Вольт-амперные характеристики диодов

Два последних вывода можно обобщить, построив зависимость между разностью потенциалов и и током I (рис. 5.13), представляющую собой вольт-амперную характеристику диода, которым в сущности и является р-п-переход. В идеальном диоде результирующий ток равен разности токов основных и неосновных носителей [c.99]

Рис. 1. Теоретическая вольт-амперная характеристика диода при двух различных температурах (Т, и Гг) катода I—-область объёмного злектронного заряда II — область токов насыщения.

Определить прямые вольт-амперные характеристики диодов с реальными р — -переходами. [c.84]

Характеристики силовых диодов, применяемых в схемах автоматических противокоррозионных устройств, целесообразно снимать на специальных стендах, обеспечивающих качественное определение параметров вентилей. Наиболее важно установить у каждого вентиля пороговое напряжение, сопротивление, обратный ток, а также проверить класс вентиля по среднему прямому падению напряжения. Схема стенда для снятия прямой ветви статической вольт-амперной характеристики диодов должна [c.32]

Обратные ветви статической вольт-амперной характеристики диодов целесообразно снимать по схеме рис. 15, а. Здесь переменное напряжение 50 г , регулируемое лабораторным автотрансформатором 1, подается на повышающий трансформатор 2 с коэффициентом трансформации 1 10. Выпрямленное напряжение после выпрямителя 3 фильтруется П-образным фильтром (Сь Сг Ьф) и через ограничительное сопротивление Я = 20 ком подается на испытуемый вентиль ИВ [3]. [c.33]

Рис. 129. Вольт-амперная характеристика диода

Вольт-амперная характеристика диода условно разделяется на три области область насыщения и две области пробоя. В области насыщения ток насыщения, проходящий через диод, очень. мал и практически не зависит от приложенного напряжения. В двух областях пробоя (в прямом и обратном направлениях) ток через диод нарастает очень быстро при незначительном превышении порогового напряжения Uq — в прямом направлении и пробивного на- [c.8]

Вакуумные камеры для электроннолучевой сварки 193 Вентильный генератор 18 Внешние характеристики выпрямителя 66 источника питания 13 трансформатора 33 Возмущения 136 Вольт-амперные характеристики диодов 53—55 сварочной дуги 6—9, 12 Выпрямители сварочные 53—81 выбор 80, 81 [c.203]

Схема включения и вольт-амперная характеристика диода, выражающая зависимость тока, проходящего через диод, от величины и полярности приложенного к нему постоянного напряжения, показаны на рис. 13. В положительном (прямом) направлении диод Д проводит большой ток с малым падением напряжения и р, а в обратном направлении — малый ток / бр с большим падением напряжения При достаточно большой обратном напряжении, называемом пробивным / <,6, наблюдается резкое увеличение обратного тока. [c.34]

Непосредственное преобразование переменного тока в постоянный с помощью полупроводниковые выпрямительных диодов применяется редко из-за значительной нелинейности вольт-амперных характеристик диодов и их низкой температурной стабильности. От этих недостатков можно избавиться, использовав схему операционного усилителя (рис. 17). Измеряемое напряжение через рез - [c.16]

Рис. 13-28. Вольт-амперная характеристика диода, устойчивого к перенапряжениям ( /пор — пороговое напряжение).

С т а ф е е в В. И., Влияние сопротивления толщи полупровод ника на вид вольт-амперной характеристики диода, ЖТФ, т. ХХУП 1958, вып. 8. [c.301]

Математическая модель диода основана на аппроксимации вольт-амперной характеристики р-п-перехода [c.90]

При наложении внешнего напряжения в проходном направлении возникает обычный диодный небольшой ток. Однако ввиду того что по разные стороны перехода, разделенного потенциальным барьером, энергии носителей одинаковы, возникает туннельный эффект (см. 29), в результате которого носители проникают через потенциальный барьер на другую сторону от перехода без изменения энергии. Благодаря этому через переход течет более значительный ток. При дальнейшем увеличении разности потенциалов энергия электронов в и-области у перехода увеличивается, а в /j-области - уменьшается (рис. 126,6) и область перекрытия примесных уровней начинает уменьшаться. В результате этого сила тока начинает уменьшаться. Максимум силы тока достигается при наиболее полном перекрытии зон (рис. 126, а). Когда примесные зоны сдвигаются друг относительно друга настолько, что каждой из них на другой стороне перехода противостоит запрещенная зона (рис. 126,6), туннелирование становится невозможным и сила тока через переход уменьшается. При достаточно больших разностях потенциалов зоны проводимости п- и /7-областей оказываются почти на одном уровне (рис. 126, в) и становится возможным возникновение обычного диодного тока. Сила тока начинает снова возрастать. Вольт-амперная характеристика туннельного диода показана на рис. 127. [c.361]

Вольт-амперная характеристика туннельного диода [c.362]

Рис. 5.2. Вольт-амперная характеристика туннельного диода.

В работах [12, 28] изучалось поведение германиевых и кремниевых диодов Исаки под действием облучения быстрыми нейтронами. При низком прямом напряжении в характеристиках диодов Исаки обнаружен пик тока, обусловленный туннельными переходами электронов из зоны проводимости в валентную зону. Так как этот эффект не зависит от времени жизни носителей, то влияние излучения может привести только к уменьшению плотности ионизированных доноров и акцепторов. Подсчитано, что для существенного изменения вольт-амперных характеристик устройств с высокой начальной концентрацией доноров и акцепторов на основе такого механизма требуется интегральный поток быстрых нейтронов порядка 101 нейтрон 1см . [c.301]

Рис. 6.4. Зависимость вольт-амперной характеристики германиевых диодов Исаки от интегрального потока быстрых нейтронов, IQi нейтрон см .

Рис. 6.5. Вольт-амперные характеристики кремниевых диодов Исаки до (кривая 4) и после облучения интегральным потоком быстрых нейтронов, X 10 нейтрон/см 1—9 2—6 J—3.

Рис. 12.10. Фотоприемник с р—я-переходом а — диод, р-область которого облучается светом б — зонная диаграмма р—я-перехода диода, показывающая возникновение фото-э.д. с. в — вольт-амперная характеристика освещенного р—я-перехода при различных мощностях светового потока

ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ЭФФЕКТЫ — скачкообразный обратимый переход полупроводника (или полупроводниковой структуры) из высокоомного состояния в низкоомное под действием электрик, поля, превышающего пороговое значение п = Ю —Ю В/см, П. э. наблюдаются в полупроводниках, у к-рых вольт-амперная характеристика (ВАХ) имеет участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Такой характер ВАХ обусловлен формированием электрик, доменов (для ВАХ А-типа см. Ганна аффект, Ганна диод) или токовых шнуров (для ВАХ iS-типа см. Шнурование тока). [c.558]

Рис. 6.6. Вольт-амперные характеристики диода Исаки из арсенида галлия (5GE-2) до облучения (кривая А) и после облучения интегральным потоком быстрых нейгропов, нейтрон см

МИ долями вольта. С другой стороны, ограничивающие ток сопротивления R выбирались настолько большими, что рабочая область токов диода целиком укладывалась в слаботочную экспоненциональную часть характеристики диода, соответствующую отрицательным потенциалам анода относительно катода. Использованная часть вольт-амперной характеристики диода 6X6 приведена в полулогарифмическом масштабе на рис. 7. Как можно видеть из этого рисунка, при изменении тока во всей широкой области рабочих токов 2,4 10 —разность потенциалов на электродах диода Ua изменяется всего лишь на 0,6 в. С целью дальнейшего снижения влияния нелинейных членов [c.80]

Рис. 7. Вольт-амперная характеристика диода типа 6Х6С в области малых токов.

В-третьих, этот резистор используется в качестве обратной связи для компенсации уменьшения выходного напряжения при повыщении тока нагрузки. Из вольт-амперных характеристик диодов, используемы для реле обратного тока (см. рис. 2), видно, что с увеличением тока падение напряжения на диодах увеличивается. Так как регулятор поддерживает постоянный уровень напряжения на якоре генератора, то напряжение на нагрузке будет изменяться в зависимости от падения напряжения на диодах реле обратного тока. Для компенсации этого изменения используется резистор 6 С этой целью измерительный элемент регулятора напряження включают так, чтобы напряжение на якоре генератора было выше на значение падения напряжения на резисторе / б- Поскольку при увеличении тока нагрузки, как правило, увеличивается ток возбуждения, то при этом будет увеличиваться и падение напряжения на резисторе Кд- Задача сводится к правильному выбору сопротивления резистора для данного типа генератора и диодов реле обратного тока. [c.32]

Диоды Гаииа имеют однородную полупроводниковую структуру (без перехода) с невыпрямляющими контактами выводов. Вольт-амперная характеристика диода Ганна, снятая на постоянном токе, в начальной части подобна характеристике обычного резистора. На СВЧ диод Ганна обладает отрицательным сопротивлением. Появление отрицательного сопротивления на отдельных определенных частотах СВЧ диапазона обусловлено объемными эффектами, возникающими при высокой напряженности электрического поля в некоторых полупроводниковых материалах (арсенид галлия). Упомянутые эффекты были обнаружены в 1963 г. английским физиком Д. Ганном, установившим, что при приложении электрического поля, превышающего некоторое критическое значение, к произвольно ориентированным однородным образцам с двумя омическими контактами во внешней цепи возникают колебания тока. Период колебаний приближенно равнялся времени пролета электронов от катода к аноду, и для использованных Ганном образцов частота колебаний лежала в СВЧ диапазоне. Полученные впоследствии объяснения этому эффекту говорят о том, что колебания в полупроводнике и отрицательное сопротивление диода определяются возбуждением носителей высоким напряжением, которые за счет возбуждения переходят из низколежащей долины зоны проводимости, где их подвижность велика, в обычно незаполненную долину, где их подвижность мала. [c.93]

Германий применяется для изготовления выпрямителей переменного тока различной мощности, транзисторов разных типов. Из него изготовляются преобразователи Холла и другие, применяемые для измерения напряженности магнитного поля, токов и мощи сти, умножения двух величин в приборах вычислительной техники и т. д. Оптические свойства германия позволяют использовать его для фототранзисторов и фоторезисторов, оптических линз б большоГ светосилой (для инфракрасных лучей), оптических фильтров, модуляторов света и коротких радиоволн. Внутренний фотоэффект в германии наблюдается и при поглощении средних и быстрых электронов, а также при торможении элементарных частиц больших масс. Так, при поглощении а-частицы отмечается импульс тока продолжительностью около 0,5 МКС, соответствующий прохождению 10 электронов. Поэтому германий может быть использован и для изготовления счетчиков ядерных частиц. На рис. 8-18 приведена вольт-амперная характеристика мощного германиевого выпрямителя б воздушным охлаждением. Рабочий диапазон температур германиевых приборов от —60 до -f70 °С при повышении температуры до верхнего предела прямой ток, например у диодов, увеличивается почти в два раза, а обратный — в три раза. При охлаждении до —(50—60) °С прямой ток падает на 70—75 %. [c.255]

Семнадцать типов полупроводниковых диодов и выпрямителей были подвергнуты облучению двумя последовательными импульсами излучения реактора TRIGA. В результате сравнения вольт-амперных характеристик до и после облучения были исследованы остаточные изменения, вызванные этим излучением [60]. Облучение привело к ожидаемому увеличению падения прямого напряжения (табл. 6.7), а также прямого и обратного сопротивления образцов. [c.299]

Впоследствии аналогичные результаты были получены и тщательно изучены при облучении кремниевых и германиевых диодов электронами с энергиями соответственно 0,8 Мэе [21, 54] и 7 Мэе [55]. Эти данные хорошо объясняются механизмом появления провала тока, предложенным Яджима и Исаки [87], согласно которому туннельные эффекты обусловлены примесями или, как в данном случае, энергетическими уровнями дефектов, находящимися внутри запрещенной зоны. Поведение вольт-амперных характеристик германиевых и кремниевых диодов Исаки (см. рис. 6.4 и 6.5) качественно согласуется с вышеуказанным механизмом для провала тока. Было замечено, что кремниевый диод более чувствителен к нейтронному облучению, чем германиевый. [c.301]

Диоды Исаки из германия, кремния и арсенида галлия облучали быстрыми нейтронами [67]. Тепловые нейтроны были существенно ослаблены кадмиевым экраном толщиной 1,016 мм. Сравнение измерений, проведенных вне и внутри реактора, показало, что влияние облучения на диоды незначительно. Вольт-амперные характеристики измерялись при 40° С после различных доз облучения. На рис. 6.6—6.8 представлены семейства вольт-ам-перных характеристик диодов Исаки из арсенида галлия (GaAs), германия и кремния соответственно при различных интегральных потоках нейтронов. [c.302]

Рис. 6.8. Вольт-амперные характеристики кремниевого диода Исаки 28GE-2 до облучения (кривая А) и после облучения интегральным потоком быстрых нейтронов, нейтронI Mh в —3,3-10 С — D —3,310 Е —

Благодаря использованию транзисторов с высоким коэффициентом усиления и каскодных схем включения удается исключить дополнительный источник питания, а питание базовой цепи производить от напряжения на данном элементе. Опорный сигнал для питания базы в такой схеме снимается с кремниевого диода в прямом включении (рис. 27). Нелинейные элементы, построенные по такой схеме, имеют вольт-амперные характеристики, которые образуют семейство параболических кривых. Для настройки этих характеристик служат резисторы R2, R3, R4 и R5. Проведены испытания схемы с различными типами транзисторов, цель которых — исследование погрешности элементов от временного дрейфа и температуры, изучение стабильности нелинейной характеристики и точности аппроксимации заданных кривых вольт-амперными характеристиками нелинейного элемента [206]. [c.106]

Для нелинейного усилителя, описываемого ур-нием (4), аналогом рис. 4 является А-образная вольт-ампер-ная характеристика, содержащая падающий участок. В ряде устройств полупроводниковой электроники Ганна диод, туннельный диод и Др.) аналогичный А-образный вид вольт-амперной характеристики реа-ЗоО лизуется благодаря положительной О. с., возникающей [c.386]

РЕГЕНЕРАЦИЯ (от поэднелат. regeneratio — возрождение, возобновление) в радиофизике — компенсация потерь динамической системы за счёт подключения К ней источника энергии и устройства, регулирующего связь между ними. Для Р. используются двухполюсники с падающей вольт-амперной характеристикой (нек-рые газоразрядные приборы, туннельные диоды) или цепь положит, обратной связи. Возможна параметрич. Р., возникающая в колебат. системе при периодич, изменении одного из её энергоёмких элементов (ёмкость, индуктивность) (см. Параметрическая генерация и усиление электромагнитных колебаний). Полная компенсация потерь приводит к возбуждению автоколебаний, неполная — к возрастанию времени затухания свободных колебаний в системе. [c.300]

Нелинейным элементом в С. с. могут служить тун-.нельные диоды, четырёхслойные полупроводниковые диоды Е др. устройства, имеющие падающий участок вольт-амперной характеристики. С. с, применяются в устройствах автоматики, измерит, и вычислит, техники для запоминания и хранения информации. В совр. аппаратуре преим. используют триггеры на транзисторах и интегральные микросхемы триггеров (см. Логические схемы). С. с. также называют устройства, имеюпще больше двух устойчивых состояний (вапр., параметров) или одно устойчивое и одно ме-тастабильное состояние (см. Одновибратор). [c.654]

СТАБИЛИТРОН (от лат, э1аЬШз — устойчивый, постоянный) полупроводниковый — полупроводниковый прибор, предназначенный для стабилизации напряжения в электрич. цепях (см. Стабилизация тока и напряжения). Представляет собой диод, работающий при обратном напряжении вольт-амперная характеристика (ВАХ) С. (рис.) имеет участок с очень слабой зависимостью напряжения от тока (диффе- у—----------- о [c.659]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...