Галогениды, энергия кристаллической

Энергия кристаллической решетки некоторых галогенидов в кДж/моль) [c.16]

Для ионных кристаллов тина АВ можно модифицировать выражение (10.7) и соответственно (10.10). В этих решетках с дефектами по Шоттки по принципу электрической нейтральности может возникать только равное число катионных и анионных вакансий. В этом случае необходима энергия для образования пары вакансий. Какие виды дефектов в определенной кристаллической решетке являются преобладающими, зависит в основном от величины необходимых энергий активации. Вообще говоря, многие типы дефектов существуют одновременно, однако, если один тип, для которого нужны наименьшие энергии образования, сильно превалирует над другими, то соответственно именно он является характерным видом дефекта решетки. В щелочных галогенидах преобладают, например, дефекты по Шоттки. Энергии образования пары вакансий для щелочных галогенидов приведены ниже [c.220]

Рис. 1-41. Зависимость электрической прочности галогенидов щелочных металлов от энергии кристаллической решетки. По А. А. Воробьеву и Е. К. За-вадовской.

Эффект синергизма достигается при совместном введении в электролит производных пиридина или анилина, с галогенид- ионами. По повышению защитного действия галогенид-ионы можно расположить в ряд J", Вг", СГ, т.е. в последовательности, обратной изменению их энергии гидратации, Дж/моль 353 для СГ 319 для Вг и 268 для J , так как более гидратированные поверхностные комплексы с галоидом, например, с ионом хлора, легко теряют связь с атомами кристаллической решетки металла и переходят в раствор. Анионы с меньшей энергией гидратации, хемосорбируясь на поверхности металла, теряют гидратированную воду и приобретают свойства защитной пленки. Резко возрастает защитный эффект от введения -аминов и некоторых других ингибиторов катионного типа при наличии в кислой среде сероводорода, тогда как в аналогичной среде без сероводорода эти же соединения являются слабыми ингибиторами коррозии. В таких случаях адсорбированные на поверхности железа анионы СГ, Вг", J", HS выполняют роль анионных мостиков, облегчающих адсорбцию ингибиторов катионного типа. [c.144]

Для ассоциации двух соседних дефектов не обязательно, чтобы они имели разные знаки. Так, Т 2 Ц нтр в кристаллах галогенидов щелочных металлов образуется при ассоциации двух одинаковых дефектов (/ -центров). Это взаимодействие можно сравнить с ассоциацией двух атомов натрия" в газовой фазе (например, Na + Na- Nag). Энергия связи двух / -центров, конечно, отличается от энергии связи атомов в газовой фазе вследствие влияния кристаллического окружения установлено, что энергия связи в Na l и КС1 не превышает 0,2 зв (4,5 ккал -моль ), энергия связи в Nag и Кз составляет 0,7 и 0,5 эв соответственно, а в Li l имеется даже слабое отталкивание. [c.136]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...