Галлий - Кристаллическая структура

III группы — алюминия, галлия, индия с элементами V группы — фосфором, мышьяком и сурьмой. Все эти соединения обладают кристаллической структурой цинковой обманки ZnS, подобной структуре алмаза. Несмотря на сходство с германием в области кристаллического строения, имеется существенное отличие в химической связи. Для образования четырех парных связей атома индия с другими атомами не- [c.193]

Галлий — Кристаллическая структура 3 — 308 [c.45]

Структура осадков галлия несколько отличается от структуры электролитических осадков других металлов, например никеля (рис. 38). Из рисунка видно, что осадки галлия, в отличие от [никеля, не имеют четко выраженной кристаллической структуры. [c.57]

В работе [213] указывается на подобие механизмов скольжения в галлии и в орторомбических кристаллах -U, вызванное сходством кристаллических структур. Наличие ковалентных связей у галлия проявляется также в анизотропии механических свойств и в относительно высоком значении критического сдвигового напряжения. [c.79]

ЛИЯ кратчайшее межатомное расстояние (2,44 А) несомненно соответствует в значительной степени аномальной кристаллической структуре. В связи с этим для оценки возможности образования твердых растворов галлия в металлах с типично металлической кристаллической структурой значительно более подходяшей является величина атомного диаметра порядка [c.132]

Из полупроводниковых материалов наиболее полно изучены и широко применяют германий и кремний. В твердом кристаллическом состоянии они имеют структуру типа алмаза. Эти материалы обладают многими ценными свойствами. Для нужд полупроводниковой техники мировая потребность в них составляет сотни тонн в год. Наряду с германием и кремнием в последнее время все большее применение получают искусственно созданные полупроводники следующих композиций мышьяк — галлий (арсенид галия), индий — сурьма, кадмий — висмут и др. [c.176]

Рентгенографическим, нейтронографич в им и другими методами исследования установлено квазианизотропное строение жидкпх металлов. При переходе из твердого в жидкое состояние координационное число и тип кристаллической решетки в большинстве случаев сохраняются (например, у натрия, калия, свинца и ртути). Плавление некоторых металлов, в частности висмута и галлия, сопровождается образованием структуры с более плотной упаковкой атомов. Об этом можно судить пО изменению плотности у твердого висмута при 20° С р = = 9,80 тогда как у жидкого при 280°С р= 10,05 г/см -, [c.7]

Лапунова P.B. Фазовые равновесия и кристаллические структуры в тронных системах редкоземельных металл—железо—галлий Автореф. дис. канд. хим наук. Львов. 1989. 24 с. [c.626]

Для получения твердого раствора различных окислов в корунде необходимо химическое и кристаллическое соответствие вводимых окислов и корунда. При этом важно, чтобы вводимые окислы и корунд имели как одинаковую валентность катионов, так и кристаллическую структуру корундового типа. Таким условиям удовлетворяют полуторные окислы титана, хрома, железа, кобальта, галлия, родия, а также титанаты магния, железа, марганца, никеля и кадмия типа MgTiOз. [c.72]

Однородные структуры. Однородная кристаллическая структура, как известно, присуща монокристаллам и твердым растворам. Монокристаллические покрытия (пленки) образуются в процессе ориентированного роста монокристалла одного вещества на кристаллической грани другого (эпитаксиальное наращивание). В слое покрытия при благоприятных условиях полностью воспроизводится кристаллографическая ориентация поверхности покрываемого кристалла. Например, используя пересыщенный раствор германия в жидком свинце, на монокристалле германия получают монокристаллическую пленку германия на арсениде галлия (GaAs) формируется одноименная пленка из пересыщенного раствора GaAs в жидком олове. Более широко применяют способы эпитаксиального наращивания из паровой фазы в вакууме. [c.173]

Если в германий или кремний ь лачестзе примеси вводить трехвалентный элемент, такой как индий, галлий или бор, то возникает другой механизм электропроводности. В этом случае (рис, 5-1-5,а) в кристаллической структуре возникает нехватка одного электрона для образования ковалентной связи между атомом пpи e и и атомом основного вещества, В качестве активного переносчика заряда при этом служит вакансия элйктрона — дырка [c.311]

В этой и следующей главах мы рассмотрим распространение рэлеевских волн в двух конкретных кристаллических структурах (структуре типа вюрцита и структуре типа сфалерита), в которых возможно интенсивное взаимодействие ультразвуковых волн с электронами проводимости через пьезоэффект. Окончательные численные расчеты будут проведены нами для двух кристаллов — сульфида кадмия (группа AjBe) и арсенида галлия (группа AgBg, структура сфалерита). Естественно, что все полученные расчетные формулы справедливы и для остальных представителей этих структур. [c.203]

Бор является полупроводником. Кристаллическая структура галлия (сложная ромбическая) дает в модели свободных электронов поверхность Ферми, простирающуюся до девято зоны. Индий имеет центрированную тетрагональную решетку, которую можно рассматривать как г. ц. к. решетку, слегка вытянутую вдоль одно 1 из осей куба по многим своим электронным свойствам он незначительно отличается от алюминия. Таллий — самы тяжелый г. п. у. металл, поэтому он обладает наиболее сильной спин-орбитальной связью. Его поверхность Ферми напоминает, видимо, поверхность свободных электронов, изображенную на фиг. 9.11, в которой сохранено расщепление на шестиугольных гранях (в отличие от самого легкого из г. п. у. металлов — бериллия). [c.300]

Арсенид галлия (ОСТ 4.032.015—80) применяется для производства электронных приборов и эпитаксиальных структур. Арсенид галлия выпускается как в виде поликристаллических слитков (марка АГН-1), так и в виде моно-кристаллических слитков (остальные марки). Выращивают монокристаллы либо горизонтальной направленной кристаллизацией, либо вытягиванием по методу Чохральского из-под флюса. В качестве легирующих примесей используют теллур, олово, цинк и кремний. Монокристаллнческие слитки, легированные цинком, н.меют дырочный тип электрической проводимости, остальные — электронный. Слитки арсе-нида галлия различных марок различаются концентрацией основных носителей заряда (ОНЗ), допустимым отклонением концентрации ОНЗ (табл 83) от номинального значения (Ю--80 %), номинальными значениями диаметров слитков (20—50 мм), плотностью дислокаций (5-10 —8-10 м ). Ориентация продольной оси монокрнсталлИ" ческих слитков [111], [100], И01 Отклонение плоскости торцового среза [c.576]

Бюккель сообщил [438], что очень тонкие пленки галлия и висмута с сильно разупорядоченной структурой имеют коэффициент Холла, соответствующий свободным электронам нагревание, которое изменяет структуру пленок до структуры нормального твердого состояния, изменяет также и R яо значения, нормального для кристаллического твердого тела. Кажется, что поведение жидких металлов, соответствующее случаю свободных электронов, характерно для неупорядоченного коллектива одноименных атомов и может быть нечувствительным к некоторой степени ближнего порядка и к наличию связей, содержащих связанные электроны. [c.140]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...