Анализ кристаллов в поляризованном

АНАЛИЗ КРИСТАЛЛОВ В ПАРАЛЛЕЛЬНОМ ПОЛЯРИЗОВАННОМ СВЕТЕ [c.798]

I 3] АНАЛИЗ КРИСТАЛЛОВ В СХОДЯЩЕМСЯ ПОЛЯРИЗОВАННОМ СВЕТЕ 801 [c.801]

АНАЛИЗ КРИСТАЛЛОВ В СХОДЯЩЕМСЯ ПОЛЯРИЗОВАННОМ [c.801]

Для анализа пучка лучей, поляризованного по кругу, необходимо превратить его в плоскополяризованный. Если между анализатором и кристаллом ввести дополнительную кристаллическую пластинку с разностью хода обыкновенного и необыкновенного [c.215]

Поляризационные К, о, применяются для анализа эллиптически поляризованного света (см. Поляризация света). В них используется явление двойного лучепреломления в кристаллах. Скорости обыкновенного и необыкновенного лучей в кристалле (а следовательно, и оптич. длины их путей) различны поэтому, проходя через кристалл, они приобретают разность хода, определяемую его толщиной. Простейший К. о. такого типа — пластинка четверть длины волны (по вносимой ею разности хода). Поляризац. К. о. превращают эллиптически поляризованный свет в поляризованный линейно или по кругу. Точность измерения разности хода с их помощью достигает 10-5.2я. [c.305]

В целях кристаллографического анализа очень часто исследуют не только характер погасания, но и измеряют углы погасания, т. е. углы между одной из плоскостей колебаний в данном сечении кристалла и каким-либо кристаллографическим его элементом следом грани, плоскостью спайности и т. п. При этом рассматривают прямое, косое и несимметричное погасания. Все указанные операции, которые подробно описываются в соответствующих руководствах, производятся в параллельном поляризованном свете. [c.799]

Существуют несколько способов исследования переориентации кристаллической решетки в ходе пластической деформации. Во-первых, оптический метод. При его реализации обычно используется поляризованный свет, что позволяет выявлять направление кристаллографических осей в соседних частях образца. Для непрозрачных кристаллов этот метод позволяет получить информацию о состоянии поверхности материала. До начала 60-х годов основные результаты о развитии структуры в ходе деформации были получены именно с помощью данного метода [18]. Кроме простого наблюдения за поверхностью, возможны модификации метода нанесение рисок и сеток [10, 19], применение жидких кристаллов при наблюдении тепловыделения в местах локализации деформации [20], излучение на протравленных шлифах зеренной структуры и, конечно, анализ дислокационных конфигураций с помощью ямок травления [21]. [c.106]

ДВОЙНОЕ ЛУЧЕПРЕЛОМЛЕНИЕ, распадение пучка света, идущего в анизотропной среде, на два компонента, распространяющихся с разными скоростями и поляризованных в двух взаимно перпендикулярных плоскостях. Мерой Д. л. (в данном направлении) является разность показателей преломления двух компонентов А = — Пд. В нек-рых случаях (напр, в кристаллах исландского шпата) Д. л. настолько велико, что оно непосредственно обнаруживается пространственным разделением компонентов, откуда и происходит самое название явления. Обыкновенно в анизотропных средах (особенно в тонких слоях) пространственное разделение незаметно, и Д. л. обнаруживается только путем соответствующего оптич. анализа по различным поляризационным и хроматич. явлениям, а в окрашенных анизотропных средах — по дихроизму (см.). [c.196]

Другая гипотеза [2] была основана на экспериментально установленном факте наличия в окрашенных кристаллах щелочно-галоидных соединений стехиометрического избытка щелочного металла. Подробный анализ различных гипотез о природе f-центров содержится в монографии С. И. Пекара [41]. В настоящее время общепринята модель Де-Бура, согласно которой F-центр представляет собой электрон, локализованный в области вакантного узла решетки, в котором отсутствует ион галоида [14, 41]. Это предположение лучше всего согласуется со всей совокупностью имеющихся экспериментальных данных относительно центров окраски в щелочно-галоидных кристаллах. Де-Буровская модель F-центра была более уточнена и впервые теоретически рассчитана в работах G. И. Пекара [41 ] на основе разработанной им теории поляронов, в основу которой была положена идея Л. Д. Ландау и др. об автолокализации электронов. Электрон, находясь в локальном состоянии, своим электрическим полем диэлектрически поляризует кристалл, а поляризованный [c.23]

Пучок лучей, выходящий из кристалла, эллнптически-поляризован. При а = 45° амплитуда а =- Ь. Уравнение колебаний X — 2л7/ os б у- = а- sin-б. Так как а onst, то ориентация эллипса зависит только от разности фаз б. Для анализа эллип-тически-поляризованного пучка его нужно превратить в плоскополяризованный, так как при врашенпп анализатора эллиптически-поляризованное излучение нельзя отличить от частично плоскополяризованного. [c.215]

Анализ по инфракрасным спектрам наиболее универсален люгут исследоваться вещества в любом агрегатном состоянии, окрашенные, а также флюоресцирующие затруднена лишь работа с растворами, в которых растворитель, например вода, имеет сильное собственное поглощение. Чувствительность метода сильно варьирует в зависимости от задачи и анализируемого вещества (различны интенсивности полос). Эксперимент (приготовление образцов, регистрация спектров и т. д.) при наличии современных спектральных приборов достаточно прост. Как правило, Д.1Я анализа требуются малые количества (ок. 10—20 мг) вещества. Возможна работа в поляризованном свете и с увеличительными приставками, что дает возможность изучать кристаллы и полимеры. Слабое воздействие инфракрасного кванта позволяет изучать нестойкие соединения. Зависимость между интенсивностью полос и концентрацией компонентов теоретически экспоненциальная, однако практически часто более сложна, ято затрудняет количеств, анализ. [c.304]

Обыкновенный и необыкновенный лучи. Анализ поляризации света показал, что элект зический вектор в обыкновенном луче расположен перпенднкулярно главному сечению, а в необыкновенном — лежит U самом сечении, т. е. обыкновенный луч поляризован в главном сечении одноосного кристалла, а необыкновенный — в плоскости, перпендикулярной главному сечению. [c.231]

Рассмотрим подробнее это понятие на примере двойного лучепреломления. Пусть речь идет о нормальном падении линейно поляризованного света на кристалл, вырезанный параллельно оптической оси (см. рис. 19). В кристалле распространяются обыкновенный и необыкновенный лучи с взаимно перпендикулярными направлениями линейной поляризации. Для упрощения анализа явления на первом этапе (эудем считать, что в качестве крист 1лла взят турмалин, в котором уже на пути 1 мм обыкновенный луч полностью поглощается. Следовательно, на выходе из достаточно толстой плас1инки имеется только необыкновенный луч, направ- [c.38]

Основоположник метода исследования напряжений при помощи поляризованного света Д. К. Максвелл еще в 1850 г. писал Доктор Брью-стер (1816 г.) открыл, что механическое напряжение вызывает в прозрачных телах временную анизотропию в отношении поляризованного света, а Френель (1822 г.) отождествил ату анизотропию с двойным лучепреломлением в кристаллах [9, с. 301]. Просвечивая поляризованным лучом модели из желатина и стекла, он обнаружил линии одинакового цвета (изохромы), соответствующие местам, в которых разность главных средних нормальных напряжений имеет одну и ту же величину. Таким образом была получена полная картина распределения напряжений в модели. Однако предложение Максвелла не получило применения до 1891 г., когда его соотечественник К. Вилсон [9, с. 420] использовал для исследования балки этот оптический метод, получивший название фотоупругости. В России начало оптическому анализу напряжений положил в 1903 г. проф. В. Л. Кирпичев [9, с. 384]. [c.214]

Анализ поляризованного света, в особенности при плеохроизме кристаллов,— сравнительно трудная задача. Дело обстоит несколько проще, когда свет проходит через прозрачны двояко-преломляющий кристалл, т. е. когда нет изменений в амплитуде колебаний вследствие избирательного поглощения одной из поля ризованных составляющих пучка. [c.500]

АНИЗОТРОПИЯ, явление, выражающееся в зависимости физич. величин, выражающих определенное свойство твердого или жидкого тела от направления, вдо.11Ь к-рого эта величина (коэфициент теплопроводности, показатели преломления, прочность на разрыв и др.) измеряется. Тела, обладающие А., называются анизотропными в противоположность изотропным, в к-рых свойства по всем направлениям одинаковы. Анизотропная среда однородна (гомогенна) в том случае, когда зависимость физич. свойств от направления одинакова в различных точках среды. Для данного направления все физич. свойства однородного тела не зависят от положения элемента объема, длп к-рого онп исследуются. Однородная А. может быть обусловлена строением тела, наличием кристаллич. структуры или резко выраженной асимметрией его молекул, легко ориентирующихся под влиянием внешнего или собственного поля (жидкие кристаллы, кристаллич. жидкости). А. (например местная) возникает также в результате односторонних деформаций тела (возникновение неравномерно распределенных внутренних напряжений при растяжении, одностороннем сдавливании тел, закалке, вообще при разных видах механической обработки). Поверхностный слой всякого тела вызывает местную А., делая тело неоднородным вблизи поверхности раздела с окружающей средой. При этом А. поверхностного слоя выражается в том, что физич. свойства по тангенциальным направлениям (лежащим в поверхности) отличны от свойств в направлении, нормальном ij поверхностному слою. Тела м. б. анизотропны в отношении одних свойств (напр, оптических) и изотропны относительно других (напр, упругих). Кристаллы всех систем кроме кубической оптически анизотропны. В таких кристаллах по каждому направлению (за исключением направления. лучевых осей) идут два луча, оба поляризованных во взаимно перпендикулярных плоскостях. Оба эти луча распространяются в кристалле с разной скоростью. А. может быть исследована по характеру зависимости физич. свойств напр, тепловых или механических) в данной среде. В прозрачных телах для изучения А. удобнее исследовать оптич. свойства (напр, по отношению к поляризованному свету). Наиболее полным методом исследования является исследование структуры (рентгено- или электро-нографич. анализ), обусловливающей А. [c.388]

Вопрос о характере реализующейся компенсации заряда должен решаться прежде всего путем анализа физико-химических условий выращивания кристаллов. Очень жестким критерием правильности выбранной модели могут оказаться оптические методы исследования симметрии центров [9], такие, как методы поляризованной люминесценции, зееманов-ского расщепления, пьезоспектроскопического явления, а также метод электронного парамагнитного резонанса. Следует решительно предостеречь от попыток поспешного установления симметрии центров по числу штарковских компонент расщепления термов во внутрикристаллическом поле. Такие попытки, нередко встречающиеся как в отечественных, так и в зарубежных работах, заведомо обречены на неуспех, поскольку они исходят из неверной предпосылки о возможности исчерпывающего и од- [c.88]

Нек-рые из этих эффектов лежат в основе простейших поляризационных приборов — поляризаторов, фазовых пластинок, анализаторов, компенсаторов оптических и др., с помощью к-рых осуществляется создание, преобразование и анализ состояния П. с. В наст, время разработаны эффективные методы расчёта изменения состояния П. с. при прохождении света через оптически анизотропные элементы. Изменение поляризац. состояния светового пучка вследствие прохождения через двупреломляющую среду используется для изучения оптич. анизотропии кристаллов (см. Кристаллооптика). При визуальных исследованиях оптически анизотропных сред широко используется эффект хроматической поляризации — окрашивание поляризованного пучка белого света после прохождения через анизотропный кристалл и анализатор. В хроматич, поляризации в наиболее эфф. форме проявляется интерференция поляризованных лучей. [c.576]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...