Диоды Параметры

Полупроводниковые диоды. Параметры, методы измерений . Под ред. Н. И. Горюнова, Ю. Р Носова Изд-во Советское радио , 1968. [c.243]

Параметры диода. Параметрами диода называются величины, характеризующие его свойства и позволяющие решать вопрос о применении диода для тех или иных целей. Некоторые из этих величин нам известны. К ним относятся напряжение накала Ык, ток накала / , ток эмиссии катода /=,. Другие параметры, как-то крутизна характеристики, внутреннее сопротивление будут рассмотрены ниже. [c.90]

Достоинством полупроводникового диода являются малые размеры и масса, длительный срок службы, высокая механическая прочность, высокий коэффициент полезного действия, а недостатком — зависимость их параметров от температуры. [c.159]

Для диода задаются пять параметров [c.167]

Параметрические диоды (ПД1 отличаются исключительно малой инерционностью дисперсия в них отсутствует до частот порядка 10 Гц. При расчетах параметрических усилителей (генераторов) параметрический диод заменяется эквивалентной схемой, показанной на рис. 4.13 и справедливой для большинства типов ПД в любых рабочих диапазонах частот, включая СВЧ. Здесь через Я обозначено сопротивление потерь, —емкость монтажного патрона, — паразитная индуктивность вводов. В диапазоне СВЧ типовые параметры ПД следующие Сд от 1 до 0,1 пФ, Я от 10 до 1 Ом, = 0,1 нГн, С от 1 до 0,5 пФ (вторые значения относятся к ПД высокого качества). [c.153]

Возможно также осуществление балансных схем (рис. 4.18, 4.19), в которых подбором соответствующих элементов можно добиться практически полной компенсации э.д.с., наводимых на частоте накачки 2со в системы, и рассматривать последние как колебательные цепи с периодически изменяющимися параметрами. В первой схеме (см. рис. 4.18) происходит периодическое изменение индуктивности с частотой 2ш во второй (см. рис. 4.19) — периодическое изменение емкости, образованной двумя запертыми р — п-переходами в полупроводниковых диодах, также с частотой внешнего воздействия (накачки) 2(о. Предположим теперь, что условия параметрического возбуждения выполнены, и тогда амплитуда любого малого колебания с частотой, удовлетворяющей соот- [c.160]

Высокую чувствительность измерения температуры обеспечивают и другие полупроводниковые приборы — диоды и транзисторы. В качестве термометрического параметра используется, например, напряжение эмиттер-база при постоянном токе эмиттера. Чувствительность при этом составляет примерно 2,5 мВ/К, что на порядки превышает аналогичный показатель для термопар. [c.116]

К числу существенных недостатков германиевых вентилей относится невысокая рабочая температура рабочий диапазон от — 50 до + Ж С при длительном воздействии температуры выше + 60° С в них проявляется тепловое старение, приводящее к ухудшению электрических параметров при низких температурах наблюдается значительное понижение обратного сопротивления. Кремниевые выпрямители могут работать при температуре до -1- 200° С. С точки зрения работы при высоких частотах кремниевые диоды имеют перед германиевыми преимущества, заключающиеся в большей чувствительности к слабым сигналам (пороговое напряжение у первых 0,01 В, у вторых от 0,1 до 0,25 В). Характеристики кремниевых вентилей, возможность получения больших выпрямленных мощностей в установках малых габаритов, особенно при использовании искусственного охлаждения, делают их исключительно прогрессивными. Поскольку кремний и германий являются элементами IV группы таблицы Менделеева, дырочная проводимость в них создается примесями элементов третьей группы, а электронная — элементов пятой группы. Для кремниевых полупроводников часто применяют алюминий, бор, для германиевых — индий в качестве акцепторной примеси мышьяк и сурьма (элементы V группы) — в качестве донорных примесей. [c.284]

В этом случае получим систему, состоящую из отдельных частей, надежность которых задана или может быть определена [43]. Анализ надежности таких систем, как правило, более прост (см. гл. 4, п. 2), поскольку элементы работают как независимые и для обеспечения надежности системы необходимо и достаточно обеспечить безотказную работу каждого элемента в отдельности. Такие системы более характерны для радиоэлектроники, где отдельные элементы, выполненные в виде транзисторных приборов, диодов, сопротивлений, конденсаторов, сельсинов и т. д., имеют самостоятельные функции (как часто можно условно считать) и должны обеспечивать значения выходных параметров в определенном диапазоне, независимо от параметров других элементов. Заменой отказавшего элемента восстанавливается работоспособность системы. [c.179]

Большинство наблюдений, касающихся влияния излучения на транзисторы, применимо к полупроводниковым приборам диодного типа. Попытки сделать четкий качественный анализ влияния излучения на диоды были ограничены отсутствием информации о влиянии излучения на такие параметры, как время жизни носителей, удельное электросопротивление и подвижность носителей в базовой области приборов. Экспериментальные данные по диодам и выпрямителям (исключая туннельные диоды) показывают, что излучение всегда увеличивает прямое сопротивление и уменьшает время переключения этих приборов. Поведение обратных характеристик не всегда подчиняется обычным правилам, но обратный ток в результате облучения обычно увеличивается. [c.293]

Параметры кремниевых диодов, используемых в катодных станциях [c.119]

Импульсные свойства. Другой весьма широкой областью применения полупроводниковых диодов являются импульсные схемы радиоэлектроники, вычислительной техники и автоматики. Основ- ным параметром, определяющим пригодность диодов для этой цели, является их быстродействие, характеризуемое длительностью переключения р—/г-перехода с прямого смещения на обратное и, наоборот, с обратного на прямое. [c.229]

Рис.. 9. Влияние параметров характеристики силы резания на амплитуду и частоту бокового цикла в модели без ограничивающих диодов. Не указанные коэффициенты I) = 0,22 S = 0,13 Я = 34,6. Для системы (а) В = 0,065 (б) — В = 0,13 (в) — В = 0,23 (г) —

С момента запуска схемы с блока управления ( j,e) и на всем протяжении участка работа значения настраиваемых параметров зафиксированы благодаря замкнутым контактам блока сравнения (х — 1) <С 0. Кроме того, один из параметров фиксируется дополнительно по параллельной цепи через контакты реле-искателя, которое при этом обесточено. Диоды Dg предназначены для развязки цепей (при наличии достаточного числа свободных контактов блоков сравнения х — 1 и и — О ставить диоды нет необходимости). В период настройка цепь фиксации обоих параметров через блок сравнения х 1 размыкается и начинается подстройка одного из них, в то время как другой по-прежнему фиксируется через контакты реле-искателя счетчика тактов. [c.28]

Интересно отметить, что, начиная с 50-х годов, исследованиям колебательных систем с переменными параметрами было уделено большое внимание в области автоматического регулирования, электротехники и особенно радиотехники в связи с созданием полупроводниковых диодов с управляемой емкостью и разработкой параметрических усилителей [41—47]. [c.10]

Параметры диодов приведены в табл. 34. [c.361]

Параметры некоторых отечественных диодов [c.362]

Существенный недостаток полупроводниковых диодов всех типов — зависимость их параметров от температуры. [c.246]

ОРГРЭС рекомендует следующие параметры схемы сопротивления Ri—400 ом, 25 вт диоды Di—D4 марки Д-205 конденсаторы i—С4 марки ЭФ 1 300 мкф, 300 е вольтметр М-364. [c.225]

До сих пор речь шла только о нижнем пределе допуска. Очевидно, некоторые параметры, такие, как обратный ток диода, могут по мере старения диода увеличиваться. В таких случаях достаточно учитывать только верхний предел. Бывают случаи, когда изменения вниз и вверх одинаково возможны, тогда необходимо анализ проводить с учетом как нижнего, так и верхнего допустимых пределов. [c.253]

Испытания и измерение контролируемого параметра всех трех типов туннельных диодов проводилось по схеме, приведенной на рис. 1. Контролируемым параметром являлось падение напряжения на туннельном диоде. Измерения величины контролируемого параметра производились после того, как туннельные диоды были вынуты из камеры тепла и выдержаны в нормальных условиях не менее 10 часов. Температура окружающей среды в период испытаний поддерживалась равной Ч-70° 5°С. Допустимое изменение величины контролируемого параметра для туннельных диодов [c.225]

V — вольтметр Н — нагрузочное со противление (200 ом) Т. Д.—туннельный диод и — контролируемый параметр [c.226]

После первых 200 часов наблюдалось значительное отклонение величины контролируемого параметра от его первоначального значения. За последующие 200 часов величина контролируемого параметра для больщинства диодов стабилизировалась, но была значительно ниже допустимой. [c.229]

После анализа подсчитано, что диоды, у которых величина контролируемого параметра отклонилась от своего первоначально- [c.229]

Схема испытаний и схема измерений контролируемого параметра аналогичны принятым при проведении испытаний диодов Р-6 и Р-14. [c.230]

Технические требования к надежности деталей и компонентов должны быть возможно более простыми. Они обычно оговаривают необходимость работы в течение определенного периода времени при заданных окружающих условиях, наиболее важные характеристики, требуемые испытания и сроки периодических проверок, производимых заказчиком. Однако если требуемые детали или компоненты являются принципиально новыми по своей конструкции или принципу действия или если надежность всей системы в целом чрезвычайно критична к параметрам этих компонентов, то обычно необходимо разработать значительно более детальные требования. Пример таких требований, сформулированных в одной программе обеспечения высокой надежности диода, приводится ниже. По соображениям секретности количественные значения выбраны произвольно. [c.214]

При включении магнитоуправляемых контактов на индуктивную нагрузку, что встречается в схемах наиболее часто, для защиты их от повреждения используют искрогасительные цепочки. Последние выполняют обычно из подключаемых параллельно нагрузке последовательно соединенных сопротивления и емкости (КС-цепочкн) или сопротивления и диода. Параметры этих контуров выбирают из расчета, чтобы перенапряжения, воникающие на контакте при размыкании, не превышали 200 В, а пики тока при включении — 100 мА. [c.226]

Наряду с ТС для измерения низких температур разработаны термодиоды из Ge, Si, QaAs. Термометрическим параметром таких термометров является напряжение на диоде, смещенном в прямом направлении [46]. [c.179]

Для того чтобы обеспечить компенсацию потерь или пополнение запаса колебательной энергии в системе должен содержаться внутренний источник в сочетании с устройством, преобразующим энергию этого источника в требуемую форму (батарея с электронной лампой, батарея с туннельным диодом, источник тока с газоразрядным прибором, генератор напряжения или тока определенной частоты, вызывающий изменение энергоемкого параметра во времени и т. д.). [c.144]

Однако в природе существуют и искусственно могут быть созданы элементы, параметры которых зависят не от мгновенных значений координат, а от амплитудных значений. Такие элементы (устройства) называются инерционными нелинейностями, ибо они принимают соответствующие значения не сразу, а через определенное время, называемое постоянной времени того или иного элемента. В 4.5 описан одноконтурный параметрический генератор с автосмещением, в котором действующее значение емкости контура, содержащего полупроводниковый диод с цепочкой автосмещения, определяется не мгновенными значениями генерируемых колебаний интересующей нас величины, а ее амплитудой, и устанавливается это значение емкости через время, равное постоянной времени цепи автосмещения. [c.211]

Широкое распространение в бетатрон-ной и рентгеновской дефектоскопии получили схемы, основанные на измерении разности усредненных с помощью диодов и интегрирующих звеньев импульсов первого и второго сцинтилля-ционных детекторов (рис. 7). Существенным недостатком этих схем является необходимость выбора параметров интегрирующих звеньев строго одинаковыми. В противном случае при нестабильно работающем ускорителе точность определения степени дефектности контролируемого изделия не люжет быть высокой. Этот недостаток устраняется при сравнении амплитуд импульсов сцинтилляционных детекторов, пропорциональных дозе в импульсе излучения с их предварительным преобразованием, которое осуществляется с помощью зарядного устройства и ключа (рис. 8). Управление ключом производят таким образом, чтобы длительность получаемых импульсов равнялась половине периода следования импульсов излучения. Благодаря предварительному преобразованию формы импульсов сцинтилляционных детекторов повышаются быстродействие и помехоустойчивость дефектоскопов как при вычитающей схеме, так и при схеме измерения отношения. [c.378]

Измерители диэлектрических характеристик (диэлектрической проницаемости и тангенса угла потерь) типа 7004, созданные в Институте механики полимеров АН Латвийской ССР, основаны на измерении параметров выносного резонансного контура, в который включен ЭП. Частота колебаний и напряжение контура автоматически поддерживаются постоянными. Изменение емкости A fe и проводимости AGft контура после внесения объекта контроля в электрическое поле ЭП компенсируется с помощью варикапа и туннельного диода. Диэлектрическая проницаемость и тангенс угла потерь материала [c.172]

Определяя срок годности полупроводникового прибора, нужно учитывать назначение всей схемы или конкретную функцию данного прибора. Выход из строя прибора обычно вызывается не внезапным, а постепенным изменением его характеристик под действием облучения. За точку разрушения принимается доза облучения, при которой параметры прибора изменяются так, что они выходят за пределы конкретных допусков, определяемых его назначением. В большинстве случаев применение выпрямителей и диодов обш,его назначения возможно при довольно широких допусках на свойства. Опорные элементы Зенера относятся к разряду диодных конструкций, назначение которых в цепи требует очень жестких допусков на изменение опорного напряжения Зенера. [c.298]

Рассмотрим, какими процессами, протекающими в р—/г-переходе, определяется этот параметр. На рис. 8.17, а схематично показано распределение основных и неосновных носителей в р- н -областях полупроводника при равновесном состоянии р—и-перехода. При подаче на диод прямого смещения V потенциальный барьер перехода понижается на величину qV и поток основных носителей через р—п-переход увеличивается в ехр qVIkT) раз, вследствие чего концентрации дырок у границы 2 /г-области и электронов у гра- [c.229]

Светодиоды используются также в качестве малогабаритных светошк индикаторов. В этом случае одним из основных параметров светодиода является его яркость как она воспринимается человеческим глазом. Выбирая для светодиода полупроводники с различной шириной запрещенной зоны, можно получать различный цвет свечения диода. [c.333]

Существенным недостатком полупроводниковых лазеров является сильная зависимость их параметров от температуры. С повышением температуры, происходящим из-за разогрева диода значительным прямым током, изменяется ширина запрещенной зоны, что приводит к изменению спектрального состава излучения и смещению его максимума в сторону длинных волн.Но главное состоит в том, что с увеличением температуры резко растет пороговый ток /пор. так кяк при неизменном токе инжекции и, следовательно, при неизменной концентрации инжектированных носителей вблизи р — ft-перехода их распределение rio энергиям становится более размытым—увеличивается интервал энергий, по порядку равный йТ, в пределах которого распределяются свободные носители заряда в энергетических зонах. Так как коэффициент усиления света зависит от степени заполнения электронами и дырками состояний соответственно в зоне проводимости и в валентной зоне, то при том же уровне нн-жекции коэффициенты усиления падают с ростом температуры. Это означает, что для достижения порогового значения коэффициента усиления при повышенных температурах требуется больший пороговый ток /пор- Поэтому проблема отвода тепла or р — ft—перехода для полупроводниковых лазеров имеет первостепенное значение. [c.343]

Появление спутниковой, тропосферной, космической связи и глобального радио- и телевещания на сверхвысоких частотах, сверхдальней радиолокации, радиоастрономии, радиосиектросконии потребовало создания радиоприемных устройств с ничтожно малым уровнем шума. Новые возможности в этом отношении открылись перед радиотехникой в связи с достижениями в области изучения свойств различных веществ при глубоком их охлаждении и в связи с освоением новых методов построения радиоприемных схем. В результате этого в 50-х годах появились идеи создания параметрических и квантовых парамагнитных усилителей. Такие схемы обычно охлаждают с помощью жидкого азота, а в последнее время — жидкого гелия. Современные параметрические усилительные схемы осуществляются на основе использования для изменения параметров схемы диодов, ферритов, полупроводников и других нелинейных элементов. Квантовые парамагнитные усилители в настоящее время строятся на двух нринцинах. В первом из них взаимодействие волны слабого сигнала с усиливающим парамагнитным веществом происходит в объемном резонаторе (усилители резонаторпого тина), а во втором — в замедляющих волноводах (усилители бегущей волны). Все эти устройства мало похожи на привычные радиоприемники и пока еще достаточно сложны в осуществлении и эксплуатации, но зато их чувствительность может быть доведена до 10 вт. [c.380]

Кроме того, молибденовый эмиттер ядерного ТЭП должен иметь также высокую чистоту, так как примеси во многих случаях являются причиной снижения выходных параметров ТЭП при длительных испытаниях. Такая деградация эмиссионных свойств может вызываться миграцией примесей на поверхность с изменением работы выхода, а также сегрегацией примесей на границах зерен с появлением микротрещин, которые нарушают герметизацию или увеличивают тепловое и электрическое сопротивление. Молибден наиболее пригоден также для анодов коллекторов ядерных ТЭП [150]. При этом все горячие детали ТЭП из молибдена должны тщательно дегазироваться, так как растворенные газы могут не только изменять работу выхода электронов, но также участвовать в транспортных реакциях, с помощью которых происходит перенос материала эмиттера на анод, что и является причиной постепенной деградации и закорачивания преобразовательного диода. Более подробнЬ все эти требования к применению молибдена в ТЭП будут рассмотрены в следующей главе. [c.17]

После того как определены критерии отказов схемы, в соответ ствии с программой вариации параметров требуется установить пре делы изменения и число контрольных точек в этих пределах для каждого параметра элемента (фиг. 1.19). Хотя выбранные пределы должны быть шире допустимых пределов ухудшения для обеспечения достаточной информации для перерасчета, вместе с тем они не должны быть слишком широкими, чтобы не тратилось излишнее машинное время. Кроме того, число контрольных точек должно быть достаточным для того, чтобы можно было полно описать характеристику распределения отказов. Например, если объемный резистор в схеме (Ri или R2 на фиг. 1.16) имеет допустимые пределы изменения -Ь5%, —8%, а для данного анализа взяты пределы 20%, то при 40 точках получится шаг, равный 1%, и, следовательно, достаточная разрешающая способность (1%). Но диод в непроводящем состоянии будет иметь очень большое сопротивление на фиг. 1.17), поэтому дальнейшее увеличение этого сопротивления в процессе анализа не даст ничего нового и пределы изменений параметра этого элемента, возможно, должны быть +0%, -99%. [c.47]

Контроль нестабильностей высокого напряжения в диапазоне 1 Гц—20 МГц, начиная с милливольт, осуществлялся контрольным осциллографом КО. Калибровка измерительной схемы по току и контроль АЧХ тракта в низко частотной области выполнялись калибровочным генератором КГ. В целях предохранения тракта от токовых перегрузок, возникавших при пробое анодно-катодного промежутка диода, на выходе усилителя включена схема малоемкостной быстродействующей защиты 3. Количественные измерения нестабильности тока автокатодов в НЧ—ВЧ области осуществлялись с помощью измерителя дисперсии ИД, который позволял измерять по принятым для описания случайных процессов параметрам дисперсию, среднеквадратичное сг и относительное среднеквадратичное отклонение а/1 — среднее значение эмиссионного тока автоэмиттера). Величина и/1 является параметром, характеризующим стабильность тока автоэмиттера. [c.91]

Привариваемый термоэлектрод закрепляется в обойме, соединенной с клеммой Т. Напряжение на выходных зажимах может достигать 500 В, а разрядный ток при сварке достигает 1000 А. Аппарат позволяет вести приварку электродов диаметром до 1 мм. ОРГРЭС рекомендует следующие параметры схемы сопротивления Ri—Rt 400 Ом, 25 Вт диоды Д4 марки Д205 конденсаторы l—С4 марки ЭФ (1300 мкФ, 300 В) вольтметр М-364. [c.78]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...