Критическая скорость накачки

Критическая скорость накачки равна (положить ЛГ = 0) [c.398]

Здесь Ng — населенность основного уровня (т. е. уровня 1 или О соответственно на рис. 1.4, а и б), а Wp — коэффициент, который будем называть скоростью накачки. Для того чтобы достигнуть пороговых условий, скорость накачки должна превысить некоторое пороговое или критическое значение, которое мы будем обозначать как Конкретные выражения для пара- [c.18]

W v В стационарных условиях инверсия населенностей No всегда равна критической инверсии N . Чтобы лучше уяснить физический смысл данного утверждения, предположим, что скорость накачки возрастает от критического значения Wzv>. При Wp=W p мы имеем, очевидно, N = N и о = 0. [c.247]

В отсутствие накачки величина Ne отрицательна и равна по модулю равновесной населенности нижнего рабочего уровня 2 (так как уровень 3 в отсутствие накачки практически пуст). С ростом накачки Ne сначала стремится к нулю, достигая его при некоторой критической скорости (мощности) накачки Шн р, а затем ста- [c.31]

Ранее были получены выражения для критических значений поглощенной мощности накачки и скорости накачки w p [c.59]

Для достижения инверсии населенностей должно выполняться условие АЛ >0, т. е. скорость накачки Wp должна превзойти некоторое критическое значение, [c.53]

Синхронизация мод 188 Скорость накачки критическая (пороговая) 179 Смешение оптическое 27 Смещение стоксово 106 Снеллиуса закон преломления 36 Состояние квантовое 45 Спектроскопия первой производной 266, 438 Спин 30 [c.548]

Это выражение совпадает с тем, что было получено в случае четырехуровневого лазера. При этом критическая скорость накачки, вычисляемая из уравнения (5.24а) при подстановке в него N = О, q = О и N = N , запишется в виде [c.250]

Сравнивая это выражение с (5.27), мы видим, что при одном и том же значении т в случае четырехуровневого лазера критическая скорость накачки в N /Nt раз меньше, чем в трехуровневом. Это является основным преимуществом четырехуровневой схемы. [c.250]

Это выражение показывает, что для описания вынужденного излучения фотонов в данной моде можно определить эффективное сечение Оэфф = a d/d ). Так как d< d, мы имеем Оэфф а. Критическую скорость накачки находим из выражения (6.42а) [c.423]

Если же Wp > W p, то как следует из (5.29), до линейно возрастает с ростом Wp, в то время как инверсия населенностей No остается постоянной и равной критической. Иными словами, когда скорость накачки выше критической, в резонаторе лазера увеличивается число фотонов (т. е. увеличивается электромагнитная энергия в резонаторе), а не инверсия населенностей (т. е. энергия, запасенная в активной среде). Это поясняется на рис. 5.3, на котором представлены зависимости величин N и q от скорости накачки Wp. Заметим, что при накачке ниже пороговой 9 = 0, и из уравнения (5.18а) получаем N = [Wpx/ - -- -Wpx)]Ni. Но поскольку обычно выполняется условие No = = N < Ni, из формулы (5.27) мы находим, что Wept 1, т. е. Wpi <С 1 и увеличивается с Wp практически линейно. В качестве второго замечания укажем, что с учетом формул (5.27) и (5.29а) выражение (5.296) можно записать в эквивалентном [c.247]

Таким образом, интенсивность лазерного излучения внутри резонатора пропорциональна интенсивности насыщения, яв ляющейся характеристикой среды. Следует заметить, что представляет собой стационарное значение населенности лазерного уровня, которое было бы в отсутствие излучения. Более того, поскольку /"— фиксированная величина для заданной среды, ясно, что / линейно возрастает со скоростью иакачкп S . Если мы введем критическую или пороговую) скорость накачки [c.179]

Приведем оценку максимального инкремента q=a2lm (Bi ехр ( в)) в соответствии с формулой (3.8). Пусть di =0,7 см, 2 = 2,8 см (критическая частота для моды m = О, и = 1 - 268 кГц). Тогда при f = 300 кГц, /2 = 600 кГц (/= со/2п) имеем ki = 0,44, к, = 0,91 и B = 2,8. Если интенсивность накачки /2 = 5 Вт/см (число Маха М = 3 10 ), то q = 0,84 м", а коэффициент усиления на расстоянии 1м К = е равен 2,3. Полоса усиления составляет около 0,6% от несущей частоты. Заметим, что для однородной шюской волны (нулевая мода) на расстоянии 1м К=, Ъ. Эта разница связана с тем, что для ненулевой моды в волноводе эффективный путь волны растет (Огр уменьшается) по сравнению со свободным пространством, что при равньос интенсивностях накачки v p а отвечает большей амплитуде скорости (это с избытком компенсирует ослабление взаимодействия из-за различия в поперечной структуре мод). [c.158]

Итак, явление КР позволяет, в принципе, изготовлять состояния поля с коррелированными разночастотными модами, причем в отличие от ПР или ГПР характер корреляции можно непрерывно изменять от чисто квантовой до чисто классической. Абсолютная скорость совпадений увеличивается при уменьшении сдвига частоты со (см. (2)), когда в пределе КР переходит в молекулярное рассеяние на флуктуациях ориентации и концентрации молекул. Очень сильное рассеяние происходит в мутных средах, содержащих взвесь макрочастиц, а также в однородных средах при фазовых переходах критическая опалесценция). При этом, однако, рассеяние квазиупруго (а),- 0) и спектральное разделение а- й -компонент невозможно. Для пространственного разделения коррелирующих полей при квазиупругом рассеянии можно использовать двухлучевую накачку и, в частности, стоячую волну. В последнем случае свет, упруго рассеиваемый в противоположные стороны (под произвольным углом к накачке), должен флуктуировать синхронно. Такой экспериментальный метод может дать дополнительную информацию о кратности рассеяния, функции распределения частиц и др. [c.246]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...