Эмиссия фотоэмиссия

Современные достижения в области физических исследований металлов свидетельствуют о перспективности использования не только световой, но и электронной тепловой микроскопии, когда контраст изображения обусловлен не геометрическим профилем поверхности образца, а определенными характеристиками исследуемого материала, например, работой выхода электрона при термоэлектронной или фотоэмиссии кроме того, в качестве такой характеристики может быть использован коэффициент вторичной электронной эмиссии при бомбардировке первичными электронами. Эти характеристики существенно зависят от состава, фазового состояния, ориентации и температуры изучаемого объекта, поэтому, например, эмиссионная высокотемпературная микроскопия вследствие более высокой разрешающей способности обеспечивает получение большего объема информации по сравнению со световой тепловой микроскопией. При микроструктурном изучении процессов деформирования и разрушения принципиально новые результаты могут быть получены при использовании эффекта экзоэлектронной эмиссии, позволяющего количественно характеризовать определенное энергетическое состояние локальных участков исследуемого образца, что является весьма ценным дополнением к наблюдаемым в металлографический микроскоп качественным структурным изменениям, связанным с накоплением дефектов в поверхностных слоях материала. [c.6]

Значительный интерес могут представить возможности практического применения фотоэмиссии для анализа разрушения сплавов со сложной структурой с целью определения представляющей слабое звено структурной составляющей, в объеме которой наиболее интенсивно происходит деформация и развивается разрушение. Для решения этой задачи может быть использована зависимость величины и кинетики после эмиссии от природы материала (рис. 3). [c.34]

Наряду со световой тепловой микроскопией интенсивно развивается аппаратурно-методическое обеспечение электронной тепловой микроскопии, в которой контраст изображения обусловлен не геометрическим профилем поверхности образца, а такими характеристиками материала, как работа выхода электронов при термоэлектронной или фотоэмиссии, коэффициент вторичной электронной эмиссии и т. д. Эти характеристики существенно зависят от состава, фазового состояния, ориентации и температуры изучаемого объекта. Высокая разрешающая способность этих методов обеспечит получение большого объема информации по сравнению с тепловой микроскопией. [c.493]

Наиб, прямые методы определения спектра П. с., т. е. зависимости (Ц), основаны на угловой зависимости фотоэлектронной эмиссии и т. н. инверсионной фотоэмиссии (излучения, возникающего при захвате электронов из электронного пучка, падающего на поверхность). Первым способом измеряется спектр заполненных П. с., вторым — пустых. [c.652]

Благодаря тому что процесс фотоэмиссии протекает крайне быстро, ток с фотокатода может точно следовать за изменениями интенсивности излучения даже самых быстрых из импульсных лазеров. В принципе предел налагается разбросом времени пролета фотоэлектронов в промежутке между фотокатодом и анодом, но (если не принять особых мер) прежде, чем достигается этот предел, быстроту реакции обычно ограничивает емкость, связанная с внешней цепью. Разумеется, разброс времени пролета уменьшается при повышении напряжения на фотоэлементе. Этот разброс сильно увеличивается при наличии дополнительных каскадов усиления за счет вторичной эмиссии (в ФЭУ). В хорошо сконструированных ФЭУ время нарастания может составлять несколько наносекунд, а в фотодиодах — доли наносекунды, что вполне приемлемо в большинстве случаев. [c.122]

В обычных сварочных дугах фотоэмиссия мало поддается количественному расчету и играет, видимо, незначительную роль в балансе энергии. Попытки [22] объяснить эмиссию Ме-катодов запертым излучением пока не доказаны. [c.87]

При анализе данных о фотоэмиссии возникает дополнительная неопределенность, связанная с необходимостью знать зависимость вероятности излучения возбужденного электрона от к и номера зоны. Даже если пренебречь этим осложнением, интерпретировать данные по электронной эмиссии без упрощающих предположений трудно. Наиболее сильное упрощение состоит в предположении о том, что сила осциллятора <11 - V я ) > совершенно не зависит от к и к. Это предположение среди прочих является основным для невертикальных переходов. Если это предположение сделано, то уравнение (3.87) для проводимости принимает вид [c.371]

Электризация твердых частиц и ионизация путем термоэлектронной эмиссии и фотоэмиссии были исследованы Содха [718, 7191, который использовал метод Эйнбиндера [185], следуя кинетической теории, но пренебрег эффектом пространственного заряда. [c.453]

На собранной установке для Ре-армко, А1 (99,99%) и сплавов Г20, 40Н23, ВТ-9 была изучена связь между локальными деформациями, определенными методом сеток, и фотоэмиссией с малых участков поверхности. Во всех случаях какие-либо изменения эмиссии отсутствуют до начала пластической деформации образца, затем ее интенсивность коррелирует со степенью развития деформационного рельефа. Функциональная зависимость интенсивности тока эмиссии от средней деформации образца Е [c.33]

Современные достижения в области физических исследований металлов свидетельствуют о перспективности использования не только световой, но и электронной тепловой микроскопии, когда контраст изображения обус-словлен не геометрическим профилем поверхности образца, а определенными характеристиками материала, например работой выхода электрона при термоэлектронной эмиссии или фотоэмиссии кроме того, в качестве такой характеристики может быть использован коэффициент вторичной электронной эмиссии при бомбардировке первичными электронами. Эти характеристики существенно зависят от состава, фазового состояния, ориентации и темпера-10 туры изучаемого объекта, поэтому, например, эмиссионная высокотемпера- [c.10]

Так как М. ф. может быть только при высоких интенсивностях падающего излучения, то его наблюдение в чистом виде возможно лишь при специально выбранных условиях эксперимента, исключающих влияние маскирующих факторов. Основным таким фактором, напр. в случае многофотонной фотоэмиссии, является термоэлектронная эмиссия, обусловленная нагревом вещества под действием интенсивного светового излучения. На рис. 2 перегиб в зависимости фототока от интенсивности излучения объясняется тем, что осн. вклад при / < 1 МВт/см даёт фототок трёхфотонной эмиссии, а при / > 1 МВт/см — термоэмиссионный ток. [c.168]

К первой группе относят методы эвакографии и поглощения с использованием явления фотоэмиссии и вторичной эмиссии электронов. В настоящее время имеются многоэлементные приемники со средним квадратич-ным отклонением интегральной чувствительности ддя 1000 элементов не более 30%. [c.93]

Регистрация оптических сигналов с помощью ФЭУ может также производиться методом измерения среднего значения анодного тока. Уровень шума в этом случае определяется среднеквадратическим значением флуктуаций этого тока, термошумом фотокатода, а также вкладом таких компонент шума, как токи утечки, шумы, обусловленные ионной и оптической обратной связью, газоразрядными процессами, фликкер-шумом, автоэлектронной эмиссией и т. д. На точность измерений сказывается и влияние изменения коэффициентов фотоэмиссии и вторичной эмиссии диодов, обусловленные как процессами старения, так и влиянием регистрируемого сигнала. Флуктуации этих составляющих темпового тока не поддаются расчету, так как инициирующие их процессы в значительной мере определяются конструкцией и технологией [c.53]

Теоретические расчеты энергетического спектра атомарночистых поверхностей, естественно, проводятся для однородной идеальной монодоменной структуры и содержат ряд допущений модельного характера. Критерием правомерности тех или иных схем расчета обычно считают согласие с данными фотоэлектронной спектроскопии. При этом часто не учитывают двух основных осложнений, которые возникают при интерпретации экспериментальных данных, типичных для этой методики. В первую очередь это касается вопроса об однородности исследуемых поверхностей. Идеально однородной поверхности с моноэнергетическими уровнями ПЭС должен соответствовать узкий пик эмитированных с этих уровней электронов. В подавляющем большинстве измерений эмиссии на самых различных материалах мы наблюдаем либо квазинепрерывное энергетическое распределение, либо достаточно размытые по энергии всплески эмиссии — см., например, рис.5.12. Правые пики на этом рисунке связывают с собственными ПЭС, но причиной подобных всплесков тока фотоэмиссии может являться и наличие макроскопических де- [c.175]

Уравнение (2.10), описывающее фотоэмиссию проводников, в рамках зонной схемы было получено в приближении свободных электронов, которое несправедливо для полупроводников. Кроме того, для проводников всегда считается, что фотоэлектроны выбиваются с поверхности, так что фотоэлектрическая эмиссия у проводников — почти полностью поверхностный эффект, в то время как теоретические и экспериментальные исследования показывают, что фотоэффект у полупроводников частично носит поверхностный, а частично объемный характер. Различные возможные механизмы образования и рассеяния фотоэлектронов в полупроводниках были исследованы Кейном [14], который показал, что зависимость фотоэлектронного выхода от энергии падающих фотонов вблизи порога может следовать различным энергетическим законам в зависимости от деталей индивидуаль- [c.202]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...