Облученность удельный

Некоторые диэлектрические свойства тефлона были определены до облучения, в процессе облучения и после него [65]. При измерении диэлектрической проницаемости образцов толщиной 0,08—3,2 мм после облучения дозой 5,0-10 дрг/г было показано, что она изменяется незначительно. Объемное удельное сопротивление образцов, облучавшихся при мощности дозы от 2,6-10 до 1,6-10 эрз/(з-ч), в процессе облучения быстро уменьшилось. Примерно после 20 ч облучения удельное сопротивление достигло постоянной величины, которая была в 10 раз меньше исходной величины. После удаления образца из поля ионизирующего излучения сопротивление снова возрастало. Результаты показывают, что удельное сопротивление изменяется обратно пропорционально мощности дозы и толщине образца. Удельное сопротивление образцов после облучения зависит от величины дозы, полученной образцом. [c.67]

Коэффициент поглощения. Звуковые волны, попадая на различные предметы, находящиеся в помещении (стены, пол, потолок), частично поглощаются. Мощность звуковых волн, поглощенных единицей поверхности, называют удельной мощностью поглощения, а отношение мощности поглощения к мощности облучения — удельным коэффициентом поглощения [c.349]

При расчетах защиты от у-излучения объемных источников, достаточно знать удельные у-эквиваленты в миллиграмм-эквивалентах Ка на литр и эффективный спектральный состав у-излучения. Для решения проблемы защиты персонала от источников внутреннего облучения и определения предельно допустимых выбросов радиоактивных изотопов во внешнюю среду с вентиляционным воздухом и жидкими отходами, а также для многочисленных технологических целей необходимо знать изотопный состав источников и удельную активность в кюри на литр. В отдельных случаях, например для характеристики поля у-излучения активной зоны реактора, в которой кроме продуктов, деления имеются мгновенные и захватные у-кванты, а также наведенная активность, вместо у-эквивалента пользуются другой физической величиной мощностью источника в мегаэлектронвольтах в секунду или у-квантах в секунду на единичный объем или массу. В Приложении II за основу приняты удельные у-эквиваленты, которые широко применяются в практике проектирования защиты от у-излучения смеси продуктов деления. [c.189]

Рис. 13.3. Зависимость удельной активности смеси продуктов деления, в реакторе на тепловых нейтронах от кампании Т и выдержки I при удельной мощности ш = кет/кг облученного топлива.

При освещении полупроводника концентрация свободных носителей заряда в нем может возрасти за счет носителей, возбужденных поглощенными кванта-.ми света. При оптическом возбуждении электронов из валентной зоны в зону проводимости возникает пара свободных носителей - электрон и дырка. Если за счет света происходит переход электрона из валентной зоны на примесные уровни или с примесных уровней в зону проводимости, образуются свободные носители одного знака - дырки или электроны. В соответствии с увеличением концентрации свободных носителей заряда в полупроводнике за счет облучения его светом возрастает и его удельная проводимость [c.70]

Вследствие облучения увеличиваются удельное электросопротивление металлов, сопротивление пластической деформации, а в некоторых случаях изменяется и размер зерен. [c.41]

Кроме экранов, флюоресцирующих под действием ионизирующего излу чения, в радиоскопии используются входные экраны, материал которых изменяет свое сопротивление при облучении его указанным выше излучением, т. е. выполненных в виде экранов фоторезистивного типа. К этим материалам относят материалы с удельным сопротивлением 1 — 10 Ом-см, включая металлы и сверхпроводники. Фотопроводники являют- [c.359]

Готовые изотопы удобны при приготовлении меченых амальгам и нанесении меченых гальванических покрытий, их используют также и в тех случаях, когда введение метки способом облучения требует слишком длительных экспозиций образца в ядерном реакторе при ускорителе, когда меткой служит радиоизотоп, выделяемый из продуктов деления урана, когда в качестве метки целесообразно применить радиоизотоп, поставляемый без носителя (в последнем случае принципиально возможно создавать в образце очень высокие удельные активности элемента). [c.206]

Преимущества нейтронной активации заключаются в ее равномерности (для образцов обычных размеров интенсивность нейтронного потока практически одинакова во всех точках, эффекты само-экранирования обычно невелики), возможности получения образцов с необходимой, иногда сравнительно высокой удельной активностью (достигается путем подбора режима облучения), возможности работы с образцами промышленной плавки. Поскольку образование радиоизотопа одновременно решает проблему его введения в образец, расширяются возможности использования в качестве метки изотопов с относительно небольшим временем жизни. [c.207]

Остаточных изменений удельного электросопротивления MgO не было отмечено после облучения при 400° С потоком быстрых нейтронов 3,5-10 нейтрон/см" и 1,14-10 у-квантов/см [153]. [c.168]

Сообщалось, что удельная магнитная восприимчивость керамики из MgO, подобно другим соединениям [204, 228], уменьшается при облучении нейтронами, число парамагнитных дефектов при этом растет. [c.168]

Рис. 4.48. Удельное электросопротивление графита до и после облучения нейтронами и после последующего отжига в зависимости от его начального удельного электросопротивления при комнатной температуре

Смещение атомов в результате облучения быстрыми нейтронами приводит к искажению решетки. В результате искажения происходит раз-упорядочение, особенно если температура облучения низка по сравнению с температурой отжига искажений для рассматриваемого металла. Для исследования влияния излучения на удельное электросопротивление проведено много опытов. В табл. 5.14 приведены наиболее интересные-данные для чистых металлов и некоторых сплавов. [c.270]

При температурах облучения от 30 до 280° С относительно небольшие остаточные изменения наблюдали у большинства металлов, кроме тугоплавких (например, вольфрама и молибдена). Медь, никель и нержавеющая сталь 347 обнаруживают линейное увеличение удельного электросопротивления с увеличением интегрального потока нейтронов, причем в процентном отношении это увеличение находится в обратной зависимости от исходного удельного электросопротивления. Для металлов [c.270]

Удельное электросопротивление может служить полезным показателем при изучении основ механизма радиационных изменений вследствие высокой чувствительности к изменениям структуры и вследствие относительной легкости, с которой его можно контролировать как у облученных, так и у необлученных материалов. Оно может быть измерено непосредственно в реакторе с применением минимума доступной аппаратуры. [c.271]

При этом электросопротивление металла и его изменение вследствие облучения играют важную роль. Если опыты проводятся при достаточно низких температурах, чтобы предотвратить отжиг дефектов, то можно предположить, что увеличение электросопротивления будет пропорционально числу дефектов, введенных в металл. Необходимо поддерживать общую концентрацию дефектов на достаточно низком уровне, чтобы предотвратить взаимное влияние различных дефектов, которое может само вызвать увеличение электросопротивления. Облучение меди, серебра и золота [21 ] при 10° К нейтронами энергией 12 Мэе показало, что изменение электросопротивления почти линейно зависит от числа частиц, бомбардирующих материал. Отклонение от линейного закона связано, по-видимому, с явлениями отжига. Подобные опыты проведены Б левит-том и др. [41] на большом количестве материалов, облученных в реакторе при 17° К. Результаты этих двух работ сведены в табл. 5.15. Интерпретация изменения удельного электросопротивления была бы проста, если бы был известен коэффициент пропорциональности, связывающий это изменение с концентрацией дефектов. Неизвестное значение поперечного сечения рассеяния электронов проводимости на таких дефектах затрудняет точные вычисления, и величины, соответствующие различным дефектам, весьма спорны. [c.272]

Относительное увеличение удельного электросопротивления различных металлов в результате облучения потоком нейтронов 7-1011 нейтрон (ем -сек) при 20° К [c.273]

Время жизни неосновных носителей более чувствительно к облучению, чем удельная электропроводность. Если, например, ввести избыток дырок в полупроводник и-типа (в этом случае дырки являются неосновными носителями, а электроны — основными), то они исчезнут в результате рекомбинации с электронами, но это произойдет не мгновенно. Среднее время, необходимое для рекомбинации неосновного носителя с основным, называется временем жизни неосновного носителя. Эти свойства особенно важны во многих полупроводниковых приборах, особенно в транзисторах. Механизм рекомбинации определяется примесями и другими типами дефектов. В приведенном выше примере дырки и электроны рекомбинируют после захвата дефектами, которые называют центрами рекомбинации. Очень эффективными центрами рекомбинации являются вакансии и междоузлия. [c.283]

Избыток электронов и дырок, временно образовавшихся в полупроводниках под действием излучения, увеличивает объемную удельную электропроводность материала. Однако наиболее резко чувствительность к облучению выражена в полупроводниковых переходах. [c.284]

Радиационные эффекты не играют существенной роли и в случае других исследованных металлов. Так, на рис. 2 приведены анодные поляризационные кривые, измеренные по току потенциодинамическим методом на облученном (удельная активность 270 мкюри г) и необлученном образцах стали Х20Н20С5. Видно, что кривые обоих [c.97]

Радиационные характеристики смеси продуктов деления являются исходными параметрами для расчета защиты, тепло-съема и собственно ведения технологического процесса. Они зависят в основном от трех факторов удельной тепловой мощности реактора хю вт/г (или плотности потока нейтронов Ф нейтрон1 см -сек) , продолжительности кампании Г и выдержки Для процессов переработки облученного топлива основными радиационными характеристиками смеси продуктов деления, которые в первую очередь необходимо знать при проектировании защиты, являются удельные активности [c.183]

Пример И. В примере 10 при расчете защиты детектора Рц от источника И6 необходимая толщина защиты оказалась равной 12=68 см бетона. В настоящем примере ставится задача определить мощность дозы в точке детектора Р 2 (помещение ПЮ), если источником И5 (помещение П9) является урановый блочок массой 1 кг, облученный в реакторе на тепловых нейтронах в течение Г=120 дней и после выдержки i=30 дней. Для упрощения расчетов удельную мощность реактора примем равной ш= квт кг (обычно она бывает больще). Расстояние от источника до детектора Ь=4 м. Цель данного примера — проиллюстрировать применение формул для расчета мощности дозы за защитой й по радиационным характеристикам (удельной активности, спектральному составу), рассчитанным только для Г = оо. При этом необходимо рассчитать уровни излучения а) выраженные в единицах мощности экспозиционной дозы Р [мр1ч], если удельная активность Q выражена в единицах кюри или грамм-эквивалентах радия М-, б) в единицах интенсивности I [Мэе/ см -сек)], если удельная активность выражена в единицах силы источника 5 [Мэе/(сек-кг)]. Для контроля результаты расчета в примерах а и б надо сравнить между собой, а также с результатами расчета с использованием непосредственных радиационных характеристик для 7 = 120 дней и = 30 дней. [c.339]

Рис. 13.5. Зависимость удельной проводимости германия ot дозы <р облучения дейтро

Известно [83, 84], что определяющим при воздействии потоков с высокой удельной мощностью (5г 10 -10 Вт/см ) является интенсивный разогрев облучаемого материала с возможным, в зависимости от удельной мощности потока, плавлением, вскипанием и испарением поверхностного слоя с последую1цим высокоскоростным охлаждением за счет отвода 1-епла в более глубокие слои обрабатываемой мишени. Однако конфигурация и динамика тепловых полей, глубина проникновения заряженных частиц в вещество, физические характеристики и особенности кристаллической структуры (например, ее стабильность в условиях облучения) могут существенно, а зачастую принципиально изменить фазово-структурное состояние не только поверхностного слоя, но и всего объема обрабатываемого объекта. [c.168]

В настоящее время для модифицирования инструментальных материалов применяются различные источники ионов, существенно разли-чаюпщеся по своим технологическим параметрам, таким, как используемый диапазон энергий ионов, возможность варьирования их химического состава, плотность ионного тока (соответственно удельная мощность облучения), прерывистость ионного потока и др. Имеются также данные об успешном использовании мощных ионных пучков (МИГ ) для гювьипения износостойкости твердосплавных режущих инструментов [21, 86, 104, 112, I 14. 118]. [c.218]

Удельная объемная проводимость диэлектрика складывается из собственной проводимости а,. (См/м), которая характерна для диэлектрика без облучения (ее называют темновой), и радиационной удельной объемной проводимости Ор (См/м) а = + Ор. [c.146]

Электрические свойства полимеров в процессе облучения снижаются под влиянием ионизации диэлектрика, но после облучения восстанавливаются до исходных значений. Опыт показывает, что удельное объемное сопротивление и электрическая прочность после рентгеновского облучения и гамма-облучеиия дозами до 10 рентген и после гамма облучения в атомном реакторе дозой 10 у--кван1п/см сохраняются при нормальных условиях испытания на уровне необлученных образцов. [c.46]

Пластниа выполнена в виде полированной проводящей подложки (алюминий, латунь, а также стекло или бумага с проводящим покрытием), на которую тонким слоем в вакууме нанесены полупроводниковые материалы (аморфный селен, антрацен и др.). Удельное электрическое сопротивле-)1ие полупроводниковых слоев составляет 10 —10 Ом-см до облучения рентгеновским или -у-излучением и 10 —10 Ом-см при облучении. [c.344]

Влияние облучения на неорганические диэлектрики, кварц, слюду, глнноэе.ч, оксид циркония, оксид бериллия и слюдяные материалы со стекловидным связующим — менее сильное. У них о<5разуются центры окрашивания удельное элек-трическое сопротивление и электрическая прочность их могут снизиться. [c.87]

Т е р м о э л е к т р о д н ы е сплавы. Изыскание средств защиты термоэлектродных сплавов от межкристаллитной коррозии явилось одной из актуальных задач современного материаловедения, Широко используемые в измерительной технике хромель-алюмелевые термопары претерпевают рекристаллизацию при длительной эксплуатации в горячей атмосфере, в результате чего точность измерений температуры искажается. Для защиты термоэлектродных сплавов предлонсены два типа покрытий стеклокерамические покрытия и покрытия на основе органосиликатных материалов. Покрытия обоих типов обладают гибкостью, имеют удельное электрическое сопротивление при 900—950° С в несколько тысяч ом см, устойчивы в полях облучения и обладают комплексом других специфических свойств. [c.8]

При облучении алифатических углеводородов увеличивается вязкость образцов, удельный и молекулярный вес, уменьшается температура плавления, содержание водорода и выделение газообразных продуктов. Увеличение вязкости связано с процессами нолимеризации под воздействием радиации [52]. Количество газообразных продуктов радиолиза линейно увеличивается с увеличением дозы облучения. Газовая фаза состоит из 60—98% водорода с небольшим количеством метана и высших углеводородов. При этом ( (Нг) увеличивается, а G Yi ) падает по мере увеличения молекулярного веса и-углеводородов. В изо-замещенных соединениях ( (СН4) пропорционален числу концевых групп. Температура плавления и-углеводородов по мере увеличения дозы облучения вначале несколько падает, а затем повышается. Очень мала или почти отсутствует разница в характере и величине радиационных эффектов при облучении алифатических углеводородов различными видами радиации. [c.12]

Монк [153] облучал конденсатор из AI2O3 при 400° С и измерял сопротивление и емкость во время облучения. Произведение этих величин R ) является характеристикой качества конденсатора и пропорционально диэлектрической постоянной и удельному объемному сопротивлению. [c.151]

Другие исследователи изучали действие ультрафиолетового и рентгеновского излучения на напряжение ную, коэффициент рассеяния и удельное сопротивление диэлектриков из окиси алюминия [83]. Алокс (99% AI2O3) был облучен рентгеновскими лучами (50 кв) в вакууме 10" мм рт. ст., при этом изменение свойств для переменного тока не было отмечено, но были обнаружены небольшие изменения удельного электросопротивления на постоянном токе. Окись алюминия приобретала высокую электропроводность во время облучения протонами [98]. [c.151]

Исследование магнитных свойств монокристалла сапфира и поликристалла AI2O3 после облучения показывает, что сапфир имеет несколько большее сопротивление облучению, чем можно было представить по приведенным выше результатам. Удельная магнитная восприимчивость поликристалла AI2O3 была неизменной при облучении интегральным потоком до 3,76-10 нейтрон/см (Е >0,5 Мэе) при 30° С. Облучение не привело к изменению парамагнитного резонанса [146]. [c.152]

Таким образом, облучение AI2O3 вызывает некоторое анизотропное расширение, но не воздействует значительно на стабильность размеров, что иллюстрируется уменьшением плотности менее чем на 1% после облучения высокими интегральными потоками нейтронов при комнатных температурах. Механические свойства AI2O3 существенно не меняются при облучении интегральным потоком тепловых нейтронов вплоть до 1,6 10 нейт,рон/см при 50° С. Тепловые и электрические свойства изменяются наиболее сильно как теплопроводность, так и удельное электросопротивление при облучении заметно уменьшаются. Во многих случаях изменения электрических свойств, видимо, недостаточно существенны, что позволит применять AI2O3 как изоляционный материал в радиационном поле. [c.152]

Рис. 4.44. Восстаповление удельного электроеопротивле-ния в продольном направлении при отжиге графита KS, облученного потоком 4,31-101 нейтрон/см (на кривых указана температура отжига) [226].

Колтман и др. [20] измеряли остаточное удельное электросопротивление меди после облучения интегральным потоком 4-101 нейтрон 1см и обнаружили, что степень повреждений была 1 -IQ- ом смI нейтрон 1см ), что составляет величину, меньшую, чем для платины, серебра и висмута. Найдено, что степень нарушений при 4° К в холоднокатаной меди больше, чем в отожженной меди. [c.267]

Влияние нейтронного облучения на удельное электросопротив.иение металлов [c.271]

Колтман и др. [20] показали, что в меди, облученной при 4° К, уже при 7° К наблюдаются явления частичного отжига. Чтобы провести сравнительное изучение изменений удельного электросопротивления различных металлов, облучение необходимо проводить при таких температурах, при которых не происходят явления отжига. Металлы с высокими температурами плавления имеют большие изменения электросопротивления в результате облучения при комнатной температуре. Указывается на большое увеличение электросопротивления молибдена, титана, циркония и железа, облученного при 80° С [16]. Подвижность дефектов -СИЛЬНО зависит от температуры плавления металлов. Опыты Кинчина и Томсона [48] по облучению молибдена и вольфрама быстрыми нейтронами при 78° К указывают на значительный эффект отжига молибдена и частично вольфрама при 90 и 120° К соответственно. Считают, что явления отжига в молибдене могут происходить и в интервале 20—90° К. Вероятно, даже в самых тугоплавких металлах происходит отжиг дефектов во время облучения при всех температурах, за исключением только чрезвычайно низких. [c.272]

Блевитт [41 ] показал, что все изучавшиеся металлы и сплавы имели линейное увеличение удельного электросопротивления в зависимости от величины интегрального потока быстрых нейтронов до 8-10 нейтронам . На степень увеличения электросопротивления меди не влияли содержание примесей, структура и технология изготовления. Хотя имеются определенные изменения, замечаемые после облучения, число смещенных атомов, соответствующих этим изменениям, определяется приближенно. [c.272]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...