Спонтанное рассеяние

При (спонтанное рассеяние) скорость ре- [c.275]

Спонтанное рассеяние света атомами и молекулами. Вынужденное рассеяние света. Вынужденное комбинационное рассеяние света атомами. Роль ВИР в нелинейной оптике и квантовой радиофизике. Спонтанное рассеяние света однородной средой. Вынужденное рассеяние света однородной средой [c.120]

Вынужденное рассеяние света однородной средой. В соответствии с данными, приведенными выше о спонтанном рассеянии света однородной средой, и исходя из основных положений о спонтанных и вынужденных процессах следует предполагать, что в однородной среде должно возникать вынужденное рассеяние света, обусловленное флуктуациями плотности (давления) и те.мпературы (энтропии) среды и анизотропии молекул, составляющих сроду. Действительно, при взаимодействии мощного лазерного излучения с сжатыми газами, жидкостями, стеклами И кристаллами наблюдаются вынужденные аналоги соответствующих спонтанных процессов рассеяния. [c.131]

При заданной плотности носителей заряда Пе вынужденный процесс начинается только при напряженностях поля Я Ямин(Пе). Причина этого может быть понята из анализа коэффициента усиления. С одной стороны, коэффициент усиления gs пропорционален дифференциальному поперечному сечению для спонтанного рассеяния, заданному уравнением (3.16-73) из него получается, как правило, только слабая зависимость от поля (ср. приведенные выше данные для изменения g-фактора при различных значениях напряженности поля). С другой стороны, коэффициент усиления пропорционален величине, описывающей относительные населенности спиновых уровней. Существующие закономерности схематически показаны на фиг. 47. При слабых полях энергия Ферми так расположена по отношению к энергетическим зонам, что верхний уровень в значительной мере заполнен поэтому лишь относительно малое число электронов может совершать переходы Снизу вверх. Напротив, при более сильных полях верхний уровень преимущественно свободен (при достаточно низких температурах), так что путем переворачивания спина значительная часть электронов может возбуждаться, что приводит к относительно высокому значению коэффициента усиления. Область значений напряженности поля, в которой создаются эти благоприятные условия для вынужденного рассеяния, зависит от плотности носителей заряда. Чем меньше плотность носителей заряда, тем при меньших напряженностях поля создаются благо- [c.399]

При очень малых лазерных интенсивностях из уравнения (3.22-22) для спонтанного рассеяния следует [c.450]

В принципе все моменты выходного поля можно выразить через моменты входного поля с помощью общей формулы (5.2.7), в которой для описания спонтанного рассеяния надо все входные моды, кроме мод накачки, полагать в основном (вакуумном) состоянии. Однако условие синхронизма выделяет трехфотонные элементарные процессы, описываемые квадратичной восприимчивостью, и позволяет пренебречь вкладом нелинейных восприимчивостей высших порядков. Это обстоятельство значительно упрощает теорию, так как позволяет исходить из эффективного гамильтониана взаимодействия (6.1.12). [c.195]

Спонтанное рассеяние. Пусть на входе сигнального и холостого излучения нет, тогда вторые моменты на выходе принимают вид [c.197]

Чтобы найти амплитуды спонтанно рассеянного поля, например, на стоксовой частоте, достаточно найти коэффициенты преобразования U si И Usa, связывающие выходную амплитуду Е, (1/2) с отрицательно-частотными входными амплитудами Ei (— 1/2) и Еа (— 1/2). Полагая поэтому Е (— 1/2) = О, найдем из (7), (8) в первом порядке по амплитуде накачки следующие амплитуды [c.228]

Полная теория возникновения периодических структур на облучаемых лазером шероховатых поверхностях довольно сложна. Она опирается на решение задачи о дифракции падающей лазерной волны на пространственно-временной компоненте Фурье модуляции рельефа поверхности. Общее решение существует для малых значений амплитуд фурье-компонент оно аналогично тому, которое описывает спонтанное рассеяние Мандельштама - Бриллюэна на ПАВ или КВ. Затем определенные таким образом поля Ег используются для вычисления температурного поля. Заключительный этап — замыкание цепочки обратной связи — требует рассмотрения, уравнения для конкретного поверхностного возбуждения с соответствующими граничными условиями. [c.161]

Каждый вид теплового или спонтанного рассеяния дает начало вынужденному рассеянию. Кроме ВРМБ были обнаружены вынужденное рассеяние крыла линии Рэлея (Маш, Морозов, Стару-нов, Фабелинский, 1965 г.), вынужденное температурное или энтропийное рассеяние (Зайцев, Кызыласов, Старунов, Фабелинский, 1967 г.). Построека строгая теория этих явлений. [c.600]

Важным классом нелинейных оптич. эффектов явля-шся процессы вынужденного рассеяния (ВР), в к-рых моБДная световая волна индуцирует когерентные элементарные возбуждения в среде (оптич, и акустич, фононы, поляритоны, температурные волны и т. п.) и когерентно рассеивается на них. Каждому виду спонтанного рассеяния света соответствует вынужденный аналог (см. Вынужденное рассеяние света, Комбинационное рассеяние света). [c.303]

Явление вынужденного комбинационного рассеяния (ВКР), соответствующее описанному выше спонтанному процессу, было открыто на опыте Вудбери и Нг в 1962 г. ВКР также заключается в испускании спектральных компонент, сдвинутых относительно возбуждающего излучения на частоту внутримолекулярных колебаний, но вероятность этого процесса зависит от интенсивностей падающего и рассеянного излучений. ВКР возникает только при интенсивности падающего пучка, превышающей некоторую пороговую величину. В отличие от спонтанного рассеяния, интенсивность которого очень мала (10 — 10 часть возбуждающего потока), при ВКР доля рассеянного потока достигает десятков процентов. Помимо линий с частотами (ы S2) появляются линии более высоких порядков (ы 2S2), [c.504]

При учете процесса нагревания среды лазерным излучением надо принимать во внимание возможное различие между поглощением излучения а поглощением энергии излучения. Дело в том, что поглощение излучения, падающего на среду, часто сводится к чисто радиационным процессам. Таково, например, рэлеевское рассеяние или каскадная радиационная релаксация в основное состояние возбужденного атома (молекулы), образованного за Счет поглощения кванта падающего излучения. При рэлеевском рассеянии частота фотонов не изменяется, они выводятся иа пучка за счет отличия направления вылета спонтанно рассеянных фотонов по отношению к направлению распространения падающих фотонов. При каскадной релаксации изменяются и энергия, II направление вылета фотонов. В обоих случаях, хотя излучение и поглощается (т. е. убывает число фотонов в пучке при его распространении в среде), но энергия поглощенного излучения среде не передается. Типичным примером обратной ситуации, когда среда поглощает энергию излучепня, является наличие в прозрачной среде макроскопических непрозрачных включепин, нагревающихся и испаряющихся под деп-ствием мощного лазерного излучения. Нас будет интересовать именно случаи поглощения энергии излучения средой. [c.116]

Как известно, соотношение между вероятностями выаужден-пого и спонтаипого рассеяния определяется коэффициентами Эйнштейна и числом рассеянных фотонов ) [1. 2]. Так как интенсивность лазерного излучения весьма высока, то при рассеянии лазерного иллучепия всегда много рассеян[ Ы фотонов, так что вынужденное рассеяние всегда доминирует над спонтанны. рассеянием. (В лекции 6 была сделана численная оценка критической напряженности поля, прп которой вероятности вынужденной и спонтанной релаксации в двухуровневой системе равны согласно этой оценке р 10 В,/см.) [c.120]

Отметим, что в научной литературе, как правило, при обсуждении спонтанного рассеяния света опускают термин спонтанное и говорят просто о рассеянии света. Такая терминология сложилась исторически. Дело в том, что в долазерную эпоху спектральная яркость источников света бьиа не достаточно велика, чтобы наблюдать вынужденное рассеяние света. [c.120]

Таким образом, в этой лекции будет расс-мотрено рассеяние света изолпрованными атомами и однородными среда.ми. Прежде чем перейти к основному содержанию лекции — вынужденному рассеянию лазерного излучения,— напомним кратко основные черты процесса спонтанного рассеяния света. [c.121]

Отметн-м, что число спонтанно рассеянных фотонов частоты V на единице длины раснространепия волны частоты со в среде пропорционально числу падающих фотонов частоты а. [c.125]

Сверхизлучение наблюдалось также и при комбинационном рассеянии света [И]. Это дает основание говорить о существовании кооперативных аналогов для всех процессов спонтанного рассеяния света. Теоретически показана возможность осуществления ряда более сложных сверхизлучательных эффектов и в многоуровневых системах [12]. [c.184]

Коэффициент усиления в случае ВРМБ существенно зависит от того, как соотносятся между собой ширина линии накачки А р и ширина линии спонтанного рассеяния Мандельштама — Бриллюэна Ар (значение последней лежит в пределах 15—40 МГц для плавленого кварца в полосе пропускания оптического волокна). Например, если Арр > Ар , то при увеличении А р коэффициент усиления ВРМБ сигнала уменьшается в соответствии с отношением Ap /Avp [26]. Всякий раз, когда выполняется это условие, ВКР (его порог, т. е. значение мощности накачки, при которой данный эффект становится заметным, лежит в области 1 Вт и выше) становится доминирующим нели- [c.623]

Сравнивая (4.3.14) и (4.3.15), получаем следующее выражение для Ц)евышения по мощности сигнала антистоксова рассеяния луча в схеме АСКР над уровнем спонтанного рассеяния того же пробного луча [c.249]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...