Край поглощения рентгеновских луче

Край поглощения рентгеновских лучей 498 [c.598]

Объясните механизм поглощения рентгеновских лучей элементом с высоким атомным номером 2. Почему требуется постоянная экранирования Найдите волновые числа краев первых трех границ поглощения (или скачков поглощения) для молибдена. Сначала пренебрегите их тонкой структурой и считайте, что постоянная Ридберга приблизительно равна/ = 1,1 X ХЮ см . При расчете поглощения рентгеновских лучей можно принять, что постоянная экранирования Ск = 3,5 для /(-границы, Сь = 14 для -границы и См = 25,4 для М-границы. [c.364]

Е измеряется от края излучения для каждого типа переходов, хотя энергия фотона па краю для разных переходов различна. Кривые для энергий Е, превышающих Ер. наблюдаются только при поглощении рентгеновских лучей. [c.384]

Записывая поляризацию в виде (А.1), мы для удобства предполагали, что связь между Р и Е — локальная, т.е. что поляризация в точке х определяется электрическим полем в точке х (и не зависит от электрических полей в других точках х ). При частотах рентгеновского диапазона восприимчивость X по порядку величины около 10 или меньше. Сама восприимчивость может быть функцией не только х, но и частоты м, однако, за исключением области частот, близких к краю поглощения рентгеновских лучей, и областгй резонанса оптического поглощения, у нас нет необходимости учитывать ча< стотную зависимость % [c.717]

В случае рентгеновских лучей основной вклад в поглощение происходит за счет возбуждения электронов внутренних оболочек атомов, и, таким образом, за исключением непосредственной близости длин волн падающего пучка и края полосы поглощения, вклад этот очень незначительно зависит от того, соединены ли атомы в молекулы или образуют жидкость или твердое тело. В случае электронов, однако, в наиболее важных процессах неупругого рассеяния принимают участие наружные электронные оболочки, и энергетические потери лежат в пределах от О до 50 эВ. Таким образом, коэффициенты поглощения сильно зависят от природы связи или ионизации атомов. Для твердых тел важный вклад в коэффициент поглощения создается за счет рассеяния на плазмонах, за счет обра- [c.92]

Как для рентгеновских лучей, так и для электронов, фон диффузного рассеяния и поглощение энергии, приводящие к уменьшению интенсивности резких брэгговских отражений,возникают прежде всего из-за неупругого рассеяния падающего излучения на электронах в кристалле. Представление амплитуды атомного рассеяния рентгеновских лучей в виде суммы действительной и мнимой частей, связанное с возбуждением электронов внутренних электронных оболочек, обсуждалось в гл. 4. Мнимая часть амплитуды рассеяния определяет коэффициент поглощения, который может бьгть весьма значительным для длин волн падающего излучения, меньших длины волны края поглощения, т.е. когда падающие кванты обладают достаточной энергией для того, чтобы выбить электрон из одной из внутренних оболочек. В этом случае на дифракционной картине появляется диффузный фон благодаря возникновению характеристического излучения от атомов образца. [c.269]

Интересно отметить аналогию между проекциями на ферми-газ и влиянием деформаций решетки на электронные переходы, которые мы обсуждали в п. 6 настоящего параграфа. В обоих случаях одноэлектронный матричный элемент уменьшается из-за множителя, связанного с перекрытием начальной и конечной волновых функций остальной части системы. Здесь, как и в случае искажения решетки, справедливо правило сумм для сил осциллятора, которое требует, чтобы любое запрешение прямого перехода компенсировалось матричными элементами перехода в другие возбужденные состояния системы. Здесь речь идет об электронных возбужденных состояниях. Поэтому сушествует много возможностей для оптических переходов, в которых дополнительные электроны возбуждаются из своих невозмущенных состояний. Это именно те дополнительные возбуждения (Фридель назвал их встряхиваемыми электронами), которые приводят к хвосту Оже в низкоэнергетическом крае спектра излучения, и недавние работы продемонстрировали, что такие возбуждения могут вызывать важные изменения вблизи порогов как спектров испускания, так и поглощения, т. е. при энергиях рентгеновских лучей, близких к 1 всоге I + [c.390]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...