Галоидно-щелочные соединения

Сомнительно, будет ли энергия, приобретённая электроном при внедрении в изолятор, всегда так мала, как величина, вычисленная выше для типичных галоидно-щелочных соединений. Работа выхода прн фотоэлектрическом эффекте для таких диэлектриков, как окись меди, которые поглощают свет в видимой области спектра, оказывается ) порядка 5eV, что указывает на то, что ширина запрещённой области равна примерно 2 eV, а рассмотренная выше работа выхода f, — примерно 3eV. [c.425]

ГАЛОИДНО-ЩЕЛОЧНЫЕ СОЕДИНЕНИЯ [c.471]

КРИСТАЛЛЫ ГАЛОИДНО-ЩЕЛОЧНЫХ СОЕДИНЕНИЙ [c.487]

Ионная проводимость галоидно-щелочных соединений обычно обусловливается передвижением как положительных, так и отрицательных ионов это можно установить с помощью измерений чисел переноса, рассмотренных в главе 1. Френкель ) впервые указал, что перемещающиеся положительные и отрицательные ионы, возможно, движутся не путём обмена местами, как это было бы в идеальной решётке, [c.487]

КРИСТАЛЛЫ ГАЛОИДНО-ЩЕЛОЧНЫХ СОЕДИНЕНИЙ 491 [c.491]

Мы можем выделить отдельно случай, когда положительные и отрицательные ионы покидают решётку в равном числе. Это обычно имеет место в галоидно-щелочных соединениях, для которых равновесное значение даётся уравнением типа (132.11). [c.579]

Рис. 261. Три типа дефектов решётки. В (в) некоторые из Д-атомов переместились в положения внедрения с образованием дырок. В (6) атомы испарились, образуя, таким образом, дырки в решётке. Атомов внедрения нет. В галоидно-щелочных соединениях имеется одинаковое число дырок А м В. Излишек того или другого типа может быть получен нагреванием кристалла в атмосфере соответствующего газа. В (с) часть атомов испарилась с поверхности, что создало излишек в-атомов последние переместились внутрь кристалла в положения внедрения.

Эта разность является величиной порядка 1 eV для галоидно-щелочных соединений, так что [c.580]

БО внимание действительные смещения ближайших ионов. Они нашли значение 0,40 ( 1,74 в /2я) для предельного случая, когда бесконечно. Так как в действительности разность должна быть больше, чем это значение, можно заключить, что расположение типа I не имеет места в кристаллах, имеющих структуру хлористого натрия, для которых существенны только электростатические и отталкивательные члены борновской теории. Практически это охватывает все галоидно-щелочные соединения и, возможно, окислы и сульфиды бериллия, магния и кальция >). [c.582]

Например, рефракции отдельных галоидно-щелочных соединений удовлетворяют соотношениям [c.690]

Подобным путём Кох ) комбинировал результаты оптических и химических измерений для определения /-факторов для абсорбционных полос атомов включений таллия в кристаллах галоидно-щелочных соединений. Найдено, что малые количества галоидных соединений таллия могут растворяться в галоидно-щелочных соединениях и что образующиеся твёрдые растворы имеют узкие полосы поглощения ) в ультрафиолетовой обла- [c.694]

Рассмотренная интерпретация поведения теплового сопротивления подтверждается еще и результатами Бермана [5], которому удалось измерить теплопроводность кристалла LiF такой чистоты, что его тепловое сопротивление определялось целиком процессами переброса. У этого образца тепловое сопротивление экспоненциально зависело от температуры у других же кристаллов щелочно-галоидных соединений W T. [c.252]

Все кристаллы соединений щелочных металлов с галогенами, за исключением галоидных соединений цезия, имеют [c.14]

Чисто электрический пробой имеет место, когда исключено влияние электропроводности и диэлектрических потерь, обусловливающих нагрев материала, а также отсутствует ионизация газовых включений. Для однородного поля и полной однородности структуры материала напряженность поля при электрическом пробое может служить мерой электрической прочности вещества. Такие условия уд -ется наблюдать для монокристаллов щелочно-галоидных соединений и некоторых органических полимеров. В этом случае достигает сотен мегавольт на метр и более. [c.67]

Смеси щелочных галогенидов с галоидными соединениями серебра обнаруживают отчетливое отклонение от идеального поведения (табл. 14). [c.140]

К ингибитору могут быть добавлены галоидные соединения щелочных металлов или аммония (например, KI, КВг, NH l) z = 98,7%. [c.57]

Рис. 185. Ультрафяолетовые абсорбционные полосы кристаллов галоидно-щелочных соединений. Пунктирные участки кривых соответствуют измерениям Хильша я Поля. [По Шнейдеру и О Брайену. Phys. Rev. 51, 293 (1937).l

Мягкие рентгеновские эмиссионные спектры лития, натрия, бериллия, магния и алюминия, полученные экспериментально О Брайеном и Скиннером ) и Фарино ), приведены на рис. 204. Полосы лития и бериллия возникают вследствие переходов на уровень 1 (/Г-полоса), а обе полосы магния и алюминия возникают, соответственно, от переходов к 15-уровню и 2/)-уровню полоса). В противоположность абсорбционным спектрам галоидно-щелочных соединений (см. 95) эти спектры ие содержат сильных дискретных линий это свидетельствует о том, что уровни возбуждения [c.463]

Предварительный обзор. В предыдущей главе мы видели во-первых, что наинизшее состояние идеального ионного кристалла приближённо можно описывать или по схеме Гайтлера-Лоидона или по зонной схеме во Вторых, что нижнне, непроводящие, возбуждённые состояния можно рассматривать методом волн возбуждения, по крайней мере в случае галоидно-щелочных соединений и, в-третьих, что более высокие возбуждённые состояния можно рассматривать с помощью ЗОИНОЙ схемы. В следующих параграфах мы применим эти приближения к кристаллам различных галоидно-щелочных соединений, окислов [c.467]

Галоидно-щелочные соединения. Вычисления зонных структур проведены для двух галоидно-щелочных соединений — фтористого лития и хлористого натрия. Кроме того, былн проведены [c.468]

В 95 мы вндели, что положение непроводящих возбуждённых уровней галоидно-щелочных соединений можно оценить достаточно точно, используя атомную модель. Согласно этой работе первая возбуждённая полоса для фтористого литня должна лежать примерно на 12eV выше наинизшего состояния, что хорошо согласуется с положением границы абсорбционной полосы. Полная структура первой абсорбционной ультрафиолетовой полосы фтористого лития и хлористого натрия не определена. В типичном случае бромистого натрия, изображённом на рис. 214, повидимому, естественно предположить, по аналогии с абсорбционным спектром для атомов, что пики А, В, С л D соответствуют переходам на возбуждённые уровни и что край ионизации находится в коротковолновой части подножия полосы, т. е, примерно в области 1200 А. Соответствующие точки для фтористого лития и хлористого натрия (см. рис. 185) несомненно лежат в областях энергий, больших чем 14 и 12 eV соответственно. [c.473]

Кристаллы галоидно-щелочных соединений-полупроводников. Хильш и Поль ) со своими многочислеииыми сотрудниками провели обширные исследования полупроводимости в кристаллах галоиднощелочных соединений эти кристаллы становятся полупроводниками при нагревании их в атмосфере паров соответствующего щелочного металла до тех пор, пока оии не приобретут окраску. Рис. 224 показывает для ряда случаев абсорбционные полосы, появляющиеся при этом в спектрах поглощения. Облучение рентгеновскими и катодными лучами может [c.486]

Рис. 224. Лцеитровая абсорбционная полоса при комнатной температуре у различных галоидно-щелочных соединений. Шкала длин волн дана в единицах 10 см. (По Полю.)

Возможны две схемы процесса окрашивания кристаллов галоидно-щелочных соединений, производимого рентгеновскими лучами ). В обоих случаях пред-полагастся, что первичное действие рентгеновских лучей сводится к освобождению электрона из какой-либо внутрзнней оболочки атома в решётке и что центр окрашивания связан с абсорбционными свойствами этого электрона, когда он в дальнейшем задерживается решёткой. Наиболее очевидными захватывающими центрами должны являться дырки отрицательных и положительных ионов. Дырки должны обладать сродством, поскольку в этих точках потенциал Маделуига положителен положительные ионы также должны иметь сродство ва1едствие того, что электрон может поляризовать окружающую решётку и вызвать появление устойчивого дискретного уровня ниже паюсы проводимости, рассмотренной в 106 этой главы. Факты, полученные из исследования фотопроводимости, повидимому, подтверждают первую интерпретацию и опровергают вторую. Если бы какой- [c.488]

Бюль и Гиппель ) наблюдали уменьшение напряжённости поля пробоя в галоидно-щелочных соединениях при охлаждении их от комнатной температуры до температуры жидкого воздуха однако наблюдаемое уменьшение происходит много быстрее того, что следует ожидать из (133.15). Вероятно, простая теория уменьшения поля пробоя диэлектриков с понижением температуры нуждается в настоящее время в коренном пересмотре ). [c.591]

Мы начнем с рассмотрения фотопроводимости кристаллов окрашенного хлористого иатрия. Другие окрашенные галоидно-щелочные соединения недут себя вполне аналогично. При температурах ниже 30° С фотопроводимость возникает скачком при облучении кристалла светом с длинами волн в Лцентровой абсорбционной полосе фотопроводимость остается постоянной в течение экспозиции, если она не продолжается слишком долго, и резко падает до нуля в момент прекращения освещения (рис. 263). Фототок, который ведёт себя таким образом, называют первичным током. Свойства этого тока могут быть объяснены в свете следующих простых допущений [c.592]

Движущиеся электроны могут устойчиво задерживаться, образуя снова центры, которые вначале были ионизованы световыми квантами. Для галоидно-щелочных соединений это означает, что Лцентры могут быть образованы путём рекомбинации освобождённых электронов и галоидно-ионных дырок. При состоянии истинного равновесия скорость протекания этого процесса равна скорости ионизации центров светом. [c.598]

Полупроводники. В 6 было указано, что имеются два типа полупроводников моноатомные кристаллы, такие, как кремний и селен, которые содержат примеси, и нониые кристаллы либо загрязнённые, либо содержащие излишек одной компоненты против стехномет-рического состава. Средн полупроводников второго тнпа преобладают галоидно-щелочные соединения с Г-цент-рамн, фосфоресцентный сульфид цннка н подобные щёлочно-земельные оксиды н сульфиды. Атомы примесей нлн атомы стехиометрического излишка во всех этих полупроводниках имеют свои собственные характерные полосы поглощения в видимой или ближней ультрафиолетовой областях спектра. В случае природных полупроводников, таких, как кремний и природные сульфиды, имеющих до 1 /д примесей, эта полоса поглощения может давать на лА-кривой, определённой нз отражения, пик настолько значительный, что он может перекрыть основную полосу поглоще 1ия вещества. Например, на рнс. 299 изображены кривые для кремния и природного стибнита, Мо 2. Весьма вероятно, что пики в ближней ультрафиолетовой области появляются благодаря примесям вследствие того, что электроны этих примесей, освобождённые термическим или оптическим путём, делают эти вещества полупроводниками. У большинства искусственных полупроводников, с другой стороны, число атомов включений сравнительно невелико, так что они не дают пиков на лА-кривой такой величины. В этом случае полосы не перекрывают основную область поглощение, однако, может быть обнаружено измерениями при пропускании света через образец. [c.691]

Смакула ) применил теорию дисперсии к паюсам, связанным с Р. центрами в галоидно-щелочных соединениях для определения плотности центров. Следует напомнить, что эти гюлосы, повидимому, возникают в кристаллах, содержащих избыток щелочных металлов, из-за возбуждения электронов в незанятых галоидных узлах. В этом случае абсорбционные переходы будут аналогичны s-2p переходу в атомах водорода (см. 110 и 111). Поскольку электроны в решётке связаны, наблюдаемые [c.691]

Рис. 297. яА-кривые для некоторых Рис. 298. Показатели преломления непереходных металлов. [До Минору которых кристаллов галоидно-щелочных 11 Майеру.) соединений. (По Гиулаю.)

Теплопроводность некоторых щелочно-галоидных соединени . [c.309]

Гильдебранд и Селстром [122] установили связь между этими отклонениями и ионными радиусами. Можно напомнить, что энергия решетки щелочных галогенидов может быть с достаточной точностью вычислена из сил кулоновского взаимодействия однако энергия решетки галоидных соединений серебра значительно пре- вышает таковую для галоидных соединений щелочных металлов из-за наличия значительной поправки на энергию вандервааль-совского притяжения и на поляризационные явления [36, 251—253]. [c.141]

К сожалению, ни в одной главе книги невозможно охватить все разнообразие и свойства голографических регистрирующих сред, применяемых или исследуемых в настоящее время во многих лабораториях у нас и за границей. В этом обзоре не упоминаются элек-трооптические приборы, сухое серебро, аморфные полупроводники, везикулярные пленки, диазотипные пленки, пленки со свободными радикалами и щелочно-галоидные соединения. [c.295]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...