Освещение образца

При измерении поглощения и отражения образец лучше всего поместить за выходной щелью монохроматора, чтобы избежать возбуждения других процессов под действием излучения с длинами волн за пределами интересующей спектральной области. Например, при освещении образца с широким спектром фотоны, для которых К(й> АЕ, могут образовывать электронно-дырочные пары. Последние, рекомбинируя, будут испускать фотоны с меньшей энергией, что может привести к ошибкам в измерении поглощения. [c.167]

После окончания освещения образца электроны переходят на более низкие энергетические уровни — примесные или в валентную зону. При непрерывном освещении полупроводника устанавливается динамическое равновесие между образующимися дополнительными (неравновесными) носителями и уходящими на нижние уровни, т. е. устанавливается динамическое равновесие между процессами генерации носителей заряда и рекомбинацией их. [c.276]

В результате действия магн. поля на замкнутый циркулирующий ток в образце, когда направления Н и диффузионного потока избыточных носителей при освещении образца не перпендикулярны друг другу, в направлении проекции Н на плоскость образца ЬЬ, рис. 3) возникает [c.351]

Для контроля степени белизны изделий наиболее распространенным прибором является фотометр типа Оствальда. Этот аппарат построен на принципе сравнения света, отраженного одинаково освещенными образцами различной белизны. В качестве стандартного образца для сравнения служит пластинка, приготовленная из химически чистого сернокислого бария, белизна которой принимается за 100%. Испытуемые образцы (плитки) должны иметь те же размеры, что и стандартный образец. [c.156]

Здесь использовано предположение о существовании обратного преобразования Х(х"). При равномерном освещении образца = По полная [c.118]

Использование рассеивателя не только обеспечивает освещение образца под всеми углами, но также служит средством расщепления пучка, например с помощью полуматовых пластинок, упомянутых Ньютоном в Оптике" в связи с интерферометрией (см. также [61, 62]). [c.171]

При работе СФР в ведомом ре ж и м е инициирующего импульса от ведомой установки не подается, следовательно, не может быть осуществлено и освещение образца. [c.130]

Помимо ухудшающих качество электрической изоляции изменений, которые проявляются уже в случае кратковременного повышения температуры, при длительном воздействии повышенной температуры (но меньшей, чем действующая вредно в течение короткого времени) могут наблюдаться нежелательные изменения за счет медленно протекающих химических процессов это так называемое термическое (тепловое) старение изоляции. У трансформаторного масла старение проявляется в образовании продуктов окисления (см. разд. 4), у лаковых пленок — в повышении жесткости и хрупкости, образований трещин и отставании от подложки (разд. 6) и т, п. Помимо температуры, существенное влияние на скорость старения могут оказать повышение давления воздуха или концентрации кислорода, присутствие озона, являющегося еще более сильным окислителем, чем кислород, а также различных химических реагентов, ускоряющих или замедляющих старение. Старение ускоряется освещением образца ультрафиолетовыми лучами, воздействием электрического поля и т. п. [c.37]

В статье сообщаются технические характеристики модернизированной в 1967 г. установки ИМАШ-ЮМ. Приведены вновь созданные схемы измерения и непрерывной регистрации величины электросопротивления образца непосред-ственно во время усталостных испытаний, а также стробоскопического освещения образца при испытаниях с частотой 3000 циклов в минуту. [c.162]

Электронный микроскоп в общем аналогичен оптическому или световому микроскопу, но с той разницей, что для освещения образца вместо световых лучей с длиной волны около 500 нм применяют поток электронов с эффективной длиной волны порядка 0,005 нм. Это означает, что электронный микроскоп потенциально может обладать в 10 раз большей разрешающей способностью, чем оптический. В действительности из-за ограничений, обусловленных конструкцией электронных линз и методикой приготовления образцов, возможно разрешение лишь около 0,2 нм, а в повседневной работе — около 1 нм. Существенное повышение разрешающей способности позволило наблюдать и измерять особенности структуры на атомном уровне. Для полного использования разрешающей способности необходимо обеспечить большое увеличение. Лучшие микроскопы обладают огромным диапазоном увеличений от 200 до 500 ООО. Однако часто электронно-микроскопические исследования ограничены не возможностями микроскопа, а качеством приготовленного объекта исследования. Остановимся на этом вопросе несколько подробнее.. [c.61]

Для определения белизны эмали пользуются фотометром, принцип устройства которого основан на сравнении степени отражения одинаково освещенных образцов. Испытуемая эмаль сравнивается с пластинкой из наиболее белых химически чистых материалов — сернокислого бария или окиси магния. Степень белизны этих пластинок принимается за 96%. [c.319]

Фотометр (рис. 104) состоит из камеры 1, разделенной на две половины 2 и 5. В отделение 2 помещают эталонный образец (баритовую пластинку), а в отделение 3—испытуемый образец. Лампочки 4 и 5 освещают поверхности пластинок. Наверху камеры устроено приспособление из двух призм для сдвижения изображений освещенных образцов. Передвигая лампочки 4 и 5, выравнивают степень освещения обоих образцов. Измерив расстояние (г и >-2) между поверхностями пластинок и лампочками, меняют места пластинок и снова выравнивают степень освещенности пластинок путем регулирования ламп и измеряют расстояния (Дх [c.319]

Этот вопрос представляет интерес в связи с интерпретацией экспериментальных результатов Веста ). Рассматривая отрицательный фотоэлектрический эффект, он сначала предположил, что темповой ток создается миграцией ионов серебра вдоль поверхностей неотожженных кристаллов бромистого серебра и что при освещении образца электроны захватываются этими ионами серебра, образуя неподвижные атомы серебра и уменьшая тем самым ток в цепи кристалла. Такое объяснение следует критически сопоставить с другим, исходящим из существования вакантных бромных узлов. Оба объяснения согласуются с экспериментальными данными, однако второе предположение оправдано лишь при подвижности- вакантных бромных узлов в условиях опытов Веста Возможно, что экспериментальная методика этого автора представляет собой чувствительный способ для демонстрации присутствия и подвижности вакантных бромных узлов, однако она не может давать однозначные результаты, поскольку возможна другая интерпретация. [c.119]

В обычном просвечивающем электронном микроскопе, в котором используются электромагнитные линзы, электронная пушка дает пучок электронов с энергией приблизительно от 20 кэВ до нескольких мегаэлектронвольт. Наиболее часто используется напряжение в 100 кэВ. Обычно освещение образца регулируется с помощью двух конденсорных линз. Эффективный размер источника порядка нескольких микрометров. Расходимость пучка на образце можно уменьшить вплоть до 10 рад, однако для освещения большой интенсивности, которое необходимо для больших увеличений, расходимость может достигать 10" рад, особенно если образец вводится в поле объективной линзы так, что переднее поле объектива действует как короткофокусный конденсор. [c.287]

Помимо температуры, существенное влияние на скорость старения могут оказать повышение давления воздуха или концентрации кислорода, присутствие озона, являющегося более сильным окислителем, чем кислород, а также различных химических реагентов, ускоряющих или замедляющих старение. Тепловое старение ускоряется от освещения образца ультрафиолетовыми лучами, воздействия электрического поля, механических нагрузок и т. п. [c.121]

Тепловое старение ускоряется от освещения образца ультрафиолетовыми лучами, воздействия электрического поля, механических нагрузок и т. п. [c.109]

Оказалось, что пороги перехода носителей заряда из полупроводника в диэлектрик зависят от температуры. Проиллюстрируем это на примере отрицательного заряжения ДД — рис. 6.6,6 (кривые 1-3). С понижением Т пороги отрицательного заряжения растут. Аналогичное повышение порога можно было достичь, уменьшая время освещения образца. На основании детальных измерений оптического заряжения ЛД и кинетики заряжения было показано, что низкоэнергетические пороги соответствуют заряжению через хвосты состояний — пунктир на рис. 6.6,а. Характер температурной зависимости объясняется прыжковым механизмом переноса заряда (см. 2.7.3) [c.188]

Представляет интерес искусственное вращение плоскости поляризации при освещении образца излучением, частота которого близка к частоте поглощения исследуемого вещества, т.е. когда затуханием колебаний нельзя пренебречь. Эта задача осложнена тем, что до сего времени мы не интересовались, что происходит со спектральной линией, если источник света или поглощающая среда помещены в магнитное поле, Как было впервые установлено в 1896 г. Зееманом, при этом линия расш,епляется на несколько компонент (эффект Зеемана). Число таких компонент, взаимное расположение и относительная интенсивность определяются структурой энергетических уровней, при переходах между которыми возникла исследуемая спектральная линия, и существенно зависят от напряженности прилаженного магнитного по ля. Эффект Зеемана — важное для спектроскопии и атомной физики явление, которое до конца объясняется с позиций кван товой механики. [c.165]

Принципиальная схема работы стробоскопа не изменяется при переходе на другой режим, когда освещение микроскопа настраивается на неподвижный образец (до начала испытаний). В этом случае частота вспышек строботрона составляет около 6000 в минуту. Требуемый режим устанавливают с помощью переключателя Bg, который соединяет управляющую сетку первого каскада усилителя Л с датчиком синхронизированных импульсов ДИ или с двухполупериодным выпрямителем —Д4. Пульсирующее напряжение этого выпрямителя снимается непосредственно с диодов типа Д-226, минуя сглаживающий фильтр. В систему стробоскопического освещения образца входит также ключ S3 управления положением экранирующей шторки, расположенной в камере установки и приводимой в движение электромагнитом ЭМ. Реле Pi срабатывает при включении тумблера Б -, при этом к лампам системы стробоскопического освещения подается анодное напряжение и поступает ток в обмотку электромагнита ЭМ. Одновременно открывается шторка в камере, позволяя наблюдать за микроструктурой поверхности образца. При включении тумблера В2 размыкаются анодные 154 цепи ламп стробоскопа и шторка закрывается. [c.154]

Содержание кислорода в растворе целесообразно определять индиго-карминовым методом с точностью до 0,025 ла/л, а хлориды — нефело-метрическим методом с точностью до 0,06 мг л. Минимальный объем пробы на кислород 25 мл. При отборе проб в нагретом автоклаве раствор с помощью вентиля дроссилируется в охлажденную герметизированную емкость, откуда после конденсации пара он берется на анализ. Работающий автоклав пополняется новыми порциями раствора, которые подаются в него из дополнительной емкости через один из кранов точной регулировки. В этой емкости создается (путем нагрева раствора) давление, превышающее давление в автоклаве. Для измерения уровня жидкости в автоклаве к нему, подобно водомерному стеклу, приваривается трубка из нержавеющей стали, вдоль которой располагаются спаи термопар. Температура стенки трубки в зоне раствора отличается от температуры трубки в зоне пара. В связи с этим уровень жидкости в автоклаве можно определить с точностью до 3—5 мм. Для контроля и регулирования температуры целесообразно применять самопишущие приборы типа ПСР или ЭПД, а для контроля и регулирования давления — приборы типа ДСР в комплекте с дистанционным манометром МЭД. Автоклавы емкостью до 1,5 л нагреваются от комнатной температуры до 500 С за 3—4 час, охлаждаются за 6—7 час. Схема автоклава, позволяющего наблюдать за образцами в процессе испытания, представлена на рис. П-1. Одно из охлаждающихся колен предназначено для освещения образца, через другое колено производится наблюдение за образцами или его фотографирование. [c.57]

ФОТОГАЛЬВАНЙЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ (фотовольтаиче-ский эффект)—возникновение электрич. тока при освещении образца—полупроводника или диэлектрика, включённого в замкнутую цепь (фототок), или возникновение эдс на освещаемом образце при разомкнутой внеш. цепи (фо-тоэдс). Различают два типа Ф. з. [c.342]

К Ф. э., связанным с пространственным разделением носителей, относятся I) Дембера эффект—возникает при неоднородном освещении образца из-за различия коэф. диффузии электронов и дырок. Он может возникать и при однородном освещений вследствие различия скоростей поверхностной рекомбинации на противоположных гранях образца (см. Поверхностные состояния). [c.342]

Шк ала наименований характеризуется только отношением эквивалентности к.-л. качественного прояв йния свойства. Пример такой Ш. и.— классификация (оценка) цвета объекта по наименованиям (красный, белый, сине-зелёный и т. д.), опирающаяся на стандартные атласы цветов (в атласах цвета могут обозначаться уел. номерами). Измерения выполняются путём сравнения при опре-дел. освещении образцов цвета из атласа с исследуемым цветом и установления их эквивалентности. [c.465]

Рассмотрим результаты, полученные при высокоскоростном фотографировании фронта трещины в режиме реального времени. Для того чтобы проанализировать пространственное распределение этого фронта в образце, была разработана особая техника освещения образца пучком света, образующим с плоскостью образид угол, не равный 90°. В зеркальной зоне (рис. 6.7, а) фронт трещины в срединной плоскости обгоняет фронт на гранях образца приблизительно на 0,5 мм и его изменение достаточно гладкое. Основная особенность фронта трещины в матовой зоне (рис. 6.7, б) состоит в том, что он выглядит почти прямолинейным по толщине, но при этом состоит из ансамбля трещин. Снимок в перьевой зоне (рис. 6.7, в) показывает, что этот ансамбль характеризуется более интенсивным взаимодействием микротрещин между собой и с магистральной трещиной. [c.167]

В приближении малых дрейфовых длин (Lq приложение внешнего постоянного поля не изменяет заметным образом группировки фотоэлектронов в поле голограммы (х). Однако в другом предельном случае, при Lq К , за среднее время жизни т фотоэлектроны успевают переместиться на несколько пространственных периодову. . Процесс их группировки будет уже не столь эффективным, и максимальная их концентрация станет достигать в областях минимального суммарного поля Е (х) = о + -E s W, именно здесь средняя скорость движения фотоэлектронов минимальна, а время пребывания максимально. Вторичное поле Е1 х) в таких условиях окажется сдвинутым примерно на четверть пространственного периода относительно исходного распределения Е . (х). Таким образом, однородное освещение образца в данном случае будет приводить не столько к релаксации амплитуды исходной голограммы, сколько к ее сдвигу как целого вдоль внешнего поля Е (или навстречу Eq при дырочной фотопроводимости). [c.62]

Для фоторефрактивного дефлектора на основе кубического кристалла BiiaSiO-jo была предложена также и другая методика увеличения широкополосности [9.110], основанная на методе записи комбинационных голограмм [9.93—9.95, 9.115]. Последний заключается в том, что в нелинейном режиме записи в ФРК при одновременном освещении образца двумя интерференционными картинами с волновыми векторами К и К" в его объеме будет одновременно сформирован дискретный набор комбинационных голограмм с волновыми векторами [c.247]

Рассмотрим некоторые моменты работы фоторегистратора СФР в самостоятельном, командном и ведомом режимах. При работе СФР в с а м остоятельномрежиме синхронизируются только подача инициирующего импульса (в нашем случае для освещения образца в нужный момент) и положение зеркала. Момент сброса маятника и, тем самым, процесс возбуждения трещины не могут быть связаны со съемкой, поскольку после замыкания пусковой кнопки СФР первый же импульс от зеркала (в данном режиме работы это — синхронизирующий импульс) вызывает инициирующий импульс, т.е. через время не больше, чем период вращения зеркала. Ни синхронизирующий,, ни инициирующий импульсы не могут быть использованы для сброса маятника, поскольку время падения маятника составляет около 0,8 с и возбуждение трещины произойдет значительно позже съемки. [c.129]

ЛЮК для смены образцов и яо-тюсных наконечников 2 — полюсные наконечники 3 — столик для образцов 4 — механизм перемещения сто-пика 5 —. тампочка для освещения образца в — панцырь 7 — кольцевой зазор нз немагнитного материала [c.100]

В фотоакустической микроскопии акустические колебания генерируются вследствие термоупругого эффекта при освещении образца модулированным световым потоком (например, импульсным лазером), сфокусированным на поверхности образца. Энергия светового потока, поглощаясь в материале, порождает тепловую волну, параметры которой зависят от теплофизических характеристик объекта контроля. Тепловая волна 1д>иво-дит к появлению термоупругих колебаний, которые регистрируются, например, одним пьезоэлектрическим детектором. [c.210]

ОС, особенно при смешанном отражении, существегшо зависит от геометрии освещения образца и регистраггии рассеянного излучения, что необходимо оговаривать при измерешгях наряду с другими факторами (спектр излучения источника, поляризация света, тип фотоприемника и пр.) [c.57]

Осесимметричная пространственная индикатрисса отражения создается за счет освещения образца полым конусом света. Это не изменяет значения ОС по сравнению с обычным способом освещения при заданных углах Аа и Аф, так как эффект темнопольного освещения сводится к увеличению числа аналогично расположенных относительно пов х-ности освещенных пучков, т.е. эквивалентно увеличению интенсивности падающего пучка (при изопропности отражательных свойств обьекга). Для измерения падающего потока вместо образца ставится приемник излучения. [c.63]

Наличие в структуре узких ям позволило исследовать влияние двумерных электронов на экситонные спектры. Пунктирные кривые измерены при дополнительном освещении образца с энергией кванта 2.41 эВ, превышавшей край поглощения в узкой яме. В результате в узких ямах происходило фотовозбуждение электронов и дырок. Фотоэлектроны, эффективная масса которых мала, быстро туннелировали в широкие ямы и накапливались там. Тяжелые дырки, туннелирование которых затруднено, накапливались в узких ямах. Как видно из рис. 36, присутствие свободных электронов в широких ямах вызывает [c.122]

Здесь N — шютность молекул, / — длина освещенного образца, 5 — мощность пробного луча, /а/с/о — сечение КР, 5о — телесный угол, в котором собирается рассеянное излучение. [c.249]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...