Термометрия кристаллов по сдвигу края поглощения

ТЕРМОМЕТРИЯ КРИСТАЛЛОВ ПО СДВИГУ КРАЯ ПОГЛОЩЕНИЯ [c.109]

Термометрия кристаллов по сдвигу края поглощения [c.110]

Рис. 5.1. Принципиальная оптическая схема лазерной термометрии по сдвигу края поглощения кристаллов лазер или другой источник света ( /), зондируемая пластинка (2), фотоприемник (5), компьютер (4)

В настоящее время метод термометрии по сдвигу края поглощения занимает ведущее положение в лазерной термометрии твердых тел по той причине, что наиболее актуальной задачей является термометрия полупроводниковых кристаллов в микротехнологии. Для термометрии широкозонных кристаллов (СаРг, и т.д.) по сдвигу края поглощения можно, вероятно, использовать двухфотонное поглощение. [c.130]

В ряде методов ЛТ регистрируемый сигнал обладает свойством идентифицируемости, т. е. имеет однозначно определенную форму, выделяющую его среди возможных посторонних излучений. Идентифицируемость сигнала характерна для термометрии комбинационного рассеяния (положение рассеянных линий в спектре задано свойствами материала), по сдвигу края поглощения (форма края межзонных оптических переходов в кристаллах имеет типичную форму), интерференционной термометрии (при изменении температуры прозрачной плоскопараллельной пластинки, облучаемой зондирующим световым пучком, регистрируется последовательность резонансов Фабри-Перо). [c.200]

Термометрия по сдвигу края собственного поглощения света кристаллами проводится двумя способами [c.129]

Разновидностью метода термометрии по сдвигу края поглощения является измерение температуры с помощью спектроскопии диффузного отражения (diffusive refle tan e spe tros opy), разработанной в последнее десятилетие применительно к термометрии кристаллов с шероховатой поверхностью [5.13-5.15]. На лицевую (полированную) поверхность пластинки падает пучок света от источника, либо имеющего сплошной спектр, либо перестраиваемого по длине волны. Вторая (тыльная) поверхность является шероховатой и рассеивает свет. Шероховатость не создают специально для регистрации рассеянного света и измерения температуры, она присутствует на нерабочей поверхности практически всех полупроводниковых кристаллов. Регистрируют спектр незеркально отраженного света для того пучка, который прошел сквозь пластину, отразился от шероховатой поверхности и еще раз прошел сквозь пластину (пучок, зеркально отраженный от передней поверхности, не регистрируется оптической схемой). Схема эксперимента приведена на рис. 5.8. [c.116]

Термометрия на фиксированной длине волны по сдвигу края собственного поглощения кристалла является вторым по чувствительности методом (после интерференционной термометрии). Очевидной особенностью данного метода является то, что температурная чувствительность сигнала S и диапазон измеряемых температур (А9)-т являются взаимно дополнительными характеристиками, т. е. связаны соотношением 8 А9)т onst. Для преодоления этого ограничения можно при увеличении температуры пластинки использовать последовательно несколько лазеров с увеличивающейся длиной волны. Каждый следующий (более длинноволновый) лазер начинает измерения тогда, когда чувствительность предыдущего уменьшилась до заранее выбранной величины (например, 0,01 от максимального значения). Такой способ, однако, усложняет оптическую схему термометрии. [c.119]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...