Скольжение краевой дислокации

Опишем качественно дислокационный механизм, предложенный А. Стро и Н. Моттом. Представим себе, что к кристаллу приложено растягивающее напряжение, вызывающее в нем скольжением краевых дислокаций вдоль какой-то плоскости скольжения (рис. 4.19). Пусть на пути движущихся дислокаций встретится не- [c.139]

Рис. 5.3. Схема перемещения атомов при скольжении краевой дислокации

Рис. 2.9. Ступенька, образованная на краевой дислокации Е, пересекающей винтовую дислокацию 5. Ступенька возникает вследствие геликоидального искажения винтовой дислокацией плоскости скольжения краевой дислокации.

Рис. 65. Движение (скольжение) краевой дислокации через кристалл вдоль ее плоскости скольжения

Роль структуры связывают с развитием микропластической деформации (МПД) в приграничных зонах зерен. МПД обусловлена наличием в структуре свежезакаленной стали незакрепленных, способных к скольжению краевых дислокаций при действии сравнительно невысоких напряжений (ст Сто г)- Особенно высока плотность дислокаций в мартенсите непосредственно после сварочного термического цикла. МПД является термически активируемым процессом, т.е. ее скорость зависит от температуры и величины приложенных напряжений. При длительном нагружении по границам зерен развивается локальная МПД, которая приводит к относительному проскальзыванию и повороту зерен по границам. В результате этого происходит межзеренное [c.67]

Рис. 2.9. Скольжение краевой дислокации

Объясните механизм скольжения краевой дислокации. [c.155]

Деформация кристалла будет теперь соответствовать движению дислокации направо или налево, причем для такого движения потребуется пренебрежимо малая энергия активации. Следовательно, в плоскости скольжения краевая дислокация исключительно подвижна. Легко видеть, что движение дислокации через всю плоскость скольжения приведет к смещению верхней половины кристалла относительно нижней на одно межатомное расстояние. Б частности, если приложено сдвиговое напряжение, которое [c.503]

Рассмотрим теперь плоскость скольжения краевой дислокации. Дислокация образует в этой плоскости линию и в некоторых точках может уходить из плоскости, как это происходило в только что [c.507]

Рис. 74. Перемещение в плоскости скольжения краевой дислокации (3 — направление перемещения дислокации)

Так, для передвижения изображенной на рис. 22 краевой дислокации в ее плоскости скольжения (плоскость х, г) достаточно сравнительно небольших перемеш.ений атомов, в результате которых лишними будут оказываться все более удаленные от плоскости у, г кристаллические полуплоскости. [c.160]

Но при этом необходимо учесть, что движение дислокаций сопровождается, помимо изменения упругой деформации, также и изменением формы кристалла, не связанным с возникновением напряжений — пластической деформацией. Как уже упоминалось, движение дислокаций как раз и представляет собой механизм пластической деформации. (Связь движения дислокаций с пластической деформацией ясно демонстрируется рис. 25 в результате прохождения краевой дислокации слева направо верхняя — над плоскостью скольжения — часть кристалла оказывается сдвинутой на один период решетки поскольку решетка в результате остается правильной, то кристалл остается ненапряженным.) В противоположность упругой деформации, однозначно связанной с термодинамическим состоянием тела, пластическая деформация является функцией процесса. При рассмотрении неподвижных дислокаций вопрос о разделении упругой и пластической деформаций не возникает нас интересуют при этом лишь напряжения, не зависящие от предыдущей истории кристалла. [c.165]

Видно, что поле напряжений прямолинейной дислокации имеет дальнодействующий характер, спадая, как г . На расстоянии (10 —10 )й от линии дислокации напряжения составляют величину - (10- —10 ) G. Как мы видели, при таких напряжениях дислокации уже могут двигаться. Таким образом, если на расстоянии — (10 —W)b от дислокации находится другая дислокация, то под действием напряжений, созданных первой дислокацией, вторая может начать скольжение. Другими словами можно сказать, что между дислокациями существует сильное упругое взаимодействие. Из рис. 3.23 легко понять, например, что две краевые дислокации, расположенные в одной плоскости скольжения, отталкиваются, если они одноименные, и притягиваются, если они разноименные. [c.105]

Рис. 3.24. Две краевые дислокации противоположного знака, движущиеся в соседних плоскостях скольжения

Рис. 3.23. Две краевые дислокации, расположе -ные в одной плоскости скольжения а — дислокации одного знака отталкиваются, б —дислокации разных знаков притягиваются

Чрезвычайно важным результатом взаимодействия физических точечных дефектов (т. е, вакансий и междоузельных атомов) с дислокациями является их аннигиляция на дислокации. Механизм такого явления можно понять из рис. 3.27, где изображена краевая дислокация, переходящая из одной плоскости скольжения в другую, расположенную выше на одно межатомное расстояние. Такой переход называют ступенькой. Если к точке А подходит вакансия, то ступенька смещается в положение В, а сама вакансия [c.110]

Это — краевая дислокация (Ь перпендикулярно линии дислокации), но главная ее особенность состоит в том, что Ь не лежит в плоскости скольжения. Поэтому такая дислокация не может перемещаться скольжением, и ее движение будет затруднено. Подобные дислокации могут возникать при схлопывании плоских скоплений вакансий (отрицательные дислокации) или при введении дисков из межузельных атомов (положительные дислокации). Ввиду затрудненности движения дислокации Франка часто называют сидячими дислокациями. Они могут также образовываться делением единичных дислокаций, например, в результате реакции [c.244]

На рис. 117, а показана так называемая краевая дислокация. Верхняя часть решетки сдвинута относительно нижней на одно межатомное расстояние, причем зафиксировано положение, когда сдвиг охватил еще не всю плоскость скольжения. В результате появилось искажение решетки одна вертикальная атомная плоскость верхней половины не имеет продолжения в нижней. [c.115]

Следует отметить, что вектор Lo краевой дислокации может лежать произвольно в плоскости, перпендикулярной Ь (рис. 19,6), а полуплоскость в этом случае будет иметь ломаный край. Скольжение в этом случае может происходить по любой поверхности, для которой [c.36]

Рассмотрим перемещение краевой дислокации в плоскости скольжения ss (рис. 32, а) и определим причины легкой подвижности дислокации. В первоначальном положении экстраплоскость образована атомами 2—2. Для простоты рассуждений примем, что силы притяжения между атомами быстро уменьшаются с увеличением расстояния между ними. Поэтому связи между атомами 2—5 и 2—6 пренебрежимо малы и взаимно уравновешены, а связи между атомами 1—5 и 3—6 несколько ослаблены. Приложим к решетке касательное напряжение X (рис. 32,6). Тогда расстояние между атомами 8—6 увеличится, а между 2—6 уменьшится. При дальнейшем перемещении верхней от ss части кристалла относительно нижней под действием касательных напряжений расстояние между атомами 3 тл. 6 настолько увеличится, что [c.60]

При движении дислокации происходит эстафетная передача дислокации от одной плоскости к другой с одновременным ослаблением и восстановлением связей кристаллической решетки не одновременно по всей плоскости скольжения в кристалле, а только в ядре дислокации. В связи с этим напряжение тп-н гораздо меньше теоретического напряжения сдвига в идеальной решетке Тт — G/2n. Например, для простой кубической решетки при а=Ь, v = V3 и q= l3 (краевая дислокация) тп-н= = 2,5-Ю <Стт. Порядок величины тп-н удовлетворительно согласуется с экспериментальными данными. [c.63]

Если подвижная краевая дислокация пересекает неподвижную винтовую (рис. 45), то дислокационная линия 22 находится на поверхности скольжения, которая представляет собой винтовую поверхность, созданную [c.86]

При таких обстоятельствах, чтобы инициировать скольжение краевой дислокации, на которой образовалась атмосфера Котрелла при низких температурах, когда диффузионная подвижность примесных атомов мала, необходимо дополнительное напряжение для вырывания дислокации из примесной атмосферы. [c.39]

Определить этот вектор можно с помощью контура Бюргер-са. В совершенной решетке кристалла (нижний контур на рис. 1.8) такой контур оказывается замкнутым прямоугольником в случае наличия краевой дислокации внутри контура (верхний контур на рис. 1.8) он имеет разрыв, величина и направление которого определяют вектор Бюргерса дислокации. Дислокация движется (под действием механических напряжений) в плоскости скольжения, которая касательна к линии дислокации и перпендикулярна экстраплоскости. Вектор Бюргерса краевой дислокации параллелен направлению скольжения дислокации, перпендикулярен линии дислокации и равен межатомному расстоянию в направлении скольжения. Краевая дислокация обозначается символом, в котором вертикальная риска указывает, с какой стороны плоскости скольжения (горизонтальная риска) находится экстранлоскость. Например, символ 1 показывает, что экстраплоскость находится сверху (см. рис. 1.8). [c.27]

Рис. 68. а — Схема преодоления дисперсной частицы краевой дислокацией при локальном климбе. б — Зависимость скорости скольжения краевых дислокаций от концентрации вакансий при постоянных напряжениях [c.246]

Образование трещин при скольжении дислокаций по искривленным плоскостям (механизм Инденбома). Важный механизм зарождения трещин в пластически деформированных кристаллических телах предложил В. Л. Инденбом [17], который заметил, что для скольжения дислокации по изогнутой плоскости необходимо оставлять вдоль пути скольжения краевые дислокации с вектором Бюргерса, нормальным к поверхности скольжения (рис. 13.46). Передвижение п краевых дислокаций [c.469]

Под действием сдвигающи.х напряжений т (рис. 1.12), действующих параллельно плоскости скольжения, краевая дислокация способна передвигаться. Смещение дислокации состоит в том, что дополнительной, лишней, плоскостью поочередно становятся плоскости, параллельные исходной плоскости аЬ (рис. 1.12). Элементарный акт смещения краевой дислокации на одно межатомное расстояние схематично показан на рис. 1.12. Штриховыми линиями на этом рисунке показана решетка, образованная после смещения центра дислокации из положения Ь в положение [c.21]

Низкотемпературная ползучесть реализуется путем развития микропластической деформации (МПД) в пригранич 1ых зонах зерен [8]. МПД обусловлено наличием в структуре свежезакаленной стали незакрепленных, способных к скольжению краевых дислокаций при действии сравнительно невысоких напряжений. Особенно высока плотность дислокаций в мартенсите непосредственно после воздействия термического цикла. Величина МПД лежит в диапазоне 10 —10" и проявляется при напряжениях выше предела неупругости ста (или микроско- [c.137]

Клинейным дефектам относятся дислокации, которые могут быть краевыми и винтовыми. Как видно из рис. 1.2, а, краевая дислокация возникает, если по одну сторону от плоскости скольжения количество перпендикулярных ей атомных плоскостей больше, чем по другую. Наличие дополнительной плоскости вызывает нарушение правильного расположения атомов, что повышает потенциальную энергию участка кристаллической решетки вблизи дислокации. Под действием внешней нагрузки, действующей параллельно плоскости скольжения, краевая дислокация смещается. В результате дополнительной плоскостью поочередно становятся все расположенные в направлении действия нагрузки плоскости, начиная с исходной (на рис. 1.2,6 показано пунктиром). После того как краевая дислокация достигнет поверхности кристалла, одна его часть сместится отно- [c.7]

Край экстраплоскости АВ представляет собой линию краевой дислокации, кот( ра л простирается вдоль плоскости скольжения (нернендикулярно вектору сдвига т) через всю толщу кристалла (рис. 9, б). В поперечном сечении, где имеет место су1цественное нарушение в периодичности и расположении атомов, размер), де-( )екта не ве п1ки и не превышают 3—5 и (а период реш.тки). [c.21]

Найти силу взаимодействия двух параллельных краевых дислокаций в изотропной среде, раслоложенных в параллельных плоскостях скольжения. [c.163]

Fla понижение подвижности дислокации оказывает влияние изгиб плоскостей скольжения при деформации вблизи скопления краевых дислокаций, взаимное пересечение непараллельных дислокаций, ведущее к образованию стуиенек. [c.135]

Краевая дислокация может быть образована сдвигом одной части кристалла относительно другой на одно межатомное расстояние не на всю длину кристалла U, а только на ее часть l=AD (рис. 14). В этом случае в верхней части кристалла образуется одна дополнительная плоскость АА В В, называемая экстраплоскостью. Граница экстраплоскости АВ внутри кристалла и есть дислокация. Ее длина L составляет обычно 10 —10 нм. Так как плоскость скольжения AB D не распространилась на всю длину кристалла 1 и сдвиг прошел только в части кристалла до границы АВ, можно сказать, что дислокация — граница незавершенного сдвига, а длина ее свободного пробега /с.п=ЛЬ. [c.31]

ДВИЖЕНИЕ ДИСЛОКАЦИИ. Важным свойством дислокаций является их подвижность. Краевая дислокация (см. рис. 14) легко перемещается в плоскости скольжения AB D под действием незначительных напряже- [c.60]

Расщепленная винтовая дислокация образуется аналогичным образом, причем имеется полная аналогия со скольжением расщепленной краевой дислокации. Однако расщепление винтовой дислокации на две частичные дислокации Шоккли вносит существенное изменение в эсобенности ее скольжения. Как было отмечено ранее, отличительной особенностью чисто винтовой дислокации [c.71]

Пусть подвижная краевая дислокация 1 (рис. 43, а) с экстраплоскостью I dl и плоскостью скольжения qvtr пересекает неподвижную дислокацию 2, вектор [c.84]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...