации, световой проекции и светорекламы, значительно расширила свои задачи. В число этих задач вошли использование ультрафиолетовых излучений (облучение, применение светящихся красок и др.), инфракрасных излучений (радиационная сушка), излучений для стимулирования роста животных и растений (светокультура и пр.). В самое последнее время в светотехнике стали разрабатываться вопросы, связанные с использованием на практике оптических квантовых генераторов. [c.142]

Интенсивность облучения каждой точки со стороны излучающей поверхности газового потока пропорциональна ее освещенности , которая характеризуется углом, в котором заключен поток лучей, падающих на эту точку. Таким углом для точки Ло является угол Aa i, для точки Ai — угол DAiDi. Поскольку освещенность различных точек неодинакова, различна и их температура. Очевидно, что наибольшую температуру будут иметь точки поверхности, лежащие на линии Aq (посре- [c.39]

Генерация неравновесных носителей. Концентрация равновесных электронов и дырок определяется темп-рой образца. Мн. важные свойства П. связаны с неравновесными носителями, к-рые могут быть со.з-даны разными способами, напр. при воз ждении светом и инжекцией через контакты. При облучении светом, с кы > генерируются электроны и дырки, к-рые являются неравновесными. При стационарном освещении их концентрация не зависит от времени и определяется интенсивностью света и временем жизни носителей (в свободном состоянии). Они обусловливают явление фотопроводимости — изменения электропроводности под действием света. Иногда электропровод-вость при освещении отличается на много порядков от т. н. темновой электропроводности. Если прекратить освещение, концентрация носителей возвращается к равновесному значению за время порядка времени жизни неравновесных носителей. Малая инерционность этого явления позволила создать чувствит. приборы для регистрации светового излучения, в т. ч. и для ИК-диапазона (см. Приёмники оптического излучения). [c.42]

Р. в. наблюдались в кристаллах Ge -типа с примесью Ми и Sb и в кристаллах Si п-топа с примесью Zn и Р при темп-рах Т 300 К в электрич. поле порядка десятков В/см. Период. колебаний тока от долей секундц до неск. МКС, Частота и амплитуда Р. в. чувствительны к изменению внеш. условий (темп-ры, магн. поля, освещения, к облучению потоком частиц). Это обусловливает возможности практич. использования Р, в, Оозт даны прецизионные датчики темп-ры, напряжённости магя. поля, мехаяич. деформаций, мощности эл,-магн. и корпускулярного излучений, а также миниатюрные полупроводниковые генераторы и преобразователи. [c.320]

В полупроводниках Э. осуществляется движением электронов проводимости и дырок (см. Зонная теория), подвижность к-рых на много порядков превышает подвижность ионов. В соответствии с этим Э. у полупроводников намного больше, чем у диэлектриков она составляет при комнатной темп-ре 10 —10 Ом см и сильно зависит от хим. состава и наличия примесей. Температурная зависимость Э. полупроводников определяется в осн. быстрым повышением концентрации электронов и дырок с ростом темп-ры, описываемым экспоненц. законом (2), подвижность при этом также меняется, но обычно значительно медленнее, по степенному закону. В неупорядоченных полупроводниках возможна также прыжковая проводимость. Э. полупроводников сильно зависит от внеш. воздействий (маги, поля, освещения, ионизирующего облучения, давления и др.). [c.590]

Схема твердотельного лазера приведена на рис. 4.26. Стержень /, изготовленный из рабочего вещества, помещается между двумя зеркалами. Зеркагю 2 полностью отражает все падающие на него лучи, а зеркало 3 полупрозрачно. Для накачки энергии используется газоразрядная лампа 4 которая для большей эффективности облучения кристалла помещается вместе с ним внутрь отражающего кожуха 5, выполненного в виде эллиптического цилиндра. При размещении лампы и кристалла в фокусах эллипса создаются наилучшие условия равномерного освещения кристалла. Питание лампы обычно осуществляется от специальной высоковольтной батареи конденсаторов б. [c.204]

Энергетическая светимость (излучательность) и энергетическая освещенность (облученность) есть отношения потока излучения к пло-Щ31ДИ поверхности источника света и к площади освещаемой поверх-жоети и s= e/S. Обе эти величины имеют размерность [c.54]

Ряд опытов был проделан для нахождения оптимального режима инфракрасного облучения этого материала. Листы его толщиной 3—4 мм были подвергнуты сушке при различных значениях энергетической освещенности расстояние между осями инфракрасных ламп Мазда 250 вт составляло 20, 25 и 30 сж таким же было расстояние от ламп до облучаемого материала. Лампы были размещены в шахматном порядке. [c.311]

По определению, рассеиватель имеет целью расширять и перемешивать световые пучки, устраняя или хотя бы уменьшая таким образом неравномерность освещенности на какой-нибудь определенной поверхности. Это расширение неизбежно вызывает уменьшение освещеиностн иа рассматриваемой поверхности, так как часть светового пятна попадает за пределы площади S, подлежащей облучению. Потери в значении освещенности зависят от степени рассеивания, т. е. от угла и вида функции рассеивания, если понимать под функцией рассеивания вид и размеры фигуры, получаемой иа установке, описанной на стр. 473. Расчет световых потерь сводится к определению части световых потоков, попавшей за пределы площади S. Как правило, и без рассеивателя часть лучей не попадает на площадь S, так как практически невозможно добиться резкой границы световых потоков на контуре площади S. С помощью изложенной в п. 3 этой главы мето- [c.492]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...