Двухчастичное поглощение

Отношение интегрального широкополосного (двухчастичного) поглощения к резонансному (одночастичному) чисто экситонному равно Широкополосное поглощение не зависит от знака эффективной массы экситона. Согласно (50.40) на краях широкополосного [c.399]

Интегральная интенсивность широкополосного двухчастичного поглощения равна [c.403]

Второе слагаемое в (50.88) характеризует широкополосное поглощение, которое соответствует образованию в кристалле одновременно экситона и внутримолекулярного колебания частоты йо-Ширина этой полосы поглощения равна ширине экситонной зоны 2 /. экситона. При таком двухчастичном поглощении импульс фотона распределяется между импульсами экситона и внутримолекулярного фотона, поэтому возбуждаются экситонные подуровни всей зоны экситонов. [c.408]

Поглощение фотона свободным электроном возможно только при обязательном участии какой-либо третьей частицы (квазичастицы), в качестве которой могут выступать различные несовершенства кристаллической решетки фононы, примесные атомы, вакансии и т. д. Вклад импульса третьей частицы позволяет выполнить закон сохранения импульса. Такой оптический переход называют непрямым. Коэффициент поглощения при непрямых переходах значительно меньше, чем при прямых, так как, вообще говоря, вероятность одновременного взаимодействия трех частиц меньше, чем вероятность двухчастичного взаимодействия. [c.42]

При 2 0,15 и Л0 = 0 все поглощение является только Широкополосным двухчастичным (см. 50.1). [c.410]

Функция а (у) определена выражениями (50.82). В этом случае область двухчастичного широкополосного поглощения заключена [c.416]

Двухчастичные переходы лежат в ультрафиолетовой области спектра. По сравнению с одночастичными они обладают рядом особенностей. Им соответствует широкополосное поглощение и весьма характерная поляризация. В двухчастичных возбуждениях проявляется взаимодействие между квазичастицами (экситоном и магноном, между экситонами), которое в некоторых случаях приводит к образованию связанных состояний. Связанным состояниям соответствуют дискретные полосы поглощения. Связанные состояния могут иметь существенное значение при исследовании кинетики процессов, в которых участвуют квазичастицы. [c.558]

Интегральное поглощение в каждой двухчастичной полосе пропорционально [c.565]

Кроме широкополосного двухчастичного экситонного поглощения возможно одночастичное поглощение в области относящееся к образованию связанных состояний двух экситонов. Энергии таких состояний соответствуют полюсам функций Грина (64.33) на вещественной оси Подставив значения (64.35) при ]>1 в (64.33), определим условия, при которых такие связанные состояния появляются. [c.565]

Знак плюс сотносится к процессам, протекающим с поглощением фонона, знак минус — с испусканием фонона. Так как энергия фо-н онов в полупроводниках не превышает сотых долей электрон-вольта, а Йа (V I эВ, то в выражении (12.9) можно пренебречь по сравнению с Ы. Импульс же фонона Йкф н лежит в Тех же пределах первой зоны Бриллюэна, что и импульс электрона. Поэтому при переходах с участием фононов импульс электрона может изменяться в широких пределах, что графически выражают проведением наклонных стрелок, характеризующих такие переходы (рис. 12.3, б). Вследствие того, что вероятность протекания процессов с участием трех частиц много меньше вероятности двухчастичных процессов, коэффициент поглощения в области непрямых переходов зггачи-тельно ниже, чем в области прямых. С понижением температуры процессы с поглощением фонона идут реже и коэффициент поглощения для непрямых переходов уменьшается. [c.321]

Термоупругая генерация волн деформации происходит при пространственно-неоднородном нагреве и остывании кристаллической решетки, причем уменьшение температуры тела Т определяется исключительно теплопроводностью. Генерация волн деформации за счет электронного механизма, согласно (3), происходит как при увеличении концентрации неравновесных носителей (при межзонном поглощении света), так и при уменьшении п . Однако, в отличие от температуры кристалла Т, концентрация носителей в плазме в силу (4) падает не только за счет ее пространственной диффузии, но и за счет рекомбинации электронно-дырочных пар. Важно, что время рекомбинации неравновесных носителей Тр суш,ественно зависит от их концентрации при двухчастичной рекомбинации, Тр Пе при Оже-реком-бинации). Поэтому, изменяя плотность энергии оптического воздействия и, следовательно, характерную концентрацию фотовозбужденных носителей, можно эффективно влиять на эволюцию плазмы после окончания светового воздействия и, тем самым, на процесс генерации волн деформации. Уменьшая время рекомбинации Тр, можно добиться выключения деформационного источника акустических волн за времена, не превосходящие длительность оптического воздействия т (при Тр т,,), и существенного уменьшения длины диффузии неравновесных носителей /д==К1)дТр. Оба эти обстоятельства приводят к сокращению длительности оптически возбужденных в полупроводниках импульсов деформации вплоть до [95, 96]. [c.167]

Используя теорию возмущений, Рэй 329 сматривать вибронные состояния, соответствующие двухчастичным возбуждениям. Затем в ряде работ Рашбы [330, 331] была предложена динамическая теория вибронных состояний, согласно которой различные вибронные возбуждения кристаллов определялись как связанные и диссоциированные состояния пары квазичастиц, соответствующих экситонным и колебательным возбуждениям. Эта теория использовала наглядное, но малообоснованное понятие локализации экситона на одной молекуле и переоценивала роль изменения частоты внутримолекулярных колебаний при электронном возбуждении. Наиболее интересным следствием теории Рашбы было указание на возможность существования в кристалле квазинепрерывных полос поглощения света, обязанных одновременному возникновению в кристалле при возбуждении светом двухчастичных возбуждений — свободных экситонов и внутримолекулярных колебаний. [c.391]

Переходы с изменением спина осуществляются за счет слабого спин-орбитального взаимодействия в среднем кристаллическом поле, создаваемом окружающими парамагнитный ион катионами. Энергия такого взаимодействия на несколько порядков меньше энергии кулоновского взаимодействия внутри иона, поэтому в спектре поглощения кристаллов узкие полосы, соответствующие одноэлектронным переходам с изменением спина, очень слабые. Основное поглощение света происходит за счет двухчастичных переходов, в которых наряду с электронным возбуждением участвуют спиновые возбуждения — л1агконы. Образованию таких двухчастичных возбуждений соответствуют широкие полосы поглощения. [c.539]

К диссипации энергии внешнего переменного поля приводят еьстолкновения, длительность которых порядка или меньше периода поля. Это значит, что при i) Qg будут существенны столкновения, происходящие на расстояниях VJ J(i < VJ JQg = ag. На таких расстояниях кулоновское поле ионов уже не экранировано и, таким образом, столкновения приобретают чисто двухчастичный характер (а не многочастичный, каковыми по существу являются столкновения с экранированным взаимодействием). В этих условиях микроскопические акты поглощения энергии поля становятся процессами, обратными к тормозному излучению при парных столкновениях заряженных частиц. Это обстоятельство позволяет с помощью принципа детального равновесия выразить е" через сечение тормозного излучения (В. Л. Гинзбург, 1949). [c.240]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...