Вибронные экситоны

Пик поглощения, обусловленный слагаемым (50.61) в мнимой части диэлектрической проницаемости (50.55), связан с образованием одночастичных электронно-колебательных возбуждений в кристалле, которые можно назвать вибронными экситонами. При Мй [c.403]

Если А — интегральная интенсивность, соответствующая поглощению, обусловленному свободными экситонами, то интегральная интенсивность полосы одночастичного поглощения (вибронные экситоны) равна [c.403]

Полюс функций (50.88) при у = уа соответствует резонансному одночастичному поглощению света при частоте (вибронный экситон) [c.408]

Положение вибронного экситона з о и его относительная интенсивность R в зависимости от значения параметра [c.408]

Как известно, комплексному полюсу фурье-образа запаздывающей функции Грина соответствуют неустойчивые одночастичные элементарные возбуждения. Скорость распада этих возбуждений определяется мнимой частью Уо- Итак, при выполнении неравенства (50.89) внутри полосы широкополосного поглощения имеется максимум, которому соответствует образование в кристалле неустойчивых одночастичных элементарных возбуждений — неустойчивых вибронных экситонов, распадающихся и внутримолекулярное колебание частоты Йо- [c.409]

На рис. 63 приведены результаты расчета мнимой части функции Ф1 (у) для кристаллов с положительной эффективной массой экситонов при нескольких значениях Функция Ф 1 у) для кристаллов с отрицательной эффективной массой экситона получается из графиков рис. 63 при зеркальном отражении кривых относительно оси ординат при у = 0. Заштрихованные полосы соответствуют двухчастичным возбуждениям. Стрелки внутри заштрихованных полос определяют значения г/о, при которых в кристалле образуются неустойчивые вибронные экситоны, распадающиеся на экситон и внутримолекулярное колебание. Узкие полосы слева от заштрихованных полос соответствуют устойчивым вибронным состояниям. [c.410]

Это уравнение имеет два корня Zoi. Они характеризуют частоты полос поглощения ю + у АО + Оо + i-хь которые обусловлены образованием в кристалле вибронных экситонов. Относительные интенсивности этих полос определяются вычетами функции [c.412]

Светлые области — вибронные экситоны, заштрихованные области соответствуют возбуждению двухчастичных состояний. [c.415]

Полюсы функции (50.П1), расположенные на вещественной оси у вне этого отрезка, отвечают вибронным экситонам (одночастичные [c.417]

Исследование структуры экситонных зон основано на изучении оптич. спектров экситонов, захваченных на мелкий примесный уровень (см. Гигантские силы осциллятора), и вибронных спектров [3, 4). [c.205]

Вибронные спектры с участием полносимметричных внутри молекулярных колебаний (при < 1). Вычислим диэлектрическую проницаемость кристалла, обусловленную вибронными возбуждениями с участием полносимметричных внутримолекулярных колебаний, энергия которых значительно превышает энергетическую ширину экситонных состояний. В этом случае изменение состояния экситона внутри зоны не может породить внутримолекулярное колебание. [c.396]

Характер вибронных возбуждений с участием полносимметричных внутримолекулярных колебаний определяется шириной экситонной зоны, дипольным электрическим моментом электронного возбуждения е/ю и значением параметров и р (см. (50.11а)), определяющих связь электронного и внутримолекулярного колебательного возбуждений. Рассмотрим два предельных случая. [c.396]

Мнимая часть первого слагаемого в фигурных скобках (50.55) определяет резонансное поглощение,.соответствующее образованию свободного экситона с частотой со в кристалле. Мнимая часть второго слагаемого в (50,55) характеризует однофононные вибронные возбуждения. [c.402]

Поглощение, определяемое выражением (58.45), обусловлено рождением через виртуальные синглетные состояния / пары триплетных экситонов с противоположными спинами. Относительный вклад каждого -то виртуального синглетного состояния (это могут быть и вибронные молекулярные возбуждения) и вносимое им распределение интенсивности в полосе поглощения зависит от значений параметров й/, Ау, а, р и Мт. Рассмотрим некоторые предельные случаи. [c.514]

Функция (50.107) как функция комплексной переменной у, дополнительно к разрезу вдоль вещественной оси в области у1<1, имеет полюсные особенности, соответствующие одночастичному поглощению. Вещественные полюсы, лежащие при значениях 1Нег/ >1, отвечают частотам образования вибронных экситонов. Полюсы функции О у), расположенные в нижней [c.415]

Из внутримолекулярных колебат. возбуждений в кристалле возникают оптич. фононы, к-рые по своим свойствам сходны с электронными экситонами. Их называют колебательными экситонами [3]. Из электронно-колебат. (вибронных) возбуждений молекул возникают т. н. вибронные возбуждения кристалла, имеющие более сложный энергетич. спектр, чем электронные возбуждения. Он содержит связанные состояния электронного и колебат. экситонов и диссоциированные состояния этой пары квааичастиц (одночастичные и двухчастичные возбуждения [4J). Взаимодействие М. э. с фононами, отвечающими колебаниям молекул как целого, обычно можно рассматривать как слабое. Однако в ряде кристаллов (напр., в пирене) наблюдается автолокализация экситонов с образованием эксимеров. [c.205]

Используя теорию возмущений, Рэй 329 сматривать вибронные состояния, соответствующие двухчастичным возбуждениям. Затем в ряде работ Рашбы [330, 331] была предложена динамическая теория вибронных состояний, согласно которой различные вибронные возбуждения кристаллов определялись как связанные и диссоциированные состояния пары квазичастиц, соответствующих экситонным и колебательным возбуждениям. Эта теория использовала наглядное, но малообоснованное понятие локализации экситона на одной молекуле и переоценивала роль изменения частоты внутримолекулярных колебаний при электронном возбуждении. Наиболее интересным следствием теории Рашбы было указание на возможность существования в кристалле квазинепрерывных полос поглощения света, обязанных одновременному возникновению в кристалле при возбуждении светом двухчастичных возбуждений — свободных экситонов и внутримолекулярных колебаний. [c.391]

Теория вибронных спектров молекулярных кристаллов, основанная на естественном обобщении обычной теории экситонов, развивалась в работах Серикова и автора [332, 333]. Основные положения этой теории будут изложены ниже. Напомним прежде всего некоторые особенности вибронных возбуждений свободных молекул. Теория таких возбуждений хорошо развита в большом числе оригинальных работ и описана в ряде обзоров и монографий (см., например, [334, 335]). При описании вибронных состояний свободных молекул будем использовать представление вторичного квантования, которое удобно при обобщении на кристаллы. Рассмотрим для простоты только основное/ = О, и одно невырож- [c.391]

Интенсивность О-спутников, обусловленных комбинационным рассеянием, при малой частоте 0-фононов существенно зависит от температуры. 0-фононные(вибронные) спутники в спектре люминесценции могут появиться не только в результате комбинационного рассеяния, но и при одновременном превращении электронного возбуждения (экситонов) в поляритон и один или несколько 0-фононов. Интенсйвность полос люминесценции, обусловленная такими переходами, не зависит от температуры. [c.603]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...