Дислокация неполная

Слово дислокация означает смещение в связи с тем, что вблизи дефекта атомы, лежащие ниже края неполной плоскости, смещены. Отсюда возник и СИМВОЛ краевой дислокации в виде 1 в нем вертикальный отрезок означает направление сдвига, который всегда (в случае краевой дислокации) перпендикулярен направлению неполной плоскости. Такие дефекты возникают не только при кристаллизации, но и при пластической деформации в результате неполно- [c.49]

Дефекты упаковки связаны с так называемыми частичными, или неполными, дислокациями. Дислокации, которые были рассмотрены выше, называют совершенными, полными или единичными. Их вектор Бюргерса равен вектору решетки. [c.112]

В свою очередь единичные дислокации могут расщепляться на неполные (частичные, полу-) дислокации, уменьшая свою энергию. Для того чтобы такое деление происходило, необходимо выполнение условия [c.242]

В типичных кристаллических г. ц. к., о. ц. к. и г. п. у. решетках, характерных для металлов, существуют дислокации с векторами Бюргерса, отличающимися от векторов тождественной трансляции. Такие частичные неполные) дислокации с вектором Бюргерса br = nb (Ос [c.67]

Дефект упаковки может быть получен также удалением части плотноупакованного слоя с последующей ликвидацией образовавшегося промежутка сближением по нормали плотноупакованных слоев (рис. 37,а). Возникает дефект упаковки вычитания. При внедрении между слоями 111 неполного плотноупакованного слоя атомов возникает дефект упаковки внедрения. Вектор Бюргерса таких частичных дислокаций, называемых дислокациями Франка, ориентирован нормально к плоскости 111 и перпендикулярен линии дислокации, т. е. [c.72]

Многочисленные неполные плоскости или экстраплоскости не проходят через все сечение кристалла. Они обрываются внутри него. Возле края экстраплоскости расположение атомов искажено. Эта искаженная область тянется вдоль всего края и называется краевой дислокацией. Длина одиночной дислокации может достигать нескольких тысяч межатомных расстояний или периодов решетки. [c.45]

Линейные дефекты строения кристаллической решетки называются дислокациями. Они бывают нескольких типов линейные, винтовые, криволинейные и частичные. Наиболее простой их тип — линейная дислокация. Она может простираться в длину на многие тысячи параметров решетки и быть прямой или выгибаться в ту или иную сторону. Линейная дислокация схематически показана на рис. 1-6,а. Верхняя часть кристалла содержит атомную плоскость АВ, которая не имеет продолжения ниже точки В. Неполная плоскость АВ получается как бы лишней. Она называется экстраплоскостью. Край [c.13]

Кроме краевых различают еще винтовые дислокации. На рис. 12 показана пространственная модель винтовой дислокации— это прямая линия ЕР (рис. 13), вокруг которой атомные плоскости изогнуты по винтовой поверхности. Обойдя верхнюю атомную плоскость по часовой стрелке, приходим к краю второй атомной плоскости и т. д. В этом случае кристалл можно представить как состоящий из одной атомной плоскости, закрученной в виде винтовой поверхности (рис. 13). Винтовая дислокация так же, как и краевая, образована неполным сдвигом кристалла по плос- [c.20]

Б. Дислокации Шокли — неполные или частичные дислокации. При их движении сдвиг происходит на величину меньше Ь — см. Двойникование. В расщепленных дислокациях дефекты упаковки ограничены частичными дислокациями например [c.22]

Неметаллические включения и аустенит имеют различные коэффициенты термического расширения. Поэтому при температуре изотермической выдержки в аустените (вокруг включений) возможно появление напряжений, величина которых может оказаться достаточной для создания дислокаций, могущих служить местами предпочтительного зарождения. Известно, что вокруг краевой дислокации кристаллическая решетка аустенита упруго деформирована. В зоне, расположенной ниже края неполной атомной плоскости (экстраплоскости), кристаллическая решетка растянута, а в зоне, в которой расположена экстраплоскость, — сжата. Из энергетических соображений следует, что атомам углерода, растворенным в аустените по принципу внедрения, выгоднее переместиться из объемов аустенита, где отсутствуют дислокации, в зоны, расположенные у дислокаций. При таком перемещении атомов углерода уровень свободной энергии системы снижается. Такое перемещение приводит к созданию скоплений атомов углерода у дислокаций, вследствие чего создаются более благоприятные условия для возникновения концентрационных флуктуаций и, следовательно, облегчаются условия для образования критических зародышей цементита. Преимущественное зарождение цементита на дислокациях обнаружено экспериментально. [c.8]

Образование краевых дислокаций вызвано присутствием в кристаллической решетке неполных кристаллографических плоскостей. Такие полуплоскости, не имеющие продолжения в нижней или верхней частях кристаллической решетки, называются экстраплоскостями. Краевая дислокация представляет собой область упругих искажений, проходящих вдоль края экстраплоскости. Различают положительные и отрицательные дислокации. Положительная дислокация (ее отмечают знаком ) возникает, если экстраплоскость находится в верхней части кристалла, если в нижней - отрицательная (ее отмечают знаком Т ). [c.21]

Вероятно, при нагреве металла электронным пучком возникают местные термические напряжения и этого достаточно для перехода петли с дефектом упаковки в петлю без дефекта упаковки посредством механизма зарождения неполной дислокации Шокли, который обсуждается в работе Франка [32]. Поскольку алюминий имеет высокую энергию дефекта упаковки, энергия больших петель с дефектами упаковки должна быть гораздо больше энергии равновесной конфигурации. Это означает, что петли с дефектом упаковки могут самопроизвольно переходить в петли без дефекта упаковки при повышении температуры образца. Фактически точное определение температуры перехода Гп петли с дефектом упаковки в петлю без дефекта упаковки может дать возможность вычислить энергию дефекта упаковки для алюминия. Эксперименты по такому отжигу следует выполнять на массивных образцах, чтобы избежать возникновения локальных напряжений, о которых упоминалось выше. Экспериментально [17, 33] было найдено, что Тп выше, чем температура, при которой происходит отжиг петли за счет переползания [34] (т. е. 160—190 С), [c.75]

Взаимодействие с петлей Су или В . Так же как и раньше, движущаяся дислокация при-контакте с петлей расщепляется в плоскости петли, но уже на неполную дислокацию Шокли, которая может скользить в плоскости петли, и на сидячую дислокацию Франка, вектор Бюргерса которой такой же, как и у петли. Дефект упаковки в одной половине петли уничтожается неполной дислокацией Шокли и часть петли превращается в полную дислокацию с вектором Бюргерса, таким же, как и у движущейся дислокации. Другая половина петли остается в виде Сидячей петли Франка. Таким образом, происходит разрушение петель движущимися дислокациями. [c.248]

Описанная выше реакция может иметь место только тогда, когда размер петли больше критического, в результате чего изменение энергии за счет исчезновения дефекта упаковки больше, чем увеличение энергии на единицу длины неполной дислокации Шокли. Критический диаметр считают равным 50А, для энергии [c.248]

Случай (в). Если дислокация РЕ имеет вектор Бюргерса ВС или АС, то имеет место аналогичная последовательность реакции с неполной дислокацией РНЕ и вектором Бюргерса Ву или Ау, когда уничтоженная дислокация и конечная конфигурация такие же, как и в случае (б). [c.254]

Рассмотрим, зависит ли описанное выше взаимодействие, во-первых, от возможности рекомбинации растянутых дислокации при пересечении плоскости, содержащей дефект упаковки, и, во-вторых, от возможности растяжения новых неполных дислокаций в плоскости с дефектом упаковки. Когда плоскость, содержащая дефект упаковки, перерезается растянутой дислокацией,. общий вектор Бюргерса которой наклонен к плоскости [c.254]

Энергия, необходимая для того, чтобы головная неполная дислокация РЕ прошла через плоскость ЛВО с дефектом упаковки, равна приблизительно 0,2 /1/6 эв или меньше. Здесь следует отметить, что, поскольку векторы Бюргерса вершинных дислокаций АО и В ) параллельны 6-плоскости, на пересекающей плоскости образуются перегибы, а не пороги, причем дополнительной энергии для сжатия дислокации ЕР т требуется. Выступы показаны на рис. 12. Очевидно, что эта энергия намного меньше, чем энергия, необходимая для рекомбинации растянутой дислокации вдоль всей длины РЕ (оцененной Зегером больше, чем й (Ь эв [93]). Поэтому дефект упаковки перерезается движущейся Дислокацией, а не закрепляется ею. [c.255]

За последние десять лет наше представление о взаимодействии дислокаций с различными дефектами, возникающими при закалке и старении, в значительной степени зависело от исследований явления закалочного упрочнения. Механизмы взаимодействия дислокаций с призматическими петлями и тетраэдрическими дефектами упаковки изучались особенно подробно. В результате этого механизмы упрочнения алюминия и золота, закаленных с температуры выше критической и затем состаренных, уже довольно хорошо известны. Хотя закалочное упрочнение наблюдается также и в других металлах, как, например, в меди, дефекты, обусловливающие упрочнение, все еще полностью не изучены. Влияние закалки на другие механические свойства, кроме предела текучести, мало изучены. Это обусловлено, с одной стороны, недостаточным экспериментальным материалом, а с другой стороны, неполным пониманием механизма наклепа отожженных кристаллов. Исследования на сплавах и других металлах (кроме г. и. к. структур) весьма недостаточны. [c.266]

Рис. 6, Конечная конфигурация продуктов конденсации вакансий для трех типичных ори-ентаций дислокаций а —конденсация вакансий на растянутой винтовой дислокации неполная сидячая петля Франка вступает в реакцию с неполными дислокациями с образованием стабильной конфигурации [4, 5] б, а— сверхступеньки, образованные в результате конденсации вакансий на растянутой краевой дислокации 18 4] и на бО-градусной дислокации [5].

Иа рисунке 1.13 представлен линейный дефект кристаллической решетки - дислокации, возникающий в том случае, ес ш одна из атомных ПJЮ кo тeй при кристаллизации не заполняется полностью, а лишь частично. Эта плоскость на рисунке 1.13 обозначена HMBOJmM J , означающим краевую дислокацию, так как в данном случае дефект связан с краем этой неполной плоскости. [c.49]

Из (10.27) следует, что энергия образования дислокации пропорциональна квадрату вектора Бюргерса. По этой причине энергетические затраты на образование дислокаций заметно меньше при возникновении дислокаций с малыми векторами Бюргерса. В связи с этим появление дислокации с векторами Бюргерса, равными даже двум трансляциям, малореально. По величине Ь дислокации в кристаллах подразделяются, вообще говоря, на три группы полные (супердислокации), для которых вектор Бюргерса состоит из нескольких трансляций единичные, для которых вектор Бюргерса равен их элементарной трансляции, и неполные [c.241]

Винтовая дислокация (рис. 7, б). Образуется неполным сдвигом кри- raoia по плотности Q. В отличие от краевой дислокации винтовая дислокация парапельна вектору сдвига. [c.13]

Рис. 13. Пространственная моде.чь образования шштовоп дислокаши ПУ и результате неполного сдвига по плоскости Q (а) и расположение атомов и области винтовой дислокации (б)

Механизм диссипации энергии деформируемых упорядоченных сплавов при переходе через порог упругости связан с движением сверхдислокаций. Это предопределяется исходной структурой упорядоченных сплавов, обладающих сверхструктурой. Ответственным за образование сверхдислокаций в упорядоченных сплавах является особый тип дефекта — антифазные границы. Механизм их образования следующий. Антифазные границы — это плоские дефекты при упорядочении, как правило, возрастает период идентичности в направлении вектора сдвИга. Поэтому при движении дислокации с обычным вектором Бюргерса за ней остается полоска антифазной границы из-за неполного, с точки зрения идеальной сверхструктуры, сдвига одной части кристалла относительно другой. В результате в плоскости границы образуются пары из одинаковых соседств атомов, которые отсутствуют в теле упорядоченного домена. [c.253]

Лшейные дефекты, или дислдкащи, — это линии, вдоль и вблизи которых нарушено правильное периодическое расположение атомных плоскостей кристалла. Так называемые краевые линейные) дислокации возникают вследствие появления в кристалле неполной атомной плоскости, которая называется экстраплоскостью (плоскость ABED на рис. 1.2, б). Линия AD, т е. край экстраплоскости, и будет краевой [c.8]

Краевая дислокация соответствует ряду не-совпадаюпщх атомов вдоль края дополнительной неполной плоскости атомов в пределах кристалла. [c.939]

Рис. 9. Схематическая зависимость энергии неполной дислокации Шоклн, лежащей в петле с дефектом упаковки, от радиуса

Розвел и Новик [62] наблюдали подобные эффекты внутреннего трения на закаленном золоте. Скорость охлаждения, которую они выбрали, была достаточно малой, 10 град сек, и процесс старения почти полностью завервдался при охлаждении. По этой причине их экспериментальные результаты не согласуются с данными Леви и Мецгера. Например, они не наблюдали эффекта старения после закалки. Тем не менее результат Роз-вела и Новика лишний раз доказывает закрепление дислокаций вакансиями. Они считают, что закрепление дислокаций в золоте является результатом сравнительно слабого взаимодействия неполных дислокаций с вакансиями. [c.228]

В одновалентньщ металлах, в которых считают дислокации растянутыми, одна или несколько вакансий не могут образовать пороги, хотя дислокации и можно считать новыми. Образование порогов на растянутых дислокациях, по мнению Кимуры и др, [5], заключается в следующем вакансии конденсируются в областях сильного притяжения, т. е. в областях сжатия краевой компоненты неполной дислокации. Конденсированные вакансии захлопываются и образуют сидячие дислока-, ционные петли при достижении критической величины концентрации вакансий. Часть петли сливается с неполными дислокациями. Будучи зависимой от ориентации той дислокации, на которой вакансия конденсируется, дислокационная реакция идет так, чтобы устранить дефект упаковки и образовать сверхпорог. На рис. 6 показана конечная конфигурация продуктов конденсации вакансий для трех типичных ориентаций дислокаций. [c.242]

Контактное взаимодействие с неполными (частичными) дислокационными петлями Франка, Взаимодействие с петлей Аа или 06. Движущаяся дислокация вступает в контакт с петлей Лб в результате пересечения, а с петлей Аа в результате поперечного скольжения. Если петля Ла удалена от плоскости скольжения больше, чем на одно атомное расстояние, тогда движу- щаяся дислока1 я рас- [c.248]

Случай (б). Если пересекающая дислокация РЕ имеет в,ектор Бюргерса СВ или СА и при встрече плоскости, содержащей дефект упаковки, происходит рекомбинация неполных дислокаций, то дислокация расщепляется на две неполные дислокации с векторами Бюр-герса Су и уВ или Су и уА в у-плоскости. Рассмотрим дислокацию с вектором Бюргерса СА. Ее расщепление возможно, так как при этом энергия дислокации должна уменьшиться, если учесть зависимость энергии дислокации от угла между дислокационной линией и вектором Бюргерса. Частичная дислокация ЕОР с вектором Бюргерса уА, двигаясь к точке О, уничтожает дефект упаковки ОЕР. Она вступает в реакцию с дислокациями ОЕ и РО, порождая новые дислокации с векторами Бюргерса А и А. В итоге образуется дислокация ОЕ с вектором Бюргерса рА, которая должна двигаться в плоскости ЛСО, чтобы уничтожить дефект [c.253]

Краевая дислокация соответствует нарушению вдоль края образовавшейся в кристалле под влиянием тех или иных причин неполной атомной плоскости. Вдоль этого края атомы кристалла имеют несовершенную координацию — неполное число соседей, вследствие чего одна или более связей у этих атомов являются незавершенными. В кристаллах германия и кремния координационное число равно четырем. Краевые дислокации с некоторой долей винтовой компоненты в этих кристаллах образуются на плоскостях 111) вдоль направлений < 110>. Атомы вдоль края неполной плоскости имеют один неспаренный электрон (рис. V. 20) и могут взаимо/1ействовать с электронами, захватывая их с образованием спаренной связи, с выделением энергии. Такая дислокация ведет себя в полупроводнике, следовательно, подобно акцепторной примеси. В связи с этим дислокации изменяют электрические свойства полупроводника, ухудшая в особенности время жизни неосновных (вводимых в полупроводник извне) носителей тока, характеристику, определяющую качество работы ответственных полупроводниковых приборов (транзисторов). [c.512]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...