ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы В задаче 19.7 рассматриваются полупроводники совершенно иного типа. В этом случае перекрытие орбиталей достаточно мало по сравнению с расстояниями между атомами в решетке, поэтому уже нельзя пользоваться представлением об энергетических зонах и считать, что носители заряда могут свободно двигаться внутри решетки. В первом приближении скорее следует считать, что носители покоятся в определенных узлах решетки, и для того, чтобы они могли преодолеть энергетический барьер, отделяющий данный узел от эквивалентного соседнего узла, необходима определенная энергия активации Еа- Вещества, в которых проводимость обусловлена процессами диффузионного типа, называются веществами с прыжковым механизмом проводимости. Для того чтобы такой механизм был возможен, в веществе, конечно, должны существовать как избыточные носители, так и соответствуюшие незаполненные узлы. [Выходные данные]