Фотосопротивление —

Вентильный фотоэффект. Вентильный фотоэффект — это явление возникновения э. д. с. при освещении контакта двух разных полупроводников или полупроводника металла в отсутствие внешнего электрического поля. На этом явлении основаны вентильные фотоэлементы, обладающие тем преимуществом перед фотосопротивлениями и внешними фотоэлементами, что они могут служить индикаторами лучевой энергии, не требующими внешнего питания. Но главная особенность вентильных фотоэлементов состоит в том, что они открывают путь для прямого превращения солнечной энергии в электрическую. В начале нашего века существовали фотоэлементы, работающие на контактах полупроводников и металлов. Однако в дальнейшем было показано, что наиболее эффективными являются фотоэлементы, основанные на использовании контакта двух полупроводников с р- и -типами проводимости, т. е. на так называемом р- -переходе. При освещении перехода в р-области образуются электронно-дырочные пары. Электроны и дырки диффундируют к р- -переходу. Электроны под действием контактного поля будут переходить в -область. Дырки же преодолевать барьер не могут и остаются в р-области. В результате р-область заряжается положительно, -область — отрицательно и в р-я-переходе возникает дополнительная разность потенциалов. Ее и называют фотоэлектродвижущей силой (фото-э. д. с.). [c.346]

Фотосопротивления (фоторезисторы) основаны на внутреннем фотоэффекте. Еще в 70-х гг. XIX в. было замечено, что пластинка селена, освещенная светом, меняет свое сопротивление. В настоящее время для изготовления фотосопротивлений селен практически не используется они изготовляются главным образом из сернистого свинца, сернистого висмута, сернистого кадмия или сернистого таллия. Обычно фотосопротивление представляет собой стеклянную пластинку с нанесенным тонким слоем полупроводника, на поверхности которого укреплены токопроводящие электроды. [c.173]

Превращение фотоэлектронов в электроны проводимости требует меньшей работы, чем вырывание их за пределы того слоя кристаллической решетки, из которого они были освобождены. Поэтому фотосопротивления имеют более длинноволновую границу фотоэффекта, расположенную в инфракрасной области. Кривые спектральной чувствительности некоторых фотосопротивлений приведены на рис. 26.19. [c.173]

Фотодиоды также основаны на внутреннем фотоэффекте. Германиевые фотодиоды близки по принципу действия к фотосопротивлениям. Простейший германиевый фотодиод с точечным контактом показан на рис. 26.20. К тонкой пластинке из германия, имеющей с внутренней (по отнощению к падающему излучению) стороны углубление, подведены два контакта. Один из них припаян с боковой стороны пластинки, а другой соединен при помощи пружинного контакта с вольфрамовой спиралью-коллектором. Свет концентрируется на германиевую пластинку в месте, лежащем против точечного контакта. Если германиевая пластинка имеет электронный харак- [c.173]

Рис. 26.19. Спектральные характеристики некоторых фотосопротивлений

Для считывания числа с перфоленты применяются как контактные, так и бесконтактные способы. При контактных способах щупы или щетки западают в отверстия и замыкают соответствующие контакты. При бесконтактных способах используются фотосопротивления или пневматические датчики. [c.241]

Система программирования нагружения снабжена программным задатчиком типа РУ-5-01. Задатчик с помощью системы фотосопротивления ФСК считывает рисуемую на бумаге или наклеиваемую на прозрачный барабан программу. Скорость протяжки может соответствующим подбором сменных шестерен редуктора меняться от 100 до 10%/мин. Программа выдается в виде сопротивления, пропорционального величине программируемого параметра. [c.64]

Широкое распространение получили фотосопротивления, чувствительные не только к видимому участку спектра, но и к далеким инфракрасным лучам, а также фотоэлементы с запорным слоем, работающие без внешней электродвижущей силы. Фотосопротивления и фотоэлементы нашли применение для световых измерений, экспонометров, автоматизации технических процессов и т. п. [c.320]

Разнообразные виды электропроводящего стекла находят применение в различных полупроводниковых приборах (термисторы), светофильтрах, фотосопротивлениях, для производства электрообогреваемого стекла, предназначенного для остекления средств транспорта и сооружений, источников инфракрасного излучения (отопительные устройства), стеклянных кипятильников. [c.470]

Изготовление элементов кристаллических полупроводниковых приборов (кристаллические выпрямители, диоды, кристаллические усилители — триоды и транзисторы), применяемых при изготовлении сложных устройств автоматики, телемеханики, счетно-решающих устройств. Изготовление термисторов, применяемых в автоматической и сигнальной аппаратуре. Изготовление фотодиодов и фотосопротивлений. Изготовление пленочных сопротивлений (тонкие пленки Ое на стекле или керамике) с от 1000 Ом до нескольких МОм. [c.346]

Рассмотрим работу УЗУ на примере действия одного из 15 одинаковых каналов усиления, схема которого показана на рис. 3. При освещении фотосопротивления ФД его проводимость резко возрастает, положительное напряжение на сетке тиратрона МТХ-90 достигает порога срабатывания, и тиратрон зажигается на световом табло. [c.167]

Следящая система состоит из прозрачного корпуса 2, закрепленного на валу 2 электродвигателя 3, чувствительного элемента (маятника) 4, выполненного в виде диска с закрепленным на нем грузом 5. Чувствительный элемент свободно вращается в прозрачном корпусе, который заполнен жидкостью. С корпусом жестко связаны попарно два источника света (ИС) и фотосопротивления (ФС). Для более быстрого разгона чувствительного элемента корпус заполнен жидкостью и снабжен лопатками 6. [c.110]

Величины сопротивления эталона и сопротивления эталона приращения задаются пленкой программного устройства 1 посредством фотосопротивлений и реле. [c.300]

Стимулом к созданию новых фотоэлектрических приемников послужило открытое У. Смитом в 1873 г. явление, при котором в результате поглощения излучения снижается электрическое сопротивление материала без изменения его температуры. Это явление получило название эффекта проводимости, или внутреннего фотоэффекта. Смит обнаружил, что при облучении светом селеновой пластинки ее электрическое сопротивление уменьшается. Указанное открытие вызвало в XX в. бурное развитие фотоэлектрических приемников с внутренним фотоэффектом, получивших в дальнейшем название фотосопротивлений, что, в свою очередь, было новым качественным скачком в развитии приемников излучений и привело к появлению ряда оптико-электронных приборов различного назначения. [c.382]

Фотоаппарат ззо, 331, ззз, 366 Фотография 347, 34S, 354 Фотометрия 36S, 370 Фотопленка 333, 335, 336 Фотоприемник 379 Фотосопротивление 382 Фотофон 379 Фотоэлемент 352 [c.506]

При вращении ротора световой луч, отраженный от зеркальца, перескакивает от одного фотосопротивления к другому, последовательно их пробивает и производит одно за другим переключения секций обмотки, обеспечивая тем самым постоянство работы двигателя. [c.131]

Фотоэлектрические приборы, используемые для регистрации электромагнитной энергии в видимой области спектра, основаны на различных видах фотоэлектрического воздействия света на светочувствительные материалы. Падающая световая энергия приводит в этих приборах либо к возникновению фототока, либо к изменению электрического сопротивления. Измерив эти электрические величины, можно судить о количественном значении падающего светового потока. Фотоэлектрическими приборами, которые используются в световом моделировании теплообмена излучением, являются фотоэлементы, фотоумножители и фотосопротивления. При этом чаще всего применяются полупроводниковые фотоэлементы как наиболее простые, удобные и достаточно эффективные. [c.307]

Наряду с фотоэлементами с внешним фотоэффектом находят иногда применение фотоэлементы с запирающим слоем и фотосопротивления. [c.365]

Система блокировки защиты ЦКТИ показана на рис. 71. Она основана на свойстве фотосопротивлений. [c.126]

Здесь R t= (Ут + иО э/v, где От—средняя скорость падения частиц, предварительно определенная с помощью фотосопротивлений, а v — средняя скорость газа, отнесенная к наименьшему проходному сечению шахты (между концом полки и стенками шахты). Для условий радиационно-конвективного теплообмена при начальной температуре газа до 1514" К и конечной температуре нагрева песка 1 353° К, в (Л. 219а] получена зависимость [c.173]

Принцип работы электрофотометра основан на электрическом действии света (фотоэлементы, фотоусилители, фотосопротивления и т. д.). Самый простой фотоэлектрический фотометр состоит из фотоэлемента и соединенного с ним высокочувствительного гальванометра. Если измерить электроток, создаваемый действием света, то можно вычислить освещенность поверхности фотометра. Проградуировав гальванометр непосредственно в люксах, можно получить величину освещенности. В качестве фотоусилителей могут быть использованы так называемые фотоэлектронные усилители (ФЭУ). Выбор того или иного ФЭУ обусловлен спектральным составом измеряемого светового потока. Так, например, для красной и близкой инфракрасной областей спектра применяются фотоусилнтели ФЭУ-62, ФЭУ-22. Для сине-зеленой области применимы ФЭУ-17, ФЭУ-18, ФЭУ-19 и т. д. ФЭУ-18, ФЭУ-39 рассчитаны на работу в ультрафиолетовой и сине-зеленой областях спектра. ФЭУ-106 применяется как в видимой, так и в ультрафиолетовой и инфракрасной областях спектра. [c.20]

Открытие фотографии и ее успехи сыграли решающую роль в исследовании ультрафиолетовых лучей, ибо фотографическая пластинка оказывается к ним весьма чувствительной. Исследование ультрафиолетового излучения удобно также производить по его сп Усоб-ности возбуждать свечение многих тел (флуоресценция и фосфоресценция) и вызывать фотоэлектрический эффект. Фотографировать можно также и инфракрасное излучение, применяя особым способом обработанные фотопластинки (сенсибилизация, см. гл. XXXV). Таким путем удается, однако, дойти лишь до 1= 1,2—1,3 мкм. Значительно дальше простирается чувствительность к инфракрасным лучам у современных фотоэлементов и фотосопротивлений, с помощью которых можно регистрировать инфракрасное излучение примерно до 100 мкм. Используя влияние инфракрасных лучей на яркость фосфоресценции (см. гл. XXXVIII), удалось исследовать область спектра до 1,7 мкм. Однако тепловой метод, применимый для любой длины волны, является и доныне весьма распространенным при работе с инфракрасным излучением, особенно для длин волн больше 2 мкм. Конечно, при этом применяются весьма чувствительные термометры, особенно электрические (сверхпроводящие и обычные болометры и термопары), позволяющие констатировать подъем температуры на миллионную долю градуса (10 К). [c.401]

Этим видам фотоэффекта соответствуют три основные группы фотоэлементов — приборов, превращающих световую энергию в энергию электрического тока фотоэлементы с внешним фотоэффектом (вакуумные и газонаполненные) фотоэлементы с внутренним фотоэффектом (фотосопротивления или фоторезисторы) фотоэлементы с запирающим слоем (вентильные или нолуиронодниковые). [c.156]

Широкое применение в фотоэлектрической автоматике нашли сернисто-кадмиевые фотосопротивления. Они обладают высокой чувствительностью в видимой области спектра (максимум около 0,6 мкм) и могут применяться без последующего усиления, давая сигнал, достаточный для срабатывания соответствующих фотореле. Недостатком фотосопротивленнй является значительная зависимость их чувствительности от температуры. [c.173]

Детектор, регистрирующий свет, прошедший через образец (или отраженный от него), обязательно должен отвечать исследуемой спектральной области. В далекой и средней инфракрасных областях используются термоэлементы (термопары) и болометры. В видимой области спектра и в ближнем ультрафиолете используются фотосопротивления, фотоумножители. При работе в глубо/ком ультрафиолете (К(о> >6 эВ) вся система — источник излучения, монохроматор, образец и детектор — должна находиться в вакууме, чтобы предотвратить поглощение ультрафиолетового излучения воздухом. [c.168]

В авиационной технике полупроводниковые материалы используют в приборах для генерации и усиления электрических сигналов и выпрямления переменного тока (диоды) и в качестве фотосопротивления и фотодиодов. Термоэлектрические свойства полупроводников позволяют применять их в качестве термосопротивлений, термоэлементов, термостабилизаторов и при создании солнечных батарей. Магнитные свойства полупроводниковых материалов (окислы металлов переходных групп, соединения металлов с серой, теллуром и селеном) позволяют применять их при изготовлении малогабаритных антенн, транс- [c.279]

Для фоторезисторов (фотосопротивлений) и фотоэле- ментов применяются полупроводниковые материалы, сопротивление которых сильно зависит от освещенности. К их числу относятся сульфиды, селениды и теллуриды, т. е. соединения серы, селена и теллура с разными металлами, в частности со свинцом, медью, кадмием и др. Определяющей характеристикой фотосопротивлёния является удельная чувствительность [c.286]

АГА-ПО Швеция АГА Термоэлектрически охлаждаемая линейка фотосопротивлений Pbs Одиночное ФС (ЖА) 0,2 10 100 20. .. 200 20X20 15Х ЮХ 10 1,2 То же Индикатор на линейке светодиодов, портативен [c.140]

Сульфиды — сернистый свинец (PbS), сернистый висмут (BijSg) н сернистый кадмий ( dS) — используют для изгото ления фоторезисторов (фотосопротивлений). [c.264]

Управление режимом нагрунгения (деформирования) производится с помощью схемы реверса привода испытательной установки. Команда поступает от концевых переключателей, устанавливаемых на двухкоординатном приборе, при достин ении регулируемым параметром требуемой величины. Это осуществляется следующим образом. На пути каретки двухкоординатного прибора устанавливаются передвижные бесконтактные концевые выключатели. В качестве последних могут быть использованы, например, фотосопротивления ФСК-2. Когда шторка, расположенная на каретке прибора, закрывает какое-либо из фотосопротивлений от источника света, поляризованное реле РП-4 переполюсовы-вается. Реле включено в цепь управления реверсионного пускателя ЭП-41, меняющего направление вращения нагружающего двигателя. [c.224]

Более универсальным задатчиком является серийно выпускаемый промышленностью прибор РУ-5-02. Задатчик снабжен следящей системой (на фотосопротивлении), считывающей с протягиваемой ленты начерченную программу. Сигнал задачи программы потенциометрического типа. Прибор может выдавать любую однозначную программу типа программ, приведенных на рис. 5.2.4. Скорость протяжки программы от 0,35 до 25 мм/мин, что соответствует частотам повторно-статического нагружения до величин порядка 5—10 циклов/мин. Программными задатчиками типа РУ-5-02 оснащены программные испытательные установки Института машиноведения, машина УМЭ-10ТП, а также установки фирмы Instron (модель 1115) и MTS (модель 810 с генератором произвольных функций — модель 411.01). [c.230]

Исследование влияния фоновых засветок на чувствительность приемников излучения проводилось по следующей схеме. На фотоприемник по двум световодам направлялись одновременно два потока излучения. Небольшой постоянный уровень полезного синусоидального сигнала обеспечивался модулированным потоком от электрической лампочки, питание которой стабилизировалось. Другой поток (фоновая засветка) исходил от модели черного тела и не модулировался. Уровень фоновой засветки регулировался изменением температуры модели черного тела и был значительно выше величины модулированного потока, обеспечивающего полезный сигнал. Величина фоновой засветки (излучения от модели черного тела) периодически измерялась этим же приемником, для чего включалась модуляция фонового излучения и перекрывался поток от лампочки. Испытывались приемники излучения типа ФСА-1, ФСА-Г1, ФД-ЗА, ФСА-8АН, фотосопротивление на основе PbSe и пироприемник. [c.148]

Электронная схема прибора показана на рис. 30. Каскады на лампах 6К4П, 6НЗП служат для усиления импульсов, поступающих от фотосопротивления, и придания им стандартной, формы, не зависящей от колебаний скорости протяжки ленты и фотографической плотности записи. Каскады на лампах 6Н15П являются пересчетным устройством с оэффициентом пересчета 4, необходимым для поучения достаточной раз-шающей способности при- [c.49]

Изготовление элементов полупроводниковых приборов (термисторов). источников инфракрасного излучения (отопительные устройства), стеклянных кипятильников, электрообогревае-мого стекла для остекления транспорта и сооружений, светофильтров, фотосопротивлений и пр. [c.443]

Фотоэлектрические преобразователи разработаны на базе механизма пружинно-ипгической головки, в которую встроен блок соответствующих фотосопротивлений. Работа преобразователя осуществляется следующим образом. При перемещении измерительного стержня 1 (рис. 45) поворачивается угловая подвеска 2, растягивая пружину 4, на которой укреплено зеркальце. Это приводит к повороту зеркала на угол, пропорциональный перемещению измерительного стержня. На зеркало проектируется луч света от освети- [c.98]

Электропроводящее стекло (полупроводниковое) — стекло, обладающее свойствами полупроводников благодаря включению в состав элементов или окислов, придающих стеклу электропроводность. Различают халь-когенидные стекла, в состав которых входят в различных сочетаниях сплавы сульфидов, селенядов и теллуридов, а также мышьяка, висмута и других элементов и оксидные ванадиевые стекла на основе окислов ванадия и фосфора с добавками других окислов. Они находят широкое применение в качестве термисторов, светофильтров и фотосопротивлений. [c.274]

Первое высокочувствительное фотосопротивление было создано Гасе в 1917 г. после установления того факта, что сернистый таллий обладает фотопроводимостью. В течение последующих пятнадцати лет многочисленные лаборатории всего мира занимались исследованием фотопроводимости и связанными с ней явлениями. В годы первой мировой войны Кейз изобрел чувствительное фотосопротивление — таллофид.. Наряду с высокой чувствительностью (до 10" Вт) элементы Кейза обладали малой инерционностью по сравнению с термоэлементами и болометрами. [c.382]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...