Эмиссия фотоэлектрическая

В группу В входят явления, получившие название фотоэлектрических. В них энергия фотонов поглощается твердым телом и при этом генерируются свободные электроны, дырки или пары электрон — дырка, наблюдается фотоэлектронная эмиссия, возникают различные поверхностные и объемные явления с участием заряженных частиц и т. п. Различные виды взаимодействия света с твердым телом схематически изображены на рис. 9.1. [c.304]

Как уже отмечалось, кро.ме внешнего фотоэффекта, называемого также фотоэлектронной эмиссией, существуют внутренний фотоэффект и фотогальванический эффект. Коротко рассмотрим эти два фотоэлектрических явления. [c.168]

Рубидий. Рубидий используется при изготовлении специальных газоразрядных ламп. Обладает селективным фотоэлектрическим эффектом с максимумом электронной эмиссии для длины волны Я=480 нм. [c.85]

Для неблагородных металлов физическая адсорбция быстро переходит в химическую. Химическую адсорбцию отличают от физической по ряду признаков. Основной из них — это большой тепловой эффект (85 420 кДж/моль), величина которого, соизмеримая с тепловым эффектом образования окислов, явно указывает на ионный характер связи. Наряду с этим имеются косвенные доказательства химической связи, проявляющиеся в заметном изменении ряда физических свойств в уменьшении электронной эмиссии, увеличении контактного потенциала, повышении порога фотоэлектрической чувствительности и др. [c.10]

Фотоэлектрическим эффектом называется передача энергии фотонов электронам вещества. При взаимодействии электромагнитного излучения с конденсированными средами электроны могут либо вылетать в окружающую среду внешний фотоэффект, или фотоэлектронная эмиссия), либо оставаться в теле с переходом на более высокий энергетический уровень (внутренний фотоэффект). При воздействии света на газ может происходить фотоионизация — отрыв электронов от атомов и молекул. [c.250]

К фотоэлементам с внешним фотоэффектом относятся фотоумножители, в которых для усиления полученного фототока применяется вторичная электронная эмиссия. На коэффициент усиления влияют конструкция фотоумножителя, свойства эмиттирующих поверхностей, условия эксплуатации, линейность характеристики, стабильность работы и т. д. Фотоумножители часто применяют в фотоэлектрических измерительных устройствах. Основные характеристики фотоумножителей приведены в табл. 41. [c.349]

Существенный прогресс в фотоэлектрических измерениях был достигнут в 40—50-е годы, когда в практику начали широко внедряться фотоэлектронные умножители (ФЭУ). Основной недостаток вакуумных фотоэлементов — малая величина вырабатываемых ими электрических сигналов — преодолевается в ФЭУ усилением фототока с помощью вторичной электронной эмиссии. Это явление заключается в освобождении электронов из металла или полупроводника при бомбардировке поверхности пучком быстрых электронов. Отношение числа освобождаемых электронов к числу падающих на поверхность, называемое коэффициентом вторичной эмиссии, зависит от скорости и угла падения пучка электронов, вида и состояния поверхности и для некоторых веществ может достигать [c.460]

Наиболее совершенным и высокочувствительным эмиссионным фотоэлектрическим преобразователем является фотоэлектронный умножитель (ФЭУ). В этом преобразователе увеличение тока на выходе прибора /ф по сравнению с током фотокатода достигается за счет вторичной эмиссии электронов с ряда последовательно включенных на пути электронного потока эмиттеров (динодов). Каждый последующий эмиттер находится под большим потенциалом, чем предыдущий, поэтому лавинообразный процесс роста числа электронов, управляемый электрическим полем, приводит к значительному увеличению чувствительности /ф = hai, где — коэффициент вторичной эмиссии п — количество эмиттеров. Коэффициент М = ав называют коэффициентом усиления ФЭУ. Многочисленность применений ФЭУ и большое разнообразие характеристик связаны со значительным количеством разработанных промышленностью материалов для фотокатодов (соединения сурьмы, теллура, висмута, серебра, полупроводники типа А В и др.) и эмиттеров (сурьмяно-цезиевые соединения, сплавы магния, бериллия). Разнообразно также конструктивное оформление ФЭУ — коробчатые, жалюзийные, тороидальные, линейные, корытообразные и т. д. Принципы действия, конструкции, основные параметры и характеристики, а также способы включения и особенности эксплуатации ФЭУ подробно рассмотрены в отечественной литературе [67]. Отметим только некоторые моменты. Спектральная характеристика чувствительности ФЭУ определяется типом фотокатода, постоянная времени — менее 10 с, чувствительность может достигать нескольких десятков ампер на люмен. Существенным преимуществом ФЭУ является относительно высокая [c.203]

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ, фотоэффект — взаимодействие между излучением и веществом, приводящее к поглощению фотонов и освобождению электронов (см. Фотоэлектронная эмиссия, Фотопроводимость, Фотоэффект запирающего глия). [c.175]

Обнадеживающий успех в изучении пленок был получен Брюхе Бели действовать ультрафиолетовым светом на металлическую пластинку, то испускание электронов происходит из различных точек при помощи магнитной электронной линзы имеется возможность фокусировать электроны от каждой точки на соответствующие точки флуоресцирующего экрана. Если (как в случае с платиновой фольгой, нагретой до 900" ) разные зерна поверхности металла различны по своей фотоэлектрической чувствительности, то на экране появится изображение поверхности, показывающее структуру зерен, так же как на обычной световой фотографии. Брюхе установил, что присутствие окисной пленки или пленки жира сильно уменьшает эмиссию электронов с цинка. Если нажать пальцем на цинковую пластинку, то жирный отпечаток невидим на обычной фотографии (если только он не проявлен методом порошка, хорошо известного криминологам), но электронный снимок передает изображение отпечатка очень ясно. Возможности применения этого метода для установления распределения пленок, конечно, ясны читателю. [c.107]

Это выражение может быть использовано для определения изменений энергии в процессах, в которых электрон удаляется из системы или вводится в неё, как в случае термоионной эмиссии или фотоэлектрического эффекта, а также в процессах, связанных с переходом электрона из полосы проводимости на свободный уровень во внутренней оболочке при испускании рентгеновского излучения. [c.362]

Интерпретация спектров оптического поглощения представляется очень трудной задачей ввиду того, что не существует способа, который помог бы определить, какая часть зонного спектра ответственна за наблюдаемый край поглощения, если не считать тех случаев, когда зонная структура очень проста или известна полностью и с большой точностью. Изучение фотоэлектрической эмиссии сильно сужает круг различных возможностей ). [c.370]

В результате непропорционально большого внимания, уделенного вольфраму, процесс составления таблиц значений работы выхода отдельных граней продвинулся дальше, чем для любого другого металла. В настоящее время мы достаточно точно знаем значения работы выхода для плоскостей с наименьшими значениями работы выхода, 4,3—4,4 эВ, и менее определенно для плоскостей с несколько большими значениями работы выхода, 4,5—4,7 эВ. В то же время относительно значения работы выхода плоскости (ПО), являющегося наибольшим, имеется резкое расхождение мнений. Большинство измерений для вольфрама проводилось методом термоэлектронной эмиссии и методом холодной эмиссии, но некоторые интересные результаты, особенно для плоскости (НО), были получены методом поверхностной ионизации и методом контактной разности потенциалов. Имеется и некоторое число фотоэлектрических измерений. [c.220]

Случайность фотоэлектрической эмиссии имеет ту же природу, что и случайность термоэлектронной эмиссии и, таким образом, [c.202]

Фотоэлектрическая эмиссия, обусловленная когерентным местным генератором или сигналом, будет также иметь случайные флуктуации. Среднее квадратичное значение шумового тока, обусловленное сигналом и местным генератором. [c.203]

В четвертой главе (X. С. Ривьере, Англия) дан критический обзор методов и результатов исследования работы выхода металлов, некоторых полупроводников и бинарных соединений. Автор хорошо известен своими исследованиями работы выхода металлов. В главе подробно рассмотрены различные методы определения работы выхода термоэлектронная эмиссия, фотоэлектрические измерения, холодная эмиссия, разные варианты измерений контактной разности потенциалов и, наконец, измерения поверхностной ионизации. Приводятся довольно подробно отдельные детали конструкций для тех или других экспериментальных методик. В главе имеется весьма обширный фактический материал по величинам работы выхода (свыше 40 металлов, элементарные полупроводники, около сотни бинарных соединений оксиды, нитриды, сульфиды, бориды, фториды и ин-терметаллиды). Автор широко дискутирует вопрос о надежности и точности тех или иных методов и проводит сопоставление результатов, полученных разными методами. Следует особо отметить, что обзор Ривьере достаточно полно отражает исследования советских авторов. [c.7]

МНОГОФОТОННЫЙ ФОТОЭФФЕКТ — термин, объединяющий ряд фотоэлектрических явлений, при к-рых изменение электропроводности, возникновение эдс или эмиссия электронов происходят вследствие поглощения электроном вещества (т. е. в связанном состоянии) двух или более фотонов в одном элементарном акте. Практически все разновидности фотоэффекта (внутренний, вентильный, внешний) имеют свой мно-гофотонвый вариант , отличающийся тем, что электроны вещества приобретают необходимую энергию в процессе многофотонного поглощения, в то время как при обычном фотоэффекте требуемое возбуждение электронов достигается за счёт однофотонного поглощения. Это обстоятельство обусловливает гл. особенности М. ф. 1) М. ф. наблюдается при достаточно высоких интенсивностях / падающего излучения, достижимых лишь с помощью лазеров 2) величина фотоотклика вещества (фотоэдс, фототок) при М. ф. пропорциональна /т, ГД0 fil — порядок фотоэффекта, т. е. число фотонов, поглощаемых в одном акте 3) зависимость М. ф. от частоты излучения отражает спектральные характеристики многофотонного поглощения. [c.168]

Фотоэлектрический приемник, реакция которого проявляется в возникновении фотоэлектронной эмиссии (первый) или 4юто-электродвижущей силы (второй). [c.63]

При ударе о поверхность твердого тела электроны, об-ладаютцие высокой скоростью, способь ы выбивать электроны КЗ это. о твердого тела. Это явление носит название вторичной электронной эмиссии. Ее действие во многих аспектах сходно с действием фотоэлектрического эффекта. Отношение количества вторичных электронов к количеству первичных называют коэффициентом вторичной эмиссии б. Коэффициент б зависит от типа вещества, состояния поверхности тела, скорости первичных электронов и угла облучения. Коэффициент б принимает максимальное значение при скоростях первичных электронов, соответствующих нескольким сотням электрон-вольт. При скорости выше указанных пределов коэффициент б уменьшается. В обычных условиях для большинства металлов 6=0,5- 1,5 (например, для лития б= =0,56 для меди 6=1,29 для серебра 6=1,56). Для составной поверхности, такой, например, какА —О—Сз, з[1ачение б может достигать 8—10. Поверхность А —О—55 получается напылением Сз на окисленную поверхность Ад. Для составных электродов М 0—N1, сформированных напылением магния в среде кислорода при низком давлении на стандартную пластинку никеля, можно получить 6—15- 20. Такие электроды находят применение в электронных умножителях, объединенных с фотоэлектрод( м, в суперортиконах и др. Кроме того, [c.376]

Рассмотрим сначала распределение интенсивности, которое можно ожидать из уравнения (3.101), если воспользоваться очень грубым приближением, состоящим в том, что сила осциллятора — константа. Это предположение мы уже обсуждали в связи с фотоэлектрической эмиссией. Тогда интенсивность при данной энергии йй) просто равна плотности занятых состояний при энергии Йю, превышающей есоге- Получаемая таким образом зависимость интенсивности от частоты показана на фиг. 103. Если имеется более чем одно состояние внутренних оболочек, то от каждого из этих состояний возникнут подобные полосы. В реальных экспериментах частотные зависимости интенсивности на обоих краях смазываются. В частности, имеется ярко выраженный низкочастотный хвост полосы поглощения, возникающий из-за процессов, в которых при переходе электрона проводимости в состояние внутренних оболочек возбуждается второй электрон. Эти хвосты [c.382]

Уравнение (2.10), описывающее фотоэмиссию проводников, в рамках зонной схемы было получено в приближении свободных электронов, которое несправедливо для полупроводников. Кроме того, для проводников всегда считается, что фотоэлектроны выбиваются с поверхности, так что фотоэлектрическая эмиссия у проводников — почти полностью поверхностный эффект, в то время как теоретические и экспериментальные исследования показывают, что фотоэффект у полупроводников частично носит поверхностный, а частично объемный характер. Различные возможные механизмы образования и рассеяния фотоэлектронов в полупроводниках были исследованы Кейном [14], который показал, что зависимость фотоэлектронного выхода от энергии падающих фотонов вблизи порога может следовать различным энергетическим законам в зависимости от деталей индивидуаль- [c.202]

Фотоэлектрическая работа выхода, или, точнее, кажущийся порог фотоэффекта для этой поверхности, оказалась равной 4,74 0,02 эВ, что находится в прекрасном согласии со значением, полученным методом термоэлектронной эмиссии Норриса. Авторы полагают, что предварительная температурная обработка кристалла, проводившаяся Норрисом, приводила, вероятно, к образованию такой же поверхностной структуры. [c.239]

Когда квантовая эффективность мала по сравнению с единицей, случайные флуктуации в результате излучения окружающего фона незначительны по сравнению с флуктуациями фотоэлектрического процесса эмиссии. Из табл. 10.1, в которой приведены характеристики типовых фотоприборов при их работе на частоте излучения лазеров, видно, что квантовая эффективность приборов удовлетворяет этому условию [39]. [c.202]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...