Энергия, рассеянная в материале эффективная

Узлы трения являются диссипативными системами. При внешнем трении рассеивание суммы кинетической и потенциальной энергии системы с частичным переходом в тепловую происходит в тонких слоях сопряженных тел. В нижележащих слоях температура увеличивается в результате теплопередачи и вследствие рассеяния механической энергии волн напряжений. На характер изменения температуры в поверхностных слоях пластмассовых подшипников можно эффективно влиять, подбирая соответствующий смазочный материал и регулируя интенсивность смазки. Проявление гистерезисных явлений в пластмассах значительно сильнее, чем в металлах, поэтому интенсивность и глубина температурных полей в полимерных телах трущихся пар определяется внешними силовыми условиями, преимущественно нагрузкой и скоростью относительного скольжения. Способность пластмасс поглощать механическую энергию влечет за собой быстрый рост температуры и тем самым отрицательно влияет на работоспособность подшипника — Прим. ред. [c.231]

Конструктивно ударный демпфер представляет собой груз, помещенный с зазором в корпусе колеблющегося тела [1]. При контакте демпфера с вибрирующим телом сбивается фаза колебаний и увеличивается рассеяние энергии. Основными параметрами рассматриваемого демпфера являются зазор, масса и расположение груза. Материал груза мало влияет на эффективность его работы. [c.164]

Как было выяснено в разделах 25 и 26, между эффективным сечением рассеяния и энергией существует зависимость (благодаря брэгговским отражениям), связанная с кристаллической природой рассеивающего вещества в указанном выше опыте. Однако в этом случае рассеяние вообще не связано с ядрами, а обусловлено конфигурацией решетки рассеивающего материала. Следовательно, при выполнении и интерпретации экспериментов, проводимых с целью измерения полного эффективного сечения или эффективного сечения рассеяния для медленных нейтронов, необходимо проявить особую осторожность. [c.210]

Ограничения, обусловленные рассеянием электронов в подложке. Этот тип ограничений является следствием упругих столкновений первичных электронов с атомными ядрами подложки. В результате отражения от подложки электроны возвращаются в фоторезист, обладая энергией, достаточной для инициирования элементарного акта экспонирования. Эффективность отражения в первом приближении является линейной функцией от атомного номера материала подложки. [c.262]

Реакция (к, 2п) на протоне изучалась достаточно широко (см. 112, пп. 6 и 7). Однако вблизи порога экспериментальные данные практически отсутствуют. В настоящее время вся мировая статистика по угловым распределениям вторичных пионов (исходный материал для фазового анализа) в этой области энергий составляет всего лишь несколько сотен событий. В связи с этим данные о (тс —п)-рассеянии в области малых энергий все еще нельзя считать окончательными. Изучение реакции пр- ккМ в условиях мезонной фабрики позволит увеличить статистику полезных событий примерно на два порядка. Это даст возможность получить надежные данные о параметрах (п —1г)-рассеяния при малых энергиях (о сечении, фазах и длинах рассеяния), позволит правильно выбрать эффективный лагранжиан и проверить существующие (или построить новые) модели сильного взаимодействия. [c.257]

Далее, мы будем считать, что это взаимодействие является парным, т. е. что энергия взаимодействия каких-либо двух частиц системы соверщенно не зависит от того, имеются вокруг них другие частицы или нет. Причем речь идет не об эффективном взаимодействии с экранировкой, обусловленной движением окружающих частиц (такие эффекты как раз рассчитываются методами статистической физики), а об исходном взаимодействии частиц, как бы остановленных в пространстве. Это упрощение также не является принципиальным при построении и использовании аппарата статистической механики, оно связано скорее с отсутствием удовлетворительного и достаточно простого способа фиксации эффектов насыщения сил взаимодействия (их учет, по-видимому, существен при рассмотрении очень плотных систем типа, например, ядерной материи для газов их нет, для конденсированных систем от их учета могут произойти лишь слабые поправки). Напротив, потенциал парных сил Фг/ может быть определен или экспериментально при исследовании данных по рассеянию двух изолированных частиц необходимого сорта друг на друге, либо с помощью теоретических расчетов. Таким образом, мы приходим к выводу, что энергия взаимодействия частиц друг с другом в принципе нам тоже известна — это сумма парных потенциалов взаимодействия каждой из частиц со всеми остальными [c.267]

Изучение структурных и энергетических закономерностей пластической деформации в приповерхностных слоях материалов в сравнении с их внутренними объемными слоями имеет важное значение для развития теории и практики процессов трения, износа и схватывания. При этом следует отметить, что. поверхностные слои кристаллических материалов имеют, как правило, свои специфические закономерности пластической деформации. Так, например, в работе [11 при нагружении монокристаллов кремния через пластичную деформируемую среду силами контактного трения было найдено, что в тонких приповерхностных слоях на глубине от сотых и десятых долей микрона до нескольких микрон величины критического напряжения сдвига и энергии активации движения дислокаций значительно меньше, чем аналогичные характеристики в объеме кристалла. Было также показано [2], что при одинаковом уровне внешне приложенных напряжений по поперечному сечению кристалла в радиусе действия дислокационных сил изображения эффективное напряжение сдвига значительно выше, чем внутри кристалла. Поэтому поверхностные источники генерируют значительно большее количество дислокационных петель и на большее расстояние от источника по сравнению с объемными источниками аналогичной конфигурации и геометрии при одинаковом уровне внешних напряжений. Высказывалось также предположение, что облегченные условия пластического течения в приповерхностных слоях обусловлены не только большим количеством легкодействующих гомогенных и различного рода гетерогенных источников сдвига [3], но и различной скоростью движения дислокаций у поверхности и внутри кристалла [2]. Аномальное пластическое течение поверхностных слоев материала на начальной стадии деформации может быть обусловлено действием и ряда других факто-зов, например а) действием дислокационных сил изображения 4, 5] б) различием в проявлении механизмов диссипации энергии на дислокациях, движущихся в объеме кристалла и у его поверхности причем в общем случае это различи е, по-видимому, может проявляться на всех семи фононных ветвях диссипации энергии (эффект фононного ветра, термоупругая диссипация, фонон-ная вязкость, радиационное трение и т. д.) [6], а также на электронной [71 ветви рассеяния вводимой в кристалл энергии в) особенностями атомно-электронной структуры поверхностных слоев и их отличием от объема кристалла, которые могут проявляться во влиянии поверхностного пространственного заряда и дебаевского радиуса экранирования на вели- [c.39]

Гегель и соавторы [22] разработали карту другого типа В координатах температура - скорость деформации она показывает эффективность рассеяния энергии пластической деформации такими металлургическими процессами, как динамическая рекристаллизация или внутреннее разрушение. Карта позволяет определить сочетания температуры и скорости деформации, которые обеспечивают высокую и низкую эффективность такого рассеяния энергии. Каждая карта построена для конкретного материала и исходной микроструктуры. В том или ином диапазоне температур и скоростей деформации [c.212]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...