Проникающие излучения и их источники

ПРОНИКАЮЩИЕ ИЗЛУЧЕНИЯ И ИХ ИСТОЧНИКИ [c.247]

Гамма-дефектоскопия может быть, использована для контроля металла толщиной до 300 мм. С одной стороны помещают источник излучения (обычно кобальт-60), с другой стороны — сверхчувствительную пленку, которая засвечивается гамма-излучением, прошедшим через металл. На заснятых пленках газовые раковины в отливках выглядят в виде затемнений благодаря меньшей толщине слоя металла с четким очертанием контура, усадочные раковины — со слабо выраженным очертанием, трещины выглядят как интенсивные темные ломаные линии и т. д. Путем просвечивания проникающим излучением может быть выявлена ликвация металла. Ценным свойством гамма-дефектоскопии является возможность установления наличия дефектов в сварных швах и выявление их характера, непровар, трещина, газовая или шлаковая раковина. [c.214]

Влияние нежелательного рассеянного излучения на общий сигнал является сложной функцией размеров и положений коллиматоров источника и детектора, толщины и положения ОК, а также энергии фотонов проникающего излучения. Это влияние можно минимизировать за счет использования коллиматоров с максимальным отношением их длин к диаметрам и установки максимального фокусного расстояния. [c.109]

Основные трудности всех перечисленных методик связаны с необходимостью учета неупругих и многократных столкновений. В этом отношении значительно проще метод дифракции рентгеновских лучей. Рентгеновский фотон слабо взаимодействует с атомами и поэтому испытывает только однократные столкновения. С этим связана высокая проникающая способность таких фотонов, что не позволяет использовать их для диагностики периодической структуры тонких приповерхностных слоев кристалла. Ситуация несколько изменится, если использовать скользящие лучи (угол к поверхности < 0,1 мин) и монохроматическое электромагнитное излучение. Особенно эффективны для этих целей источники синхротронного рентгеновского излучения. "Малоугловой метод рентгеновской дифракции дает ценные сведения о неоднородностях структуры, размеры которых существенно превышают длину волны излучения и составляют от долей до сотен нм. [c.135]

Физические основы гаммаграфирования. Гамма-лучи представляют, собой коротковолновые электромагнитные колебания, вызванные радиоактивным распадом ядер естественных V-Ш искусственных радиоактивных веществ. Основным их преимуществом является высокая проникающая способность излучения, малый размер и относительно низкая стоимость источника по сравнению со стационарными источниками рентгеновских лучей, независимость от источников электрического питания н водоснабжения, пониженная контрастность изображения, что позволяет при одной величине экспозиции просвечивать детали с широким диапазоном толщин. [c.369]

Гамма-лучи являются коротковолновыми электромагнитными волнами, излучаемыми радиоактивными источниками. Они используются для измерения уровня чаще, чем другие виды ядерных излучений из-за их высокой проникающей способности. Эти лучи поглощаются, проходя через среду. Количество поглощенного излучения зависит от длины пути этих лучей в среде и ее плотности. [c.290]

Радиография позволяет исследовать внутреннюю структуру твердых материалов, делая ее видимой. Для этого образец помещается между источником проникающего излучения и регистратором теневого изображения этого образца. 11рошедшее образец излучение фиксируется на фотопленке или на фотопластине, находящейся сразу за образцом. Внутренние поры и разрывы сплошности уменьшают количество твердого вещества на пути излучения, а следовательно, для фотопленок появляется возможность локации этих повреждений, так как в этих местах интенсивность излучения выше и фотопленка будет засвечена сильнее. В результате на регистрирующей пленке темные пятна соответствуют дефектам, а интенсивность засветки таких областей при одинаковой экспозиции и толщине может определять глубину их расположения в материале. [c.475]

Критерии выбора радиоактивных изотопов. В настоящее время известно более 1000 радиоактивных изотопов, и только некоторые из них пригодны для использования в качестве йсточников тепла. Выбор изотопов для указанных целей производится в первую очередь с учетом их физических свойств, таких, как период полураспада, удельная мощность, уровень кинетической энергии и тип проникающего излучения. Чрезмерная токсичность и наличие жесткого у-излучения особенно нежелательны для радиоизотопных источников тепла. [c.145]

Метод обратной съемки является разновидностью метода Дебая—Шеррера. Принцип его заключается в том, что источник излучения и пленка представляют собой практически одно целое. Вследствие высокой чувствительности съемки в отраженном излучении этот метод особенно пригоден для определения малейших изменений размеров кристаллической решетки образца. В соответствии с этим отраженное излучение прежде всего применяется для определения фазового состава твердых растворов, а также упругих напряжений. Преимуществом этого метода является то, что рефлексы и 2 наблюдаются раздельно (расщепление ван-Аркеля) и таким же образом можно проводить их измерения. Недостаток метода заключается в том, что из-за незначительной проникающей способности рентгеновских лучей может быть исследована лишь структура поверхности. Чтобы устранить возможные повреждения поверхности в результате механической обработки, ее перед началом съемки следует слегка протравить. На практике нашли применение две разновидности этого метода плоской пленки по Заксу и Вертсу и конусной пленки по Реглеру. Наиболее широко распространенным является метод плоской пленки, поэтому более подробно рассмотрим лишь этот метод. [c.152]

Дополнительная информация о структуре исследуемого вещества может быть получена в сиектроскопич. исследованиях при изменении внешних условий темп-ры, давления, напряжённостей электрич. и магнитных полей, освещённости, интенсивности проникающих излучений п т. п. В таких исследованиях, как правило, измеряются не абсолютные значения измеряемых параметров, а их приращения, величина к-рых в ряде случаев может быть весьма небольшой. Именно поэтому требования к точности и разрешающей способности аппаратуры для сиектроскопич. исследований оказываются достаточно высокими. Напр., разрешающая способность аппаратуры для измерения приращения скорости в биологич. средах должна быть не хуже 10 — 10 при точности абсолютных измерений скорости УЗ не хуже 10 — 10 . Точность измерений абсолютного значения коэфф. затухания УЗ должна быть не менее 2—5% при точности относительных измерений 0,2—0,5%. Реализация такой высокой точности измерительной аппаратуры в широком диапазоне частот требует учёта и тщательного анализа возможных источников погрешностей, как инструментальных, так и методических. Снижение инструментальных погрешностей достигается совершенствованием электронной аппаратуры и механич. узлов приборов, тогда как снижение методич. погрешносте требует тщательного согласования импедансов пьезоэлектрич. преобразователей измерительной камеры с входным и выходным импедансами электронной схемы. Особое внимание должно быть уделено учёту систематич. погрешностей, возникновение к-рых обусловлено дифракционным и волноводными эффектами в измерительной камере. [c.331]

Приведенные данные свидетельствуют об относительно невысоких затратах на неразрушающий контроль, кроме капитальных затрат при использовании высокоэнергетичных источников проникающих излучений. Пользуясь этими данными, можно сопоставлять стоимости контрольных операций при различных методах контроля и оптимизировать их выбор с учетом требуемой достоверности обнаружения дефектов и других требований к контролю, а также особенностей конструкции и технологии изготовления изделий. [c.20]

Источники радиоактивного излучения. При распаде искусственных или естественных радиоактивных изотопов возникает у-излучение. Одновременно с v-квантами могут образоваться а частицы (ядра гелия — 2Не ) и Р-частицы (электроны — iP°). v-кванты обладают существенно большей проникающей способностью по сравнению с а- и Р-частицами, поэтому их преимущественно и используют при контроле качества изделий. [c.281]

В результате взаимодействия нейтронов с ядрами появляется вторичное излучение в виде у-квантов, протонов отдачи (особенно При упругом рассеянии на ядрах водорода), а-ча-стиц (ядер гелия) и продуктов радиоактивности образующихся изотопов (из которых наиболее существенны, с точки зрения воздействия на орбитальные электроны, изотопы с небольшим периодом полураспада). Эти вторичные излучения взаимодействуют с электронами атомов (молекул) вещества и вызывают собственно химические изменения, наблюдаемые в процессе и после облучения полимерных электроизоляционных материалов. При испытаниях образцов материалов толщина их не превышает обычно нескольких миллиметров, поэтому для взаимодействия ИИ по всей глубине-образца обычно бывает достаточно энергии электронов до 20 МэВ и протонов до W0 МэВ. Применение заряженных частиц с энергией менее 10 МэВ не вызывает наведения радиоактивности и дает возможность работать с образцами без какого-либо ограничения. Проникающая способность у-квантов и нейтронов (не имеющих зарядов) наибольшая, поэтому часто при испытаниях применяются источники у-квантоБ. [c.314]

Для контроля и измерения линейных размеров изделий применяются радиоактивные изотопы как источники излучения при этом используются их свойства проникновения излучения сквозь вещество изделия и рассеяние излучения веществом изделия. В последнем случае пучок излучения определенной геометрии направляется на измеряемое изделие. В результате ряда сложных процессов взаимодействия излучения с веществом часгь излучения поглощается в веществе, а часть рассеивается. Это взаимодействие, интенсивность излучения, а также проникающая и отражательная способность зависят от природы и плотности вещества изделия и от вида и энергии излучения. [c.211]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...