Химическое осаждение из газовой фазы

МЕТОДЫ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ [c.107]

Известно, что алмаз — это полупроводник с шириной запрещенной зоны 5,5 эВ, поэтому получить автоэмиссионный ток с чистого алмаза практически невозможно. Автоэмиссионные свойства наблюдаются из углеродных алмазоподобных поликристаллических пленок, полученных, например, методом химического осаждения из газовой фазы. [c.197]

Технология пленок и покрытий Химическое осаждение из газовой фазы. Физическое осаждение из газовой фазы. Электроосаждение. Золь-гель-технология Металлы, сплавы, соединения [c.17]

Предшественниками вакуумных ионно-плазменных методов нанесения покрытий и модифицирования поверхностных слоев являются методы химического осаждения из газовой фазы [4, 42, 54, 105] и термовакуумные методы [61]. [c.152]

При большой толщине покрытия из карбида титана в процессе охлаждения после химического осаждения из газовой фазы образуются трещины, обусловленные образованием значительных термических напряжений растяжения в покрытии в процессе охлаждения. [c.145]

Из карбида кремния на вольфрамовой подложке (метод химического осаждения из газовой фазы) [c.250]

Бор 100—150 Химическое осаждение из газовой фазы 34 350 2,6 40 [c.38]

Химическое осаждение из газовой фазы [c.357]

К покрытиям этого типа можно отнести покрытия, составные части которых образуются в результате гетерогенных химических реакций в газовой среде, окружающей обрабатываемое изделие, и осаждаются на его поверхности, формируя сплощной слой осаждаемого материала. Принимая терминологию, предложенную в монографии [11 ], целесообразно рассмотреть только покрытия, образующиеся при химическом осаждении из газовой фазы (под физическим осаждением при этом понимают процесс вакуумного испарения и конденсации). Методом газофазного осаждения могут быть получены почти все металлы, кислородсодержащие и бескислородные тугоплавкие соединения, интерметаллиды, различные сплавы и керметы. Исходными продуктами служат газообразные галогениды, карбонилы или металлорганические соединения, при разложении или взаимодействии которых с другими газообразными составляющими смесей (водородом, аммиаком, углеводородами, окисью углерода и др.) могут образовываться и осаждаться на обрабатываемой поверхности нужные материалы. В данной главе будут кратко изложены некоторые принципиальные положения технологии газофазного осаждения, приведены отдельные типы покрытий и примеры их практического использования. [c.357]

Возможно соединение вольфрама химическим осаждением из газовой фазы [17,83] по реакции [c.380]

В методах химического осаждения из газовой фазы благородный газ-носитель может присутствовать, а может и отсутствовать. В случае присутствия газа-носителя он в реакцию с компонентами кристаллизующегося вещества не вступает, а играет роль механизма управления процессом доставка продукта (создание направленного потока к месту кристаллизации) и регулирование концентрации веществ в потоке (управление скоростью роста). В этих методах обычно протекают необратимые химические реакции разложение какого-либо соединения при активации образующихся ионов или радикалов, что позволяет значительно ускорять процесс роста в потоках малой плотности и управлять структурой получаемого слоя реакции гидролиза, окисления, восстановления. [c.315]

Одним из наиболее эффективных для получения пленок ZnO является метод химического осаждения из газовой фазы (ХОГ). Схематическое изображение реактора для получения пленок ZnO показано на рис. 10.5. Осаждение пленок ZnO происходит в результате последовательного протекания реакций [c.171]

Рис. 4.5. Схема получения заготовки с использованием процесса внутреннего химического осаждения из газовой фазы.

Следует отметить, что с использованием метода химического осаждения из газовой фазы на такой гетероструктуре были изготовлены лазеры [53—55]. В этих приборах была достигнута малая плотность порогового тока при комнатной температуре, [c.37]

Существует огромное многообразие способов получения алмазоподобных пленок, это может быть и один из методов, рассмотренных в разделе 1.4.1. Наиболее распространенным методом получения алмазоподобных пленок является химическое осаждение из газовой фазы ( VD) [74]. При использовании метода VD в получаемой пленке наблюдается наиболее низкое содержание графитовой фазы. Углеродная пленка на поверхности подложки образуется при падении ионов углерода из газообразного углеводорода (обычно метана). При достаточно высокой температуре подложки ( > 1000 °С) возможен эпитаксиальный рост пленки. В случае высокой концентрации атомов углерода наблюдается предпочтительный рост аморфной углеродной пленки. Чтобы этого не произошло, в процессе роста пленок применяется стравливание неалмазных фаз углерода атомарным водородом. Для этих целей в рабочий газ добавляется до 99 % водорода. При этом считается, что химически чистый атомарный водород, присутствующий в плазме, вытравливает и переводит в газовую фазу неалмазные структуры в растущей пленке [74]. [c.45]

Борные волокна получают методом химического осаждения из газовой фазы по реакции ВС1з +Н2 Bi + НС1 Осаждение ведется на тонкую (диаметром несколько микрон) вольфрамовую проволоку. Технология получения борного волокна очень сложная, поэтому они имеют высокую стоимость. [c.133]

Покрытия, получаемые методами химического осаждения из газовой фазы. Методы химического осаждения из газовой фазы (или газофЕзные методы) основаны на осаждении покрытий на нагретую подложку в результате разложения относительно нестойких газообразных веш,еств или взаимодействия двух пли более газообразных веш,ест (или переведенных в паровую фазу твердых веш,еств) с образованием на поверхности слоя химического соединения [4, 42, 54, 105]. [c.152]

Для увеличения износостойкости режущего инструмента из безволь-фрамовых сплавов на основе карбида титана практикуется нанесение на них покрытий из твердых материапов. Наиболее часто для нанесения покрытий из карбида титана используется метод химического осаждения из газовой фазы ( VD). Казалось бы,хорошие перспективы открываются перед режущим инструментом из твердых сплавов на основе карбида титана с покрытиями из нитрида титана, нанесенным методом VD, однако вследствие интенсивного взаимодействия нит )ида титана с никельмолибденовой связкой износостойкость безвольфрамовых твердых сплавов КТС-2М с покрытием из TiN не повышается [137]. [c.94]

Метод VD пока не нашел широкого применения для получения покрьпий на сталях, но интенсивные исследования по созданию износостойких покрыгий на сталях методом химического осаждения из газовой фазы проводятся во многих странах. [c.150]

В работе [58] исследовали влияние барьерных покрытий, получаемых методом химического осаждения из газовой фазы на углеродные волокна Моргаиайт II. Эти покрытия существенно улучшали смачивание волокон жидким алюминием. Максимальное значение предела прочности при растян<ении полученных образцов композиционного материала 504 МН/м (51,4 кгс/мм ), т. е. около 70% от величины, вычисленной по правилу смеси. [c.365]

Для получения сверхпроводящих лент из соединений интерметаллидов кроме того применяют метод химического осаждения из газовой фазы. Его использование позволяет синтезировать соединение NbaGe, имеющее наиболее высокую критическую температуру перехода в сверхпроводящее состояние. [c.829]

Рис. 1.2. Схематическая диаграмма модифицированного метода химического осаждения из газовой фазы (M VD), широко применяемого для изготовления волоконных световодов [54].

Состав недиффузионных покрытий необходимо выбирать таким образом, чтобы обеспечить совместимость материала покрытия и основы при температурах эксплуатации, а также высокую адгезию покрытия с основой. Эти покрытия наносят методами химического осаждения из газовой фазы, а также различными методами напыления (пламенного, плазменного, детонационного). В последние годы развиваются методы электронно-лучевого напыления покрытий в вакууме, а также напыление различных элементов и соединений с использованием электрических и магнитных полей (ионно-плазменное, в том числе магнетрон ное, катодное напыление, нанесение покрытий в тдёю-щем и высокочастотном разряде и т. д.). При достаточно высокой температуре процесса часть напыленного покрытия может превратиться в диффузионное. [c.432]

Сверхпроводящие покрытия наносят обычно, методами конденсации и химического осаждения из газовой фазы. Например, покрытие КЬзЗп используют при изготовлении сверхпроводящей ни-кель-молибденовой проволоки и ленты для электромагнитов. [c.106]

Из газовой фазы аморфные структуры получают термическим испарением и конденсацией в высоком вакууме, катодным распылением и осаждением аморфных слоев в тлеюшем разряде. Химическим осаждением из газовой фазы получают аморфные слои 8102 гидролизом 81СЦ или пиролизом смесей 81С14 + О2. Пленки кварцевого стекла или слои 8Ю также можно получить непосредственным окислением поверхности монокристалла кремния. Кристмлические тела переходят в аморфное состояние под действием ударной волны или интенсивного нейтронного или ионного облучения. Возможно получение аморфных веществ в результате химического разложения в твердой фазе. Механическое воздействие также приводит к образованию аморфных слоев. [c.382]

Формирование исходных штабиковых заготовок способом внешнего химического осаждения из газовой фазы (способ ЭкзоХОГ) 68 [c.16]

Температуру и давление паров обычно выбирают такими, чтобы эти реакции протекали в трубе до некоторой степени в газовой фазе. Этот способ называют иногда модифицированным способом химического осаждения из азовой фазы (МСУ0 ). В раннем способе химического осаждения из газовой фазы (СУО ). использовались более низкие температуры и давления, вследствие чего реакции происходили [c.98]

Модифицированный метод химического осаждения из газовой фазы (M VD) позволяет получать оптические волокна с самыми низкими потерями и самым тщательным контролем профиля показателя преломления. Так, изготовленные этим методом градиентные волокна имеют минимальные потери 0,34 дБ/км на длине волны 1,55 мкм при полосе пропускания более 1 ГГц-км, а минимальные потери одномодовых волокон составляют 0,2 дБ/км на длине волны 1,55 мкм. [c.118]

Изготовление различных гетеролазеров требует развития процессов гетероэпитаксиального выращивания большого числа очень тонких слоев твердых растворов, о которых шла речь в предыдущей главе. Методы, используемые для эпитаксиального выращивания полупроводниковых слоев гетероструктур, тесно связаны с химией процесса роста. Для получения требуемых значений электропроводности, достигаемых контролируемым введением примесей, требуется рассмотрение химических равновесий между паром или жидкостью и твердой фазой. Существуют три представляющих для нас интерес метода эпитаксиального выращивания. Выращивание слоев на монокристал-лической подложке из растворов-расплавов металлов в графитовой лодочке, называемое жидкофазной эпитаксией (ЖФЭ), является самым обычным методом получения гетеролазеров. В последнее время развивается техника, в которой пучок атомов и молекул из нагревателей эффузионного типа, расположенных в сверхвысоковакуумной системе, падает на нагретую подложку. Этот метод называется эпитаксией из молекулярных пучков (ЭМП). Химическое осаждение из газовой фазы (ХОГФ) представляет собой эпитаксию, при которой реагенты переносятся в потоке протекающего газа к подложке, на которой происходит осаждение вещества, образуемого по химической реакции. В настоящей главе обсуждаются фазовые равновесия, введение примесей и ростовые методы ЖФЭ, ЭМП и ХОГФ, применяемые для получения гетеролазеров. [c.86]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...