Проводимость, прыжковый механизм

Потенциальная энергия межмолекулярного взаимодействия 9.1 Потенциальный барьер 23.5 Приближение случайных фаз 13.12 Проводимость, прыжковый механизм 19.0, [c.634]

В задаче 19.7 рассматриваются полупроводники совершенно иного типа. В этом случае перекрытие орбиталей достаточно мало по сравнению с расстояниями между атомами в решетке, поэтому уже нельзя пользоваться представлением об энергетических зонах и считать, что носители заряда могут свободно двигаться внутри решетки. В первом приближении скорее следует считать, что носители покоятся в определенных узлах решетки, и для того, чтобы они могли преодолеть энергетический барьер, отделяющий данный узел от эквивалентного соседнего узла, необходима определенная энергия активации Еа- Вещества, в которых проводимость обусловлена процессами диффузионного типа, называются веществами с прыжковым механизмом проводимости. Для того чтобы такой механизм был возможен, в веществе, конечно, должны существовать как избыточные носители, так и соответствуюшие незаполненные узлы. [c.490]

Рассмотрим термоэлектрические свойства веществ, проводимость в которых осуществляется при помощи прыжкового механизма. [c.504]

ПРЫЖКОВАЯ ПРОВОДИМОСТЬ, механизм электропроводности тв, тел, связанный с перескоками эл-нов, локализованных в пр-ве, из одного состояния в другое. П, п, наблюдается в неупорядоченных системах, у к-рых электронные состояния, локализованные в разных местах, имеют разную энергию. При прыжке эл-на из одного состояния в другое дефицит энергии покрывается за счёт энергии тепловых колебаний атомов. С этим связана характерная температурная зависимость электрич, сопротивления р. При умеренно низких темп-рах, когда доминируют прыжки между соседними состояниями, С пониже- [c.595]

Важно заметить, что из-за резкого уменьшения о (В) на пороге подвижности с а( ) 1 Ом" см для Е<Ес электронный перенос в области 1 <а<200 0м см- обеспечивается, по-видимому, электронами, термически возбужденными в делокализо-ванные состояния выше порога подвижности. Имеется сравнительно мало исследований жидких полупроводников в интервале проводимостей сг<1 Ом- см- , так что суш,ествует мало экспериментальных оснований для обсуждения применимости обрисованной выше теории прыжковой проводимости в жидкостях. В недавнем исследовании частотной зависимости а в сплавах 5е—Те Андреев [9] пришел к заключению, что прыжковый механизм существен в жидких полупроводниках только в области 0<О,1 Ом- см- . [c.106]

Механизмы а и б более характерны для ХСП, случай в — для ЭТАП. Прыжковый иерепос носителей проявляется в слабой зависимости проводимости на хгеремепном токе от те.мп-ры зависимости от частоты (o sK fe(u t ) в противоположных знаках термоэдс и Холла эффекта. [c.66]

Нарушения кристаллич. структуры приводят в определённой части энергетич. спектра к локализации электронных и фононных состояний. В аморфных полупроводниках локализованными оказываются электронные состояния, лежащие в запрещённой зоне там, где плотность состояний относительно мала. Электроны, находящиеся в локализов. состояниях, могут переносить ток лишь путём прыжков из оДного состояния в другое (см. Прыжковал проводимость). Т. к. состояния имеют разную энергию, прыжки осуществляются лишь с поглощением или испусканием фононов. При Г О К этот механизм ее работает и локализов. состояния вообще не могут переносить электрич. ток. Энергетич. граница между локализов. и делокализов. состояниями наз. порогом подвижности. Хим, потенциал (уровень Ферми jr) в аморфных полупроводниках находится глубоко в запрещённой зоне, и при не очень низкой Т электропроводность осуществляется с помощью теплового заброса электронов в состояния, лежащие Bbinie порога подвижности. Т. о., порог подвижности играет роль электрич. границы разрешённой зоны. При самых низких темп-рах электропроводность становится прыжковой. [c.342]

Прыжковая проводимость в переменном электрическом поле связана со смешением носителей лишь на конечные расстояния. Поэтому при частоте поля iu > а проводимость определяется не бесконечным кластером, а переходами электронов между парами конечных кластеров, состоящих из доноров, связанных сопротивлениями с < (<о) S 1п(У ,/ш). При больших частотах, когда разница 1,. — (о ) становится ае мала по сравнению с проводимость определяется поглощением энергии в изолиров. парах локализованных состояний. При относительно малых частотах и высоких темп-рах, когда Аш кТ, основным механизмом поглощения являются релаксац. потери, а при Асо > кТ — резонансное (бесфононное) поглощение фотонов. [c.171]

Третьим важным аспектом явления электропроводности диэлектриков следует считать механизмы переноса заряда. Этот механизм называется дрейфовым, если большую часть времени носители заряда тратят на движение (в том числе и ускоренное движение в электрическом поле), а меньшую — на соударение, захват и рассеяние на других частицах. Дрейфовая скорость заряженных частиц под воздействием электрического поля обычно гораздо ниже, чем скорость их хаотического перемещения. Вторым важным механизмом следует считать прыжковый , о котором уже говорилось выше в связи с поляронной проводимостью. При этом механизме носители заряда большую часть времени находятся в локализованном состоянии и лишь незначительную часть времени тратят на движение — перескок на соседний узел кристаллической решетки. И наконец, возможен диффузионный механизм переноса заряда, при котором за счет беспорядочных хаотических движений носителей заряда выравнивается их концентрация в диэлектрике. При этом носители заряда перемещаются из области повышенной концентрации в область меньшей концентрации одинаковых частиц. [c.45]

Во всех устройствах и приборах, где ЭНП выполняет функции электрической изоляции, она работает в достаточно сильных полях, напряженность которых приближается к Enf тех же диэлектриков в толстых слоях. В этих условиях через ЭНП протекают токи, значительно большие, чем те, которые можно ожидать, учитывая лишь объемную проводимость массивных образцов. В большинстве случаев концентрация в тонких пленках носителей заряда будет определяться инжекцией их из электродов или возбуждением с различных примесных уровней. Механизмы электропроводности будут различны в зависимости от характера контакта электрод — пленка и от степени чистоты материала ЭНП. Можно яэ-эвать наиболее часто наблюдаемые механизмы эффекты Шотки и Пуля — Френкеля, токи, ограниченные объемным зарядом (ТООЗ) перескоки электронов по локальным уровням в запрещенной зоне аморфных пленок ( прыжковая проводимость). Законы изменения токов, определяемых этими механизмами, будут весьма различны. [c.259]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...