Обедненный слой

Таким образом, область раздела полупроводников п- и р-типа окажется обедненной свободными носителями заряда. Эту область называют истощенным или обедненным слоем. Она, собственно, и составляет толщину р-п-перехода. [c.68]

ЭТОМ основные носители заряда в р- и п-полупроводниках, имеющие наибольшую энергию, получают возможность проникать через обедненный слой в области, где они оказываются неосновными носителями заряда и рекомбинируют. Такое направленное движение носителей заряда является электрическим током, и можно сказать, что электронно-дырочный переход при такой полярности внешнего напряжения будет открыт и через него потечет прямой ток. [c.282]

Однако сопротивление канала определяется только напряжением на затворе лишь при небольших напряжениях на стоке. С увеличением Уст обедненный слой у стокового р — и-перехода расши- [c.253]

Рис. 10.2. Образование обедненного слоя у контакта металл—диэлектрик а, б — энергетические схемы соответственно металла и диэлектрика а — слой обеднения

Толщина обедненного слоя L, возникающего у контакта металл — диэлектрик (рис. 10.2, в), может быть подсчитана по формуле [c.273]

Установлено, что некоторые легирующие элементы (Ti, А1, Сг) при нагревании в воздушной среде окисляются в поверхностных слоях металла и ухудшают эксплуатационные качества деталей. Наиболее сильное обеднение (глубиной до 0,5—3 мм) возникает при термической обработке термоустойчивых сплавов, которая в ряде случаев очень продолжительна и проводится при довольно высоких температурах (1150—1220°С). Обедненный слой удаляют на соответствующую глубину (0,03—3 мм), определяемую экспериментально в каждом конкретном случае, путем механической обработки или с помощью электрохимического травления или полировки. Для того чтобы не происходило обеднения, применяют термическую обработку в вакууме или в чистом аргоне. [c.83]

Обедненный слой (0,5—3,0 мм], возникающий на поверхности в результате термической обработки детали при высоких температурах, имеет меньшие жаропрочность, выносливость и термостойкость и подлежит удалению. [c.220]

На поверхности кристаллов карбида кремния имеются тонкие слои, величина удельной проводимости которых может быть намного меньше удельной объемной проводимости кристалла (обедненные слои). В некоторых случаях поверхностный слой имеет другой тип электропроводности (инверсные слои). [c.52]

Ср —С — разность концентраций удаляемой соли в растворе и обедненном слое у поверхности мембраны [c.177]

Иногда образцы нагревают не в стальном стакане с крышкой, а в поддоне, на дно которого насыпают древесный уголь. В этом случае на цилиндрической поверхности образцов образуется слой окалины и, кроме того, происходит обезуглероживание поверхностных слоев металла образца. Наличие обезуглероженного. (или обедненного) слоя искажает результаты определения твердости стали. Поэтому такой слой необходимо полностью удалять шлифованием. [c.165]

Образование окалины с надежными защитными свойствами требует времени. При этом нижележащий сплав может быть обеднен обеспечивающим защитные свойства растворенным элементом, если последний окисляется быстрее, чем подводится путем диффузии из объема сплава. Растрескивание окалины в течение такого периода обеднения вызовет повышенную скорость окисления нижележащего обедненного слоя сплава. Вследствие одновременного протекания ряда процессов с разными скоростями результирующее поведение при окислении может быть очень сложным. [c.47]

Если к р-п-структуре приложить внешнее напряжение плюсом на п-область и минусом на р-область, то высота потенциального барьера увеличится (рис. 10.6, д) и ток через р-л-переход, если не учитывать генерацию свободных носителей заряда в нем, будет определяться током неосновных носителей, величина которого не зависит от высоты потенциального барьера. Обозначим его через / . Ток, протекающий через р-и-переход при указанной полярности внешнего напряжения, называют обратным током. При смене полярности внешнего напряжения высота потенциального барьера для основных носителей заряда уменьшится (рис. 10.6, г). При внешнем напряжении, равном 11, с учетом того, что практически все напряжение падает на обедненном слое, количество основных носителей заряда, которые могут преодолеть потенциальный барьер, увеличится в ехр (еи/кТ) раз. Ток неосновных носителей заряда останется тем же. Полный ток, протекающий через р-п-переход, в этом случае будет [c.77]

Так как глубина обедненного слоя не превышает 0,5 мм, то при выполнении последующей сварки этот слой будет расплавлен и практически не повлияет на механические и коррозионные свойства сварного соединения. [c.326]

В тех случаях, когда вырезанное изделие не подвергается последующей сварке, удаление обедненного слоя металла кромки после кислородно-флюсовой резки рекомендуется выполнять путем легкой шлифовки поверхности реза абразивами (наждачным кругами). При этом слой металла, подлежащий удалению, составляет примерно 0,25 мм для толщин до 25 мм и 0,5 мм для толщин от 30 до 100 мм. [c.326]

Принцип работы ПЗС-матрицы демонстрирует рис. 4.6.1. Если на электрод подается отрицательное напряжение, то на поверхности полупроводника формируется обедненный слой, в котором нет свободных зарядов, способных перемещаться. Фактически обедненный слой представляет собой потенциальную яму, в которой могут накапливаться неосновные носители заряда из числа носителей, возникающих под действием света. [c.208]

В основном окись магния, которая выпадает в виде белого мелкодисперсного порошка. Как показали металлографические (рис. 3) и спектральные исследования в слоях, прилегающих к коррозионным язвам, сплав обедняется бериллием. При достаточно продолжительном испытании в обедненном слое бериллий может выгорать до весьма низких концентраций, например до 0,001—0,003%. Заметим, что при рассматриваемых температурах предел растворимости Ве в Мр составляет 0,02— [c.37]

Спейсистор — транзистор, в котором носители заряда инжектируются из эмиттера в обедненный слой обратно-смещенного перехода управление током осуществляется электродом, введенным в пределы обедненного слоя так как в приборе не используется диффузия неосновных носителей, то его можно теоретически применять на частотах до 1 ГГц, однако практического применения спейсисторы не получили из-за несовершенства конструкций [9]. [c.153]

Существенные изменения происходят в поверхностном слое лопатки II ступени после испытания в течение 900 часов. Со стороны корыта в горячей зоне обедненный слой достигает 40— 50 мк (рис. 4), а со стороны спинки 15—20 мк. Распределение элементов в поверхностном слое лопатки показывает, что белая зона обеднена легирующими элементами (хромом до 3%, молибденом до 2.5%). На неалитированных лопатках II ступени с уве- [c.168]

Применяемые ранее способы преобразования высокочастотных сигналов в ультразвук на частотах 10 —10 гц были малоэффективны и осуществлялись либо использованием различных методов поверхностного возбуждения [72], либо использованием высших гармоник пьезокварцевых преобразователей, так как создание кварцевых преобразователей, работающих на основной резонансной частоте свыше 200 мггц, представляет значительные технологические трудности, связанные с изготовлением чрезвычайно тонких пластинок. Основная частота пьезополупроводниковых преобразователей определяется не полуволновой толщиной пластинки, как у обычных пьезоэлектриков, а величиной диффузионного (обедненного) слоя, создаваемого диффузией металла, компенсирующего проводимость исходного полупроводника [73]. Этот слой можно выполнять чрезвычайно тонким, не изменяя механической прочности пластинок. [c.326]

Обычно для изготовления высокочастотных пьезополупроводниковых преобразователей используются низкоомные кристаллы Сб8 с удельной электропроводностью д = 0,5 ч- 5,0 ом см для целей усиления ультразвуковых волн — высокоомные с = = 10 10 ом1см. Построение функциональных устройств с одновременным использованием в одном монокристалле и преобразования ультразвуковых волн и их усиления затруднено в связи с технологической трудностью изготовления монокристаллов с проводимостью, резко изменяющейся по длине кристалла. В связи с этим представляло интерес исследовать возможность создания пьезополупроводниковых высокочастотных преобразователей ультразвуковых волн на обедненном слое в СбЗ из материала с раз- [c.326]

Из полученных монокристаллических пластинок были изготовлены преобразователи на обедненном слое для продольных и поперечных колебаний из материала с темновым удельным сопротивлением 10 —10 ом-см. Изготовление преобразователей на обедненном слое проводилось по обычной технологической схеме. Диапазон рабочих частот полученных преобразователей 5—ХЪОмгц. Исследовались амплитудно-частотные характеристики преобразователей. [c.328]

ОБЕДНЕННЫЙ СЛОЙ — то же, что запорный слой. ОБЕРТОН (от нем. Oberton — высокий тон, высокий звук) — синусоидальная составляющая периодич. колебания сложной формы с частотой, более высокой, чем основной тон. Любое периодич. колебание можно представить как сумму осп. тона и О., причём частоты и амплитуды этих О. определяются как физ. свойствами ко-лебат. системы, таки способом её возбуждения. Если частоты всех О.— целые кратные осн. частоте, то такие О. ваз. гармоническими или гармониками. Если же частоты зависят от осн. частоты более сложным образом, то говорят о негармонич. О. В этом случае представление периодич. колебания в виде суммы гармоник будет приближённым, но тем более точным, чем большее число гармоник взято. Если частота осн. тона / (первая гармоника), то частота второй гармоники равна 2/ или близка к этому значению, частота третьей 3/ и т. д. Состав и кол-во О. сложного звука определяет его [c.371]

Таблица 11. Обеднение слоя подокалины в процессе циклического окисления при 1200°С (продолжительность, цикла 24 ч)

Следует обратить внимание на особенности окисления кремния при наличии в сплаве алюминия. Во-первых, обеднение слоя подокалины кремнием оказывается меньшим, чем в сплавах, легированных одним кремнием (рис. 55). Кроме этого, важно отметить, что, изменяя соотношение Si/Al, а также вариант микролегирования, можно изменять расположение окислов кремния в подокапине. Окислы могут быть в виде равномерно разбросанных частиц (рис. 54, /) либо концентрироваться в виде прослоек у гранищ>1 окалины с металлом (рис. 56). [c.85]

Нри высоких температурах многие технологические процессы в газовой фазе осложняются декарбюризацией или обезуглероживанием стали. Суть этого явления заключается в том, что при температурах выше 650 °С помимо образования поверхностной оксидной плен1си происходит обеднение слоя металла, прилегающего к пленке, углеродом. Содержание углерода в поверхностных слоях стали уменьшается. [c.163]

Учитывая же наличие концентрационной поляризации, в результате которой у поверхности мембраны с дилюатной стороны будет иметься -слой жидкости, обедненный слоями по сравнению со средней концентрацией их, в дилюате, а со стороны рассольной камеры у поверхности мембраны будет иметься слой более концентрированного рассола, чем средняя его концентрация в рассольной камере, можно считать, что действительная величина мембранного потенциала будет больше, чем вычисленная по формуле (11.30), в 1,5—2 раза. [c.169]

В работе [178") для этих целей использовалась несимметричная МДП-структура. На слой арсенида галлия толщиной 3 мкм, выращенный эпитаксией на полуметаллической подложке фосфида галлия, наносился диэлектрик (нитрид кремния) толщиной около 100 нм. Поверх структуры напылялись полупрозрачные золотые электроды. При приложении импульса электрического напряжения амплитудой 50 В большая часть его падала в слое арсенида галлия, создавая обедненный носителями заряда слой. Излучен 1ем гелий-иеонового лазера на Х=633 нм можно было управлять концентрацией генерируемых неосновных носителей в слое напряжения. При полной релаксации неравновесп0 0 обедненного слоя практически все приложенное напряжение падало на слое диэлектрика, так что уровень пропускания ПВМС в освещенных участках структуры характеризовался отсутствием в них электрического поля. [c.205]

Важную роль в процессах электроперепоса в диэлектриках играют контактные явления на границах диэлектрика с металлическими электродами. В случае ионной (точнее, катионной) электропроводности стационарный постоянный ток может быть обеспечен только в том случае, когда анод изготовлен из металла, ноны которого переносят в диэлектрике электрический заряд. Например, в технических устройствах, использующих ионную электропроводность в кристаллах Rb4AgIs, в которых ток осуществляется ионами Ag+, анод изготовляют из серебра (см. 4.4). Контакт диэлектрик — металл, обеспечивающий свободный обмен носителями заряда, называют нейтральным. В противном случае на постоянном напряжении носители заряда быстро истощаются п в приэлектродной области возникает обедненный слой с повышенным электрическим сопротивлением, а ионный ток через диэлектрик со временем уменьшается. В результате распределение электрического напряжения между металлическими электродами в диэлектрике становится неоднородным — вблизи контакта напряженность электрического толя повышается. Такой процесс азы-вается формовкой. [c.45]

На рис. 61 представлена структура поверхности образцов сплава ЖСб-КП после нагрева при 1200° С и выдержки 15 мин. Глубина обедненного слоя составляет 30—40 мкм. В случае применения стеклометаллического покрытия зоны, обедненной легирующими элементами, не наблюдается. На поверхности образуется надежный диффузионный слой, предохраняющий сплав от проникновения кислорода воздуха. [c.217]

На рис. 62 приведена структура сплава без покрытия после первого и четвертого переходов (соответственно а и б). С увеличением числа переходов глубина обедненного слоя значительно увеличивается. Если после первого перехода она небольщая, то после четвертого составляет 35—45 мкм. [c.218]

Мерой энергии регистрируемой ядерной частицы, если она останавливается в пределах обедненной области, служит собранный заряд. Время нарастания сигнала при рассасывании неравновесных носителей в обедненном слое, т. е. фронт импульса, много меньше, чем время срабатывания радиосхемы, к-рой он измеряется, и составляет 10 сек. Спад импульса определяется ЕС регистрирующей радиосхемы. Энергия, затрачиваемая на создание одной электроннодырочной пары в 81, равняется 3,5 ое. На создание элоктронно-иопной пары в аргоновой ионизационной камере требуется 28 эв. Это показывает, что П. д. можот применяться для спектроскопии ядерных частиц с лучшим разрешением (0,3 - 0,5%), чем газовые [c.119]

Обедненный слой возникает не только при эксплуатации изделий, но также при их термической обработке. В этом случае его необходимо удалять путем механической обработки, травления или электроли- [c.1417]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...