ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Несмотря на сравнительно небольшую рассеиваемую мощность, которая присуща подавляющему числу современных полупроводниковых приборов, из-за малых габаритов последних удельная рассеиваемая мощность может быть достаточно велика. Если не принять специальных мер по отводу тепла от прибора, то перегрев р-п перехода приводит либо к отказу прибора, либо к резкому снижению его долговечности. Наиболее распространенным типом индивидуального теплоотводящего устройства для полупроводниковых приборов (диодов и транзисторов) является радиатор, представляющий собой металлическую теплопроводную пластину с гладкой или развитой поверхностью (рис. 22.7). [Выходные данные]