Вольт-амперная характеристика р-я-перехода

По сравнению с обычной дугой плазменная дуга имеет ряд дополнительных характеристик, позволяющих воздействовать на режим сварки. К этим характеристикам относятся диаметр сопла, расход и состав газа, в значительной мере влияющие на напряжение и температуру дуги, а следовательно, на положение вольт-амперной характеристики по отношению к координатным осям. Чем интенсивнее обжата дуга, тем выше ее напряжение и тем меньше сила тока, при которой вольт-амперная характеристика переходит в независимую или даже возрастающую. [c.426]

Математическая модель диода основана на аппроксимации вольт-амперной характеристики р-п-перехода [c.90]

Вольт-амперные характеристики W-дуги в гелии и других инертных газах (аргоне, неоне, криптоне, ксеноне) представлены на рис. 2.56. Скачок характеристики для гелия при 150 А связан, видимо, с переходом от дуги в парах титанового анода к дуге в ионизированном гелии. [c.101]

Вольт-амперная характеристика р-и-перехода показана на рис. 123. Таким [c.359]

Вольт-амперная характеристика, показанная на рис. 123, хорошо описывает / -и-переходы в германии. Однако р-и-переходы в кремнии имеют вольт-амперную характеристику, отличную от изображенной на рис. 123. Для них вольт-амперная характеристика показана на рис. 124. Возможной причиной такой вольт-амперной характеристики является очень малая концентрация неосновных носителей в кремнии. Поэтому при малых внешних напряжениях плотность тока неосновных носителей чрезвычайно мала и лишь при достижении 0,6 В сила тока начинает экспоненциально расти, как это происходит в германии начиная практически с нулевой разности потенциалов. Наличие сдвига 0,6 В в сторону положительных напряжений в вольт-амперной характеристике кремния очень важно принимать во внимание в кремниевых транзисторах. Для их удовлетворительного функционирования разность потенциалов между базой и эмиттером должна быть установлена примерно равной 0,6 В. [c.360]

При наложении внешнего напряжения в проходном направлении возникает обычный диодный небольшой ток. Однако ввиду того что по разные стороны перехода, разделенного потенциальным барьером, энергии носителей одинаковы, возникает туннельный эффект (см. 29), в результате которого носители проникают через потенциальный барьер на другую сторону от перехода без изменения энергии. Благодаря этому через переход течет более значительный ток. При дальнейшем увеличении разности потенциалов энергия электронов в и-области у перехода увеличивается, а в /j-области - уменьшается (рис. 126,6) и область перекрытия примесных уровней начинает уменьшаться. В результате этого сила тока начинает уменьшаться. Максимум силы тока достигается при наиболее полном перекрытии зон (рис. 126, а). Когда примесные зоны сдвигаются друг относительно друга настолько, что каждой из них на другой стороне перехода противостоит запрещенная зона (рис. 126,6), туннелирование становится невозможным и сила тока через переход уменьшается. При достаточно больших разностях потенциалов зоны проводимости п- и /7-областей оказываются почти на одном уровне (рис. 126, в) и становится возможным возникновение обычного диодного тока. Сила тока начинает снова возрастать. Вольт-амперная характеристика туннельного диода показана на рис. 127. [c.361]

Рис. 3.18. Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода

На рис. 8.10 показана зависимость между током, текущим через р-л-переход, и внешним напряжением, которая называется вольт-амперной характеристикой. Описывается вольт-амперная характеристика / -п-перехода следующим выражением [c.282]

В работах [12, 28] изучалось поведение германиевых и кремниевых диодов Исаки под действием облучения быстрыми нейтронами. При низком прямом напряжении в характеристиках диодов Исаки обнаружен пик тока, обусловленный туннельными переходами электронов из зоны проводимости в валентную зону. Так как этот эффект не зависит от времени жизни носителей, то влияние излучения может привести только к уменьшению плотности ионизированных доноров и акцепторов. Подсчитано, что для существенного изменения вольт-амперных характеристик устройств с высокой начальной концентрацией доноров и акцепторов на основе такого механизма требуется интегральный поток быстрых нейтронов порядка 101 нейтрон 1см . [c.301]

Рис. 5.13. Вольт-амперные характеристики р-п-перехода

Два последних вывода можно обобщить, построив зависимость между разностью потенциалов и и током I (рис. 5.13), представляющую собой вольт-амперную характеристику диода, которым в сущности и является р-п-переход. В идеальном диоде результирующий ток равен разности токов основных и неосновных носителей [c.99]

Рис. 12.10. Фотоприемник с р—я-переходом а — диод, р-область которого облучается светом б — зонная диаграмма р—я-перехода диода, показывающая возникновение фото-э.д. с. в — вольт-амперная характеристика освещенного р—я-перехода при различных мощностях светового потока

ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ЭФФЕКТЫ — скачкообразный обратимый переход полупроводника (или полупроводниковой структуры) из высокоомного состояния в низкоомное под действием электрик, поля, превышающего пороговое значение п = Ю —Ю В/см, П. э. наблюдаются в полупроводниках, у к-рых вольт-амперная характеристика (ВАХ) имеет участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Такой характер ВАХ обусловлен формированием электрик, доменов (для ВАХ А-типа см. Ганна аффект, Ганна диод) или токовых шнуров (для ВАХ iS-типа см. Шнурование тока). [c.558]

Рис. 3. Вольт-амперная характеристика (ВАХ) р — п-перехода,

Икс. 9. Вольт-амперная характеристика р — п-перехода. [c.43]

Вольт-амперные характеристики ионообменных мембран. В случае катионообменных мембран с равными концентрациями прилегающих электролитов на вольт-амперных кривых в отличие от пористых мембран имеются три резко выраженных участка (см. рис. 5). Первый участок линейный, аналогичен вольт-амперным характеристикам пористых мембран (рис. 4), т. е. имеется пучок прямых, проходящих через начало координат с наклоном, возрастающим с ростом концентрации. Как показывают дальнейшие измерения, при неравных концентрациях электролитов получаем прямые типа Б. Далее линейные участки переходят в отчетливые плато, соответствующие предельному току, максимальному току переноса определенного типа иона. При дальнейшем увеличении приложенной к внешним электродам разности потенциалов ток начинает снова линейно меняться с приложенным мембранным потенциалом. [c.274]

Примером математической модели сложного компонента может служить модель транзистора. На рис. 3.3 представлена эквивалентная схема биполярного транзистора, на которой зависимые от напряжений источники тока = г ехр(му(/и<р )) и i = г ехр [uj /(/иф )) отображают статические вольт-амперные характеристики/г-и-переходов / и тепловые токи переходов — температурный потенциал и ии — напряжения на эмиттерном и коллекторном переходах С и — емкости переходов R uR — сопротивления утечки переходов, R nR — объемные сопротивления тел базы и коллектора [c.90]

Приложение к р-п-переходу положительного потенциала U > О, прямое смещение) приводит к изменению взаимного расположения уровней Ферми (рис. 9.21,6), уменьшению потенциального барьера, росту диффузионного тока (дрейфовый ток остается неизменным). Результирующий ток через /7-л-переход носит название прямого тока. Если и <0 (обратное смещение), то барьер увеличивается (рис. 9.21, в), диффузионный ток уменьшается, дрейфовый ток остается неизменным. Результирующий ток называется обратным током. Уравнение вольт-амперной характеристики (ВАХ) уз-п-перехода в этом случае имеет вид [c.499]

Определить прямые вольт-амперные характеристики диодов с реальными р — -переходами. [c.84]

Вольт-амперная характеристика столь идеальной формы редко встречается у реальных переходов чаще прямая характеристика имеет вид [c.373]

Рис. 14.8.2. Различные типы обратных участков вольт-амперных характеристик р — я-переходов (изображены схематично),

Физический процесс переключения тиристора, т. е. перехода его из состояния малой проводимости в состояние высокой проводимости, при разомкнутой цепи управления по существу не отличается от такого же процесса после подачи на тиристор напряжения цепи управления [5]. Протекание тока управления через тиристор лишь уменьшает величину напряжения, при котором тиристор переключается ход вольт-амперных характеристик тиристора с включенной цепью управления показан на рис. 18 пунктирными линиями для токов управления Лу и /гу при 1у 2у- [c.40]

Обратная ветвь вольт-амперной характеристики тиристора та же, что у диода. Электрическая прочность тиристора, к которому приложено обратное напряжение, в основном определяется характеристикой третьего р — п-перехода, так как технология изготовления тиристора предусматривает сильное Легирование р-базы, что обусловливает низковольтный характер перехода 1. [c.40]

Статическая вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода представлена на рис, 10.7, [c.77]

Фотодиоды — полупроводниковые диоды, для которых сила обратного тока зависит от светового потока Фс, падающего на Р —Л -переход. Вольт-амперная характеристика фотодиода приведена на рис. 3.19. [c.470]

Применение автоматов с постоянной скоростью подачи сварочной проволоки и намечающийся переход на питание от генераторов с жесткой вольт-амперной характеристикой позволяют получить строгий заданный режим по току и рабочему напряжению. [c.498]

На этой диаграмме кривая 1 соответствует вольт-амперной характеристике перехода управляющий электрод — катод при наибольщем сопротивлении этой цепи, а кривая 2—при цаимеиьшем сопротивлении. Здесь же кривая 5 соответствует наиболее типичной характеристике управления. Кривые допустимой мощности рассеяния при относительных длительностях импульсов, отнесенных к длительности полупериода рабочего тока, 5, 10, 25, 50 и 100%, представляют собой гиперболы. Если через управляющий электрод протекает ток непрерывно, в течение длительного времени, то допустимая мощность рассеяния не должна быть более чем 0,5 вт. Нри относительной длительности управляющего сигнала 10% кривая мощности рассеяния 5 вт не должна быть превышена, за исключением кратковременных импульсов продолжительностью менее 10 мксек. Это ограничение вводится вследствие очень низкого теплового сопротивления управляющего электрода при неустановившемся режиме. Горизонтальная прямая, соответствующая напряжению 10 в, и вертикальная прямая, соответствующая току 2а, характеризуют граничные значения параметров цепи управления. Следует также отметить значительную температурную зависимость граничных параметров. На рис. 8-5 приведены кривые зависимости тока и напряжения управления тиристора от температуры /7-п-перехода. [c.204]

В период с 1958 по 1968 г. С. Овшинский открыл и исследовал необычные свойства переключения у халькогенидных стекол. Переключением называют способность вещества обратимо переходить из одного состояния в другое под влиянием какого-либо внешнего воздействия. Два рода переключения, существующие в халькогенидных стеклах, иллюстрирует рис. 11.15, где приведены вольт-амперные характеристики этих полупроводников. Рис. И.15,а соответствует так называемому пороговому переключению. Приложение к стеклу напряжения выше порогового (Уп) приводит к скачку вольт-амперной характеристики с ветви 1 на ветвь 2, что соответствует увеличению проводимости полупроводника примерно в миллион раз (состояние включено ). Если напряжение, приложенное к такому переключателю, находящемуся в проводящем состоянии, уменьшается до точки возврата, то стекло вновь переключается в состояние с малой проводимостью (ветвь /). Это соответствует состоянию выключено . [c.370]

Вольт-амперная характеристика р-и-перехода. Положительные значения напряжения U соответствуют падению внешнего потенциала на переходе от р-области к -области (т.е. стуации. представленной на рис. 121) [c.359]

Действие приёмников излучения с джозефсоновскими переходами (ДП) основывается на видоизменении нелинейных вольт-амперных характеристик (ВАХ) этих переходов под действием эл.-магн. излучения. На рис. 3 схематически представлена ВАХ ДЙ с непо-средств, проводимостью (мостик, точечный контакт) как в отсутствие, так.и при наличии внеш. излучения. [c.443]

Рис. 3. Вольт-амперная характеристика (ВАХ) джо-зефсоновокого перехода с непосредственной проводимостью. Сплошная кривая — ВАХ без действия излучения, нггрихован кривая — ВАХ при действии излучения, штрихпувктир — нагрузочная кривая. 1с — критический ток, Д V — изменение напряжения под действием излучения.

Рнс, 1. Вольт-амперна характеристика газовых разрядов АВ— весамостоятельный ра.зряд ВС—тёмный таунсендовский DE— нормальный тлеющий EF—аномальный тлеющий FG — переход в дугу G//—дуговой Е—нагрузочная прямая. [c.509]

Пример расчета полученной системы уравнений показан на рис. 7.10. Видно, что в данном случае дуга погасает после первого же перехода через нуль и далее идет колебательный процесс восстановления напряжения, обусловленный наличием в цепи даже весьма малой шунтируюш ей дугу емкости. Полученные дифференциальные вольт-амперные характеристики дуги могут бьпъ использованы также для расчета переходных процессов в цепях с дугами, питающимися от источников постоянного напряжения. [c.212]

Тиристор — управляемый элемент. Вольт-амперная характеристика триодного тиристора и схема его включения показаны на рис. 3.17. При подаче соответствующего напряжения на управляющий электрод тиристора он скачком переходит из закрытого состояния в открытое. То же самое может произойти и в том случае, когда управляющий ток /у = 0, а напряжение на тиристоре станет больше порогового напряжения Увкло. В открытом состоянии тиристор будет находиться и после снятия напряжения с управляющего электрода. Для закрытия тиристора сила тока, протекающего через него, или напряжение, приложенное к нему, должны стать меньше определенной величины. Основными параметрами тиристоров являются [c.468]

Это уравнение дает возможность рассчитать вольт-амперную характеристику для аккумулятоп-ных батарей любой емкости (изменяя п+) и напряжения (изменяя т). Вольт-амперная характеристика для случая, когда т=1 и п+ = 1 является единой для аккумуляторных батарей всех типов. Переход к конкретному типу аккумуляторной батареи осуществляется за счет изменения масштаба координатных осей (рис. 5). Уравнение для расчета силы тока замыкания батареи на одну положительную пластину имеет вид [c.25]

Из-за запирающего действия перехода п —рг вольт-амперная характеристика тиристора (рис. 24, б) имеет в проводящем направлении петлю ОВГ, участок ОВ которой соответствует весьма большому сопротивлению тиристора. Если напряжение источника 7 меньше напря- [c.54]

В квантовом магнитометре приращения магнитного потока, пронизывающего сверхпроводящий контур, осуществлялись ступеньками строго определенного значения - квантами потока. В рассматриваемом сэндвиче" четкими ступеньками — квантами потенциала - изменяется постоянное напряжение на переходе при плавном изменении амплитуды тока. Но даже при некотором дрейфе амплитуды тока можно заставить переход работать только на одной ступеньке вольт-амперной характеристики. Для этого достаточно облучать переход внешним электромагнитным полем на частоте, близкой к собственной частоте перехода. Джозефсоновское излучение как бы гипнотизируется излучением внешнего генератора, становится стабильным, а переход при этом выполняет функцию самого совершенного стабилизатора напряжения (разности потенциалов). [c.43]

С несколько иной точки зрения проблема перехода из одной формы разряда в другую была рассмотрена Бауэром [Л. 118], поставившим своей целью исследовать явления в переходной области между тлеющим разрядом и дугой, включая переход от термоэлектронной к холодной дуге. Эту область переходных явлений можно изобразить схематически в виде треугольника, в одной из вершин которого лежит тлеющий разряд, в другой — термоэлектронная дуга, а в третьей — холодная дуга. Опираясь на уравнение, выведенное в работе Морфи и Гуда [Л. 119] для электронной эмиссии металлов под совместным действием электрического поля и высокой температуры, автор смог вывести вольт-амперные характеристики дуги с вольфрамовыми электродами и сравнить их с экспериментальными кривыми. Им были определены также значения плотности тока для различных давлений и токов. При низких давлениях среды (ксенон) наблюдались явления, типичные для перехода тлеющего разряда в термоэлектронную дугу, а при высоких (20 ат и выше) — явления перехода к холодной дуге. Автор описал качественно механизм контракции разряда при переходе дуги, в котором важнейшая роль отведена резкой зависимости величины автоэлектронного тока от напряженности поля. Результаты работы хорошо объясняют ранее выполненные наблюдения над дугами с катодным пятном и без пятна и их взаимный переход [Л. 120]. [c.48]

Широко известны нелинейные модели биполярного транзистора, предложенные Эберсом и Моллом [14], Бьюфоу и Спарксом [15] и Линвиллом [16]. В первой из них статические вольт-амперные характеристики (ВАХ) переходов представлены экспоненциальными функциями напряжений на переходах, а инерционные свой- [c.56]

Задача 5-18. Объясните, используя распределение Больц.мана, выпрямляющую вольт-амперную характеристику р-п перехода (рис. 5-2-16). [c.333]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...