Индий Кристаллическая структура

Индий — Кристаллическая структура 3 — 308 [c.88]

III группы — алюминия, галлия, индия с элементами V группы — фосфором, мышьяком и сурьмой. Все эти соединения обладают кристаллической структурой цинковой обманки ZnS, подобной структуре алмаза. Несмотря на сходство с германием в области кристаллического строения, имеется существенное отличие в химической связи. Для образования четырех парных связей атома индия с другими атомами не- [c.193]

Кристаллическая структура. Кристаллическую структуру сплавов индия с кадмием изучали в работах [3—5, 8—10, 27]. Данные [9] по изменению [c.322]

ИНДИЙ-КОБАЛЬТ (1п-Со) 1. Диаграмма состояния и кристаллическая структура [c.335]

Кристаллическая структура. Фаза а системы In — Mg имеет гексагональную структуру Mg Постоянные кристаллической решетки этой фазы при )азличном содержании индия определяли в работах [3, П—16]. По данным И] повышение содержания индия от О до 11,65 ат.% вызывает изменение постоянных решетки а-фазы а — от 3,2023 до 3,1879 kX, с — от 5,1994 до 5,2042 kX, с/а —от 1,6236 до 1,6325. Близкие к этим данным результаты были получены и в работе [12]. [c.344]

Кристаллическая структура. Фазы системы б, у, и а являются твердыми растворами индия в соответствующих модификациях марганца. Постоянная кристаллической решетки -фазы при содержании 15 и 7,8 ат.% In (26,93 и 15,02% In) 0 = 6,57 и а = 6,45 А соответственно [1]. Постоянная решетки а-фазы в двухфазном сплаве с 11 ат.% In (20,52% ln), закаленном от 500°, а = 8,94 А и от 400° — а = 8,88 А. [c.350]

Кристаллическая структура. Постоянные кристаллической решетки а-фазы при различном содержании индия определяли в работах [1, 4, 5, 10, [c.356]

Кристаллическая структура. Твердый раствор на основе никеля имеет ГЦК структуру типа Си. Величины постоянной кристаллической решетки этой фазы при комнатной температуре при различно.м содержании индия приведены в табл. 174. [c.379]

Кристаллическая структура. Твердый раствор индия в палладии (Р(1) имеет кубическую структуру типа Си [1, 5, 6] с постоянными решетки [6] [c.402]

Кристаллическая структура. Кристаллическую структуру сплавов изучали в работах [4—6, 8, 9, 11, 13—17, 20, 22—24]. Фаза (1п) является твердым раствором на основе индия и имеет ГЦ тетрагональную решетку, постоянные [c.430]

Кристаллическая структура ). С повышением содержания индия постоянная кубической решетки а-фазы увеличивается [1, 4, 11, 17, 23]. Данные [11] приведены ниже [c.462]

Кристаллическая структура. Присадка сурьмы к индию, так же как и присадка индия к сурьме, не изменяет постоянных кристаллической решетки исходного компонента [4, 6, 7]. [c.476]

Кристаллическая структура. Согласно [3] постоянные ГЦТ решетки индия и твердого раствора хрома в индии, насыщенного хромом, составляют а — = 4,59 А, с/а = 1,076 и а = 4,16 А, с/а = 1,068 соответственно. [c.535]

О кристаллических решетках металлов в общем случае говорилось выше, а для большинства химических элементов они условно показаны в табл. 3. Однако различие кристаллических структур также не дает оснований для интересующего нас подразделения элементов. Привычно считаемые металлами ртуть 1 висмут кристаллизуются в несвойственной большинству других металлов ромбической системе, а индий и олово — в тетрагональной. [c.15]

Индий представляет собой серебристо-белый металл с ярким металлическим блеском. Он мягче свинца (царапается ногтем), отличается хорошей ковкостью и пластичностью и имеет кристаллическую структуру. Сгибание чистого металла сопровождается характерным хрустом, как и в случае аю-ва. Индий менее летуч, чем цинк или кадмий, но при нагревании в токе водорода или в вакууме возгоняется. Расплавленный металл смачивает чистое стекло. Основные свойства и константы приведены в табл. 3. [c.225]

Из полупроводниковых материалов наиболее полно изучены и широко применяют германий и кремний. В твердом кристаллическом состоянии они имеют структуру типа алмаза. Эти материалы обладают многими ценными свойствами. Для нужд полупроводниковой техники мировая потребность в них составляет сотни тонн в год. Наряду с германием и кремнием в последнее время все большее применение получают искусственно созданные полупроводники следующих композиций мышьяк — галлий (арсенид галия), индий — сурьма, кадмий — висмут и др. [c.176]

Метастабильный твердый раствор кадмия в индии, образующийся при быстром охлаждении сплавов из жидкого состояния до —190°, имеет ГЦК структуру с постоянной а кристаллической решетки, равной 4,440 4,502 4,562 4,615 и 4,645 А при содержании 80, 65, 45, 26 и 5 ат.% d соответственно [8]. [c.323]

В течение ряда лет кафедра выполняет исследования магнитных материалов, главным образом ферритов. Исследование условий получения магнитных и электрических свойств никелевых, магниевых, магний-марганцевых, литиевых ферритов с присадками окислов редкоземельных элементов, скандия, иттрия, бора, индия, алюминия, висмута, а также анализ их электронно-кристаллической структуры показал, что влияние легирующих ионов заключается в изменении геометрии кристалла в связи с изменением электронно-кристаллической магнитной структуры ферритов (В. А. Горбатюк, канд. физ.-мат. наук Т. Я. Гридасова, П. Лукач, М. Димитрова). Введение 1% окиси скандия или индия в промышленный марганец-цинковый феррит марки 2000 НМ-1 вызывает повышение начальной магнитной проницаемости на 20—30% с одновременным понил ением диэлектрических и магнитных потерь присадки окиси висмута стабилизируют магнитные электрические свойства бариевых изотропных ферритов, а введение в те же ферриты окислов РЗЭ способствует повышению их магнитной инерции на 30—40%. [c.80]

Сульфид индия 1пг8з можно получить при нагревании металла с серой или при пропускании сероводорода в слабокислый раствор соли индия. Его цвет изменяется от желтого через красный до коричневого. Цвет и кристаллическая структура этого вещества, по-видимому, связаны со скоростью образования, которая в свою очередь зависит от раствора, из которого сульфид индия осаждается сероводородом. Из раствора хлорида индия(П1) выпадает желтый осадок, который состоит из мелких частиц или имеет неупорядоченную структуру. По-видимому, это объясняется быстрым ростом кристаллов. Из раствора сульфата индия(П1) образуется соль красного цвета, обладающая определенной структурой, которая обнаруживается при рентгеноструктурном анализе. По-видимому, в этом случае рост кристаллов происходит с меньшей скоростью. Это может быть связано с электрохимическими свойствами индия, описанными в следующем разделе. [c.229]

Кристаллическая структура. Присадка кобальта не изменяет постоянной кристаллической решетки индия [3. Химическое соединение Со1п2 имеет моноклинную структуру с постоянными решетки а = 5,393, Ь = 17,845, с = = 9,218 А, р = 88,73°, а Со1пз — тетрагональную структуру с постоянными решетки а = 6,820, с = 3,530 А [1]. [c.336]

Диаграмма состояния системы 1п — и по данным [3] приведена на рис. 215. С этой диаграммой трудно совместить данные [5] о наличии в системе твердого раствора лития в индии, так как не установлены условия его образования и изменение состава с температурой. Кристаллическая структура. Изменение в зависимости от состава постоянных тетрагональной кристаллической решетки твердого раствора лития в индии показано на рис. 216 [5]. Химическое соединение 1пЫ имеет кубическую структуру типа ЫаТ1 [6, 7, 3] с постоянной для сплава стехиометрического состава, отожженного при 200° в течение 4 часов, а = 6,786 кХ [6] и для сплава того же состава (обработка не указана) а — 6,79 А [3]. [c.340]

Кристаллическая структура. Твердый раствор ртути в индии (In) имеет тетрагональную структуру, постоянные решетки которой при 20° с повышением содержания ртути изменяются, как показано в табл. 194 [24]. В той же таблице приведены также данные о величине постоянной ГЦК решетки твердого раствора на основе соединения InuHg при содержании до 9,98 ат.% Hg. Сплавы были закалены от температуры 95° при содержании до 7 ат.% Hg и от 60° — при содержании более 7 ат.% Hg после выдержки при температуре закалки в течение двух недель. [c.417]

Повышение давления до 10-10 и 15-10 атм, не изменяя характера диаграммы состояния системы In — Sb, снижает температуры плавления соединения InSb до 435 и 380°, а богатой сурьмой эвтектики — до 420 и 370° соответственно. Температура плавления богатой индием эвтектики повышается при этом соответственно до 164 и 170 . Состав обеих эвтектик системы сдвигается при давлениях 10-10 и 15-10 атм в сторону соединения InSb, кристаллическая структура которого при этих давлениях не изме- [c.473]

Если в германий или кремний ь лачестзе примеси вводить трехвалентный элемент, такой как индий, галлий или бор, то возникает другой механизм электропроводности. В этом случае (рис, 5-1-5,а) в кристаллической структуре возникает нехватка одного электрона для образования ковалентной связи между атомом пpи e и и атомом основного вещества, В качестве активного переносчика заряда при этом служит вакансия элйктрона — дырка [c.311]

Кристаллическая структура гидрида титана представляет собой гране-центрированную кубическую решетку с постоянной около 4,4 кХ или 4,409 А [4]. Основанные на этих данных расчеты показывают, что удельный объем гидрида титана при эвтектоидной температуре на 15,8—19% больше объема а-модификации титана и на 13,7—16,8% больше объема р-модификации титана (меньшие значения относятся к гидриду ИНд, а большие — к Т1Н). Имеющиеся опытные данные [16] о разнице в удельных объемах препарата состава Т1Н1,в4 и чистого титана (15,5%) хорошо согласуются с результатами расчетов. [c.15]

Бор является полупроводником. Кристаллическая структура галлия (сложная ромбическая) дает в модели свободных электронов поверхность Ферми, простирающуюся до девято зоны. Индий имеет центрированную тетрагональную решетку, которую можно рассматривать как г. ц. к. решетку, слегка вытянутую вдоль одно 1 из осей куба по многим своим электронным свойствам он незначительно отличается от алюминия. Таллий — самы тяжелый г. п. у. металл, поэтому он обладает наиболее сильной спин-орбитальной связью. Его поверхность Ферми напоминает, видимо, поверхность свободных электронов, изображенную на фиг. 9.11, в которой сохранено расщепление на шестиугольных гранях (в отличие от самого легкого из г. п. у. металлов — бериллия). [c.300]

Оптические свойства. Исследование оптических свойств кристаллических полупроводников дает обширную информацию об их зонной структуре. Данные об энергетическом спектре аморфных полупроводников также могут быть получены из оптических измерений. Первостепенная роль отводится при этом измерениям спектров поглощения. Спектры поглощения аморфных полупроводников удобно сравнить со спектром тех же материалов в кристаллическом состоянии. Это можно сделать в случаях германия, кремния, соединений селена и теллура. На рис. 11.14 в качестве примера приведен край спектра оптического поглощения аморфного кремния, который сравнивается с соответствующим спектром кристаллического кремния. Аналогичные данные получены для аморфного германия, арсенида и антимонида индия и некоторых других полупроводников. [c.367]

Фотоэлектронные спектры валентных электронов родия, палладия, серебра и иридия, платины, золота (см. рис. 28) показывают постепенное расщепление формирующейся d-оболочки по мере заполнения 2е-состояния, На рис. 29 показано расщепление глубокой остовной й -оболочки элементов от палладия до ксенона на два пика меньшего для eg (й )-состояния и большего для t2g (d )- o-стояния. На это расщепление заметно не влияет внешнее кристаллическое поле, поскольку палладий, серебро и индий имеют ГЦК структуру К = 12), кадмий — плотную гексагональную К = 12),. олово — искаженную ОЦК (/С = 4 -(- 2), сурьма — простую гексагональную (/С = 3), теллур — ромбическую (К = 2), но совер шенно разное окружение атомов в их решетках не изменяет характер двугорбого d-пика. Глубокое расщепление 5d -oбoлoчки на (d )- [c.58]

Основой германиевого диода (рис. 82, в) служит пластинка из кристаллического германия 75 с примесью сурьмы или мышьяка, обладающего и-проводимостью. Пластинка 13 спаяна с каплей нндия 12. В результате диффузии атомы индия проникают в германиевую пластинку и образуют в ней слой с р-проводнмостью (дырочной). Выпрямитель помещается в герметизированный корпус 9 с выводами-электродами 11 и 14. Неуправляемый кремниевый выпрямитель (диод) состоит из слоя кристаллического кремния с примесью фосфора или сурьмы (п-проводимость), сплавленного с пластиной алюминия. В результате диффузии алюминия в кремнии образуется слой с р-проводимостью. Управляемый кремниевый выпрямитель (тиристор) имеет четырехслойную монокристаллическую структуру типа п—р—п—р и отдельный управляющий электрод (рис. 82, г, д). [c.357]

Фаза по мнению авторов [1, 3, 16] является твердым раствором на основе химического соединения Au4ln (12,71% In) и имеет гексагональную плотноупакованную структуру типа Mg. По данным [1, 3] величина постоянной а кристаллической решетки этой фазы с повышением содержания индия уменьшается, а величина с и отношение с/а возрастают. Однако, как показали последующие исследования [7, 17], повышение содержания индия в области -фазы вызывает не уменьшение, а непрерывное увеличение постоянной а величина постоянной с возрастает с увеличением содержания индия до 19 ат.%, а затем уменьшается, а отношение с/а непрерывно уменьшается. Аналогичный характер изменения постоянных кристаллической решетки -фазьг с составом был установлен в работе [17] и в случае определения этих характеристик сплавов при температурах жидкого азота ( 77°К) и жидкого гелия ( 4°К). Содержание индия в исследованных сплавах изменялось от 15,7 до 21,0 ат.%. [c.8]

Согласно [13—16] синтез кристаллической InzOj стехиометрического состава проще всего осуществлять в гидротермальных условиях, т. е. при повышенных (выше 350°) температурах и давлениях. Пленки 1П2О3, полученные термическим разложением ацетилацетоиата индия в вакууме, представляют собой смесь аморфной и кристаллической фаз. Прокаливанием в вакууме 6-10 мм рт. ст. при 200° в течение 2,5 часов эта пленка может быть получена полностью в кристаллической форме. Перестройка аморфной структуры в кристаллическую идет с большим трудом [17]. [c.331]

Вследствие незначительной растворимости в твердом индии присадка мышьяка не вызывает изменения постоянных кристаллической решетки индия [1]. Соединение InAs может быть получено как кристаллическим, так и аморфным. Исследования аморфного InAs проводили в работе [27]. Кристаллический InAs имеет кубическую структуру типа сфалерита [1, 2, 5, 6, 10—12, 14, 16, 18, 19, 89, [c.367]

Фаза в (твердый раствор на основе N 2111) имеет гексагональную структуру (тип К121п). Постоянные кристаллической решетки этой фазы в зависимости от содержания индия по данным различных исследователей изменяются, как показано в табл. 175. [c.380]

По данным [II] деформирование сплавов вхолодную с значительными обжатиями расширяет область гомогенности (1п)-фазы и сужает область гомогенности агфазы. Фаза (РЬ) — твердый раствор на основе свинца — имеет ГЦК структуру. Постоянная кристаллической решетки этой фазы при повышении содержания индия от О до 50 ат.% по данным [4] и [20] уменьшается прямолинейно от 4,939 до 4,884 кХ. Согласно [13] такое линейное изменение постоянной кристаллической решетки (РЬ)-фазы от 4,943 до 4,883 А имеет место до 31,1 ат.% 1п. Данные [16] для постоянной решетки (РЬ)-фазы во всей области ее гомогенности приведены на рис. 287. [c.432]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...